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[发明专利]一种带硅氧结构的有机硅副产物处理填料的装置与方法-CN201810291482.9有效
发明人：张志杰;张学忠;赵雪峰;张学孝;汪倩;谭永霞;谢择民 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2018-04-03 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： C09C1/56 文献下载
摘要：本发明涉及一种带硅氧结构的有机硅副产物处理填料的装置与方法，属于填料改性领域，解决了现有技术中无法对填料定量改性过程中如何控制其质量和稳定性的技术问题。将一条或几条不同种类的有机硅生产线中产生的副产物经过滤器除去杂质后，在计量泵的控制下按照一定的速率加入到平衡反应装置中，在一定量的催化剂作用下，在一定的温度下反应一定的时间后得到结构优化后的平衡产物；将该平衡产物中的催化剂除去后作为填料的表面处理剂，在计量泵控制下与填料按照一定的用量比例一起在一定的时间内通过改性装置后在一定的温度下、经一定的时间通过管式反应装置反应后接收到储罐中，即得到有机硅副产物改性的填料。本发明采用有机硅副产物作为填料的表面处理剂，提高了有机硅行业中的原子利用效率。
有机硅副产物表面处理剂副产物处理硅氧结构平衡产物计量泵管式反应装置催化剂除去催化剂作用改性过程改性装置结构优化平衡反应填料改性储罐改性

[发明专利]锗硅工艺中监控发射极和基极因接触孔而串通的测试结构-CN201110077611.2有效
发明人：金锋;朱丽霞 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-03-30 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明公开了一种锗硅工艺中监控发射极和基极因接触孔而串通的测试结构，包括锗硅多晶硅环，并在锗硅多晶硅环的相邻边上设置有和其变垂直相交的多根多晶硅条，在多晶硅条和锗硅多晶硅环上设置多个接触孔并分别引出锗硅多晶硅环和多晶硅条本发明通过分别测试锗硅多晶硅环和各多晶硅条间的漏电流，能够判断各多晶硅条是否在对应的接触孔处和锗硅多晶硅环是否形成短路，从而能够实现在硅片允收测试阶段有效监控发射极多晶硅光刻、刻蚀是否存在偏差而造成基极锗硅和发射极多晶硅间的漏电或短路本发明通过对各接触孔的不同边缘距离的设置，能够有效监控发射极多晶硅光刻、刻蚀的在各方向的实际偏差的大小。
工艺监控发射极基极接触串通测试结构

[发明专利]一种微机电系统电容式压力传感器及其制备方法-CN201510580009.9在审
发明人：聂萌;包宏权;黄庆安 -专利权人：东南大学
申请日： 2015-09-11 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： G01L1/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种微机电系统电容式压力传感器，该压力传感器包括从下向上依次布设的硅衬底、第一多晶硅层和第二多晶硅层；第一多晶硅层包括第一多晶硅外层和第一多晶硅内层；第一多晶硅外层位于第一多晶硅内层的外侧，且第一多晶硅外层和第一多晶硅内层之间有间隙；第二多晶硅层连接在第一多晶硅内层的上方，且第二多晶硅层、第一多晶硅内层和硅衬底之间形成空腔。
一种微机系统电容压力传感器及其制备方法

[发明专利]一种纳米硅颗粒的制备方法-CN201810134089.9在审
发明人：高标;项奔;霍开富;安威力;付继江 -专利权人：武汉科技大学
申请日： 2018-02-09 - 公布日： 2018-08-17 - 主分类号： H01M4/38 文献下载
摘要：本发明属于纳米材料技术领域，更具体地，涉及一种纳米硅颗粒的制备方法。本发明针对一步镁热反应法制备纳米硅存在反应不可控，副产物多等问题，采取了更简单更环保的方法制备纳米硅，产率跟纯度大大提高。以金属镁粉为例，本发明将廉价的二氧化硅与镁粉反应生成硅化镁，然后只需要在保护气氛中再加入合适的二氧化硅到产物中直接加热便可以得到纳米硅，本发明涉及的所有方法过程简单可行，反应副产物少，安全系数高，产率比较高，没有污染性副产物，可以大规模推广，此外，分散性好的纳米硅可用于制造具有优异性能的锂离子电池。
纳米硅制备纳米硅颗粒二氧化硅副产物产率纳米材料技术法制备纳米反应副产物锂离子电池安全系数分散性好金属镁粉优异性能直接加热硅化镁热反应污染性可用镁粉环保制造

