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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]基极制作方法-CN02156118.4无效
发明人：郑志祥 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2002-12-03 - 公布日： 2003-11-19 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明是提供一种基极制作方法，包括：提供一种利用一第一含氮的气体快速加热制程(nitrogen－containingRTP，ammoniarapidthermalprocessing)处理底材，在底材上形成一界面扩散阻障层(interfacediffusionbarrierlayer)；将具有高介电常数的介电层沉积在界面扩散阻障层上以改善基极的热稳定性以及化学稳定性；将一阻障层以及一金属基极层依序沉积在介电层上；接着，在一光学微影制程之后，在半导体底材上形成一基极结构；然后，在一基极结构上执行一第二含氮气快速加热制程，在基极结构的侧壁上形成一表面抑制层以改善金属基极层的电阻值以及热稳定性。
基极制作方法

[发明专利]具有基极链路区的半导体装置及其方法-CN202011513555.8在审
发明人：柳博·拉迪克;杰伊·保罗·约翰;贝恩哈德·格罗特;詹姆斯·艾伯特·基希格斯纳 -专利权人：恩智浦美国有限公司
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：包括第一基极区和第二基极区的基极区在所述集电极区上方形成。非本征基极区横向邻近于所述第二基极区形成且耦合到所述第二基极区。基极链路区安置成接近于所述第二基极区，其中所述基极链路区将所述非本征基极侧壁耦合到所述第二基极区。一种用于形成半导体装置的方法包括：在所述半导体衬底内形成所述集电极区；在所述集电极区上方形成多个电介质层；在所述集电极区上方形成非本征基极层；蚀刻发射极窗口；在所述集电极区上方形成所述第一基极区；在所述第一基极区上方形成所述第二基极区，其中形成所述第二基极区包括形成所述基极链路区。
具有基极链路区半导体装置及其方法

[发明专利]用于减小寄生的基极－集电极电容的基极垫布局和使用该布局制造HBT的方法-CN200510002869.0无效
发明人：梁景熏;宋容周 -专利权人：韩国科学技术院
申请日： 2005-01-27 - 公布日： 2005-07-27 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明涉及用于减小寄生的基极－集电极电容的基极垫布局和使用该布局制造HBT的方法。本发明包括在相对于半导体衬底的(011)或(011)方向上排列的基极区；相对于所述基极区倾斜固定的基极垫区域；和在(010)方向上排列的并且连接所述基极区和所述基极垫区域的基极馈电区。根据本发明，通过简单的基极垫布局和能将有效基极区与基极垫区域分开的湿蚀刻可以减小由基极垫造成的基极－集电极电容。本发明使用常规的湿蚀刻方法来制造三重台面式HBT，该HBT仅包括对基极垫布局的修改，因而不需要额外的过程。
用于减小寄生基极集电极电容垫布使用布局制造 hbt 方法

[发明专利]一种半导体器件及其制备方法、电子装置-CN202310871235.7在审
发明人：李峰柱;项少华;梁程程;王冲 -专利权人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
申请日： 2023-07-14 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制备方法、电子装置，所述半导体器件包括：衬底；自下而上形成在所述衬底上的子集电极层、集电极层、基极层和发射极层，所述基极层包括第一基极层和位于所述第一基极层外侧的第二基极层，所述第二基极层的电阻大于所述第一基极层的电阻。本发明形成第二基极层作为基极镇流电阻来补偿发射极‑基极电压降，能够避免由于电流集中效应而导致的热失控，便于控制基极镇流电阻的阻值大小，并且由于基极电流较小，因而能够避免引起半导体器件输出功率和功率附加效率的降低
一种半导体器件及其制备方法电子装置

[发明专利]一种光电晶体及光电晶体阵列-CN201910604106.5在审
发明人：叶荣辉 -专利权人：四川美阔电子科技有限公司
申请日： 2019-07-05 - 公布日： 2019-10-08 - 主分类号： H01L31/11 文献下载
摘要：本发明提供一种光电晶体，主要包括集电极区、基极区及发射极区，其中基极区设置在集电极区内，而发射极区则设置在基极区内，并以基极区隔开发射极区及集电极区。基极区包括第一基极区及第二基极区，其中第一基极区位于发射极区的垂直投影位置，而第二基极区则设置在发射极区的周围。此外第一基极区的掺杂浓度大于第二基极区，使得光电晶体具有较高的崩溃电压、较高的频率响应、较大的增益及较高的光灵敏度。
基极区发射极区光电晶体集电极区垂直投影位置光电晶体阵列崩溃电压光灵敏度频率响应集电极隔开掺杂

[发明专利]双极结晶体管（BJT）基极导体回调-CN201510367012.2有效
发明人：徐力田;杜友伦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-06-29 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：BJT包括布置在半导体衬底的上表面上方的基极区，基极区将发射极区和集电极区垂直分隔开。基极区布置在导电基极层内并且与导电基极层接触，导电基极层将电流传递至基极区。相对于一些传统的方法，基极区包括平坦底面，平坦底面增大了基极区和半导体衬底之间的接触面积，因此减小了集电极/基极结处的电阻。基极区也可以包括基本上垂直的侧壁，基本上垂直的侧壁增大了基极区