[发明专利]一种SGT-MOSFET及其制造方法-CN202110653721.2在审
发明人：高学;代萌 -专利权人：上海格瑞宝电子有限公司
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，公开了一种SGT‑MOSFET及其制造方法，在基片外延层上淀积掩蔽层，光刻深沟槽；掩蔽层去除，生长场氧化层，淀积屏蔽栅多晶硅；屏蔽栅多晶硅回刻，光刻浅沟槽；场氧化层光刻，形成栅沟槽，生长栅氧化层，淀积栅极多晶硅以及回刻，进行后续制作。本发明采用新的制造方法连出屏蔽栅多晶硅和栅极多晶硅接触孔。本发明采用的制造方法未涉及屏蔽栅多晶硅和栅极多晶硅的光刻工艺，屏蔽栅多晶硅和栅极多晶硅经刻蚀后与硅衬底表面基本齐平；因此消除了多晶硅的高度差，同时很好地在屏蔽栅多晶硅和栅极多晶硅上打孔而不会产生屏蔽栅多晶硅和栅极多晶硅桥接的风险
一种 sgt mosfet 及其制造方法

[发明专利]一种太阳能电池-CN201510082213.8有效
发明人：程实;胡传志 -专利权人：南通大学
申请日： 2011-03-23 - 公布日： 2016-10-19 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：一种太阳能电池，它包括顶电极、底电极、P型多晶硅和N型多晶硅，还包括P型非晶硅，P型多晶硅覆盖在N型多晶硅上，在P型多晶硅与N型多晶硅之间构成PN结，顶电极和底电极分别连接在P型多晶硅的上端面和N型多晶硅的下端面上，P型非晶硅覆盖在P型多晶硅及顶电极上，P型非晶硅与P型多晶硅之间构成同型异质结，P型非晶硅的厚度范围为0.01‑1μm。本发明利用顶层宽禁带的非晶硅薄膜作光吸收层与多晶硅衬底构成异质结，利用底层窄禁带的多晶硅作光吸收层，在多晶硅中形成PN结，两结共用P型多晶硅层，减少一个电池间的界面，避免了电池间界面对于电流的复合作用，太阳能电池的光电转换效率比单结多晶硅电池提高5‑10%。
一种太阳能电池

[发明专利]一种棒状多晶硅和颗粒多晶硅的联合生产方法-CN201810786559.X在审
发明人：王体虎;宗冰;肖建忠;尹东林;郑连基;刘军;陈海宝;李英;马英红;张宝顺 -专利权人：亚洲硅业（青海）有限公司;青海省亚硅硅材料工程技术有限公司
申请日： 2018-07-17 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明涉及晶体硅制备技术领域，具体涉及一种棒状多晶硅和颗粒多晶硅的联合生产方法。本发明提供的棒状多晶硅和颗粒多晶硅的联合生产方法，采用包括三氯氢硅的原料制备棒状多晶硅，将制备棒状多晶硅的尾气中产生含有的二氯二氢硅作为颗粒硅制备步骤的原料，同时，所述颗粒多晶硅制备步骤所得的尾气中包含有用于制备所述棒状多晶硅的原料三氯氢硅相较于传统的单独棒状多晶硅或颗粒多晶硅生产工艺，本发明所述方法可以联合生产棒状多晶硅和颗粒多晶硅，具有工艺流程短、工艺共容、产业化成本低的优势。本发明产生的两种多晶硅产品具有强烈互补性，可以提升晶体生长环节的生产效率。本发明所述方法是一种绿色节能的多晶硅生产方法。
棒状多晶硅颗粒多晶硅联合生产制备三氯氢硅多晶硅种棒尾气制备技术领域多晶硅产品多晶硅生产二氯二氢硅晶体生长生产效率原料制备工艺流程产业化传统的晶体硅颗粒硅生产工艺互补性节能环节

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201210454418.0有效
发明人：王文博;卜伟海;俞少峰 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-11-13 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，所述形成方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底内形成浅沟槽隔离结构；在所述半导体衬底和浅沟槽隔离结构上形成第一多晶硅材料层、位于部分第一多晶硅材料层表面的覆盖材料层，位于部分第一多晶硅材料层表面的第二多晶硅材料层；对第二多晶硅材料层、覆盖材料层、第一多晶硅材料层进行刻蚀，形成伪栅结构和多晶硅电阻。由于形成伪栅结构的多晶硅材料层包括第一多晶硅材料层和第二多晶硅材料层，而多晶硅电阻的多晶硅材料层仅为第一多晶硅材料层，使得伪栅结构表面和多晶硅电阻表面具有高度差，形成金属栅极的化学机械研磨工艺不会对多晶硅电阻及表面的金属硅化物造成影响
半导体结构及其形成方法

[发明专利]多晶硅薄膜的制造方法、多晶硅薄膜以及声学传感器-CN201910487384.7在审
发明人：吴健兴;钟晓辉;吴伟昌;黎家健 -专利权人：瑞声科技（新加坡）有限公司
申请日： 2019-06-05 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： C23C16/24 文献下载
摘要：本发明提供一种多晶硅薄膜的制造方法、多晶硅薄膜以及声学传感器，其中，多晶硅薄膜的制造方法包括：提供基材，基材包括基片和与基片层叠设置的多晶硅基膜；在多晶硅基膜中非原位掺杂硼元素、磷元素和砷元素中的一种制得多晶硅薄膜半成品；对多晶硅薄膜半成品进行热激活后退火制得多晶硅薄膜。本发明提供的多晶硅薄膜的制造方法通过在多晶硅基膜中非原位掺杂硼元素、磷元素和砷元素中的一种，并对多晶硅薄膜半成品进行热激活，制得的多晶硅薄膜的晶粒的生长和均匀性好，可以有效降低多晶硅薄膜表面的粗糙度，同时由该方法制得的多晶硅薄膜具有较优的机械强度
多晶硅薄膜多晶硅基膜半成品声学传感器原位掺杂磷元素硼元素热激活砷元素基材制造多晶硅薄膜表面机械强度要求层叠设置均匀性好晶粒粗糙度后退火成活率吹气生长

[发明专利]栅极沟槽以及半导体器件的制造方法-CN201010261546.4无效
发明人：韩秋华;黄敬勇;鲍俊波;张翼英 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-08-24 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种栅极沟槽和半导体器件的制造方法，所述栅极沟槽的制造方法包括：在半导体衬底上依次形成掺杂多晶硅层和非掺杂多晶硅层；刻蚀非掺杂多晶硅层和掺杂多晶硅层，形成图案化非掺杂多晶硅层和图案化掺杂多晶硅层，所述图案化掺杂多晶硅层的截面宽度小于图案化非掺杂多晶硅层的截面宽度；在图案化非掺杂多晶硅层和图案化掺杂多晶硅层的侧壁形成侧壁层；去除图案化非掺杂多晶硅层和图案化掺杂多晶硅层，形成栅极沟槽。本发明使形成的图案化掺杂多晶硅层的截面宽度小于所述非掺杂多晶硅层的截面宽度，可确保获得轮廓较佳的金属栅极。
栅极沟槽以及半导体器件制造方法

[发明专利]多晶硅薄膜的制备方法及多晶硅TFT结构-CN201510314265.3在审
发明人：张良芬;连水池;罗长诚;吴元均;徐源竣;郭海成;王文;陈荣盛;周玮;张猛 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2015-06-09 - 公布日： 2015-10-21 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种多晶硅薄膜的制备方法及多晶硅TFT结构。该多晶硅薄膜的制备方法包括：步骤1、提供一基片(1)，在所述基片(1)上形成一层多晶硅薄膜(3)，该多晶硅薄膜(3)的厚度符合制造半导体器件所要求的厚度；步骤2、对所述多晶硅薄膜(3)进行硅离子自注入，且硅离子的注入剂量低于使多晶硅非晶化的计量限度。该多晶硅薄膜的制备方法使注入的硅离子形成间隙硅，并移动到多晶硅晶界处，能够减少多晶硅的晶界缺陷密度，改善多晶硅薄膜的质量。本发明提供的一种多晶硅TFT结构，其岛状半导体层由经过低剂量硅离子自注入的多晶硅薄膜制成，能够降低开启状态下的晶界势垒，增大载流子迁移率，增大开态电流，减小阈值电压，改善TFT特性。
多晶薄膜制备方法 tft 结构

[发明专利]一种利用还原提纯三氯氢硅制高品质电子级多晶硅的方法-CN201510916659.6在审
发明人：宋东明;韩小月;陈丽娟;耿志萍;王金;王岭;赵生艳;李俊朝;赵桂洁;蔡永明;陆大军;马启坤;任玖阳;周万礼 -专利权人：昆明冶研新材料股份有限公司
申请日： 2015-12-10 - 公布日： 2016-03-23 - 主分类号： C01B33/03 文献下载
摘要：本发明提出了一种制备多晶硅的系统和方法。本发明提出的制备多晶硅的系统和制备多晶硅的方法是利用还原回收的三氯氢硅来生产高品质电子级多晶硅产品，高品质电子级多晶硅的产量大而稳定，同时也实现了高品质电子级多晶硅产品和太阳能级以上多晶硅产品的专职区隔生产，以保障不同品质多晶硅产品的生产，以此来满足不同品质多晶硅产品的需要。
一种利用还原提纯三氯氢硅制高品质电子多晶方法

[发明专利]多晶硅芯片回收组件和从多晶硅清洗装置中回收多晶硅芯片的方法-CN201580051962.2有效
发明人：詹森·L·贾尔迪纳;詹姆斯·C·蒙代尔;纳撒尼尔·C·麦肯锡-赫梅莱夫斯基 -专利权人：赫姆洛克半导体运营有限责任公司
申请日： 2015-09-03 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：多晶硅回收组件包括被配置成清洗多个多晶硅主体的多晶硅清洗装置。还包括的是在多晶硅主体的清洗期间从多晶硅主体中生成的多个多晶硅芯片，其中，多个多晶硅芯片的每一个具有从0.1mm到25.0mm的最长尺寸长度。另外包括的是被配置成将多个多晶硅芯片从多晶硅清洗装置发送到主芯片排放管道的多晶硅装置排放管道，其中，主芯片排放管道定向为以向下坡度远离多晶硅装置排放管道。另外还包括的是流体源，该流体源流体地耦合至主芯片排放管道并配置成将流体注入到主芯片排放管道中以将多个多晶硅芯片驱动通过主芯片排放管道。
多晶芯片回收组件清洗装置方法

[发明专利]深沟槽多晶硅形成方法-CN201010536583.1有效
发明人：吴智勇 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2010-11-09 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种深沟槽多晶硅形成方法，包括步骤：在形成深沟槽后，循环淀积多晶硅和离子注入形成多层多晶硅，直至多层多晶硅填满深沟槽；对多层多晶硅进行回刻，用以去除深沟槽外部区域的多晶硅。在多层多晶硅回刻工艺中采用多晶硅刻蚀和自然氧化层刻蚀循环重复刻蚀的方式，即当多晶硅刻蚀到含有自然氧化层的位置时，插入一步自然氧化层刻蚀工艺。本发明能够避免出现多晶硅刻蚀过程中形成自然氧化层的侧壁掩模，从而能够消除多晶硅尖刺的形成。
深沟多晶形成方法

[发明专利]多晶硅电阻及其制作方法-CN201610424755.3有效
发明人：钱文生 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2016-06-16 - 公布日： 2018-10-26 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅电阻，由P型多晶硅电阻和N型多晶硅电阻互连形成，所述N型多晶硅电阻的N型掺杂浓度要求满足使所述N型多晶硅电阻具有正的温度系数，通过互连使所述N型多晶硅电阻的正的温度系数和和P型多晶硅电阻所具有的负的温度系数相抵消并使互连后的所述多晶硅电阻的温度系数降低并趋于本发明还公开了一种多晶硅电阻的制作方法。本发明能降低多晶硅电阻的温度系数，满足低温度系数的多晶硅电阻的应用要求。
多晶电阻及其制作方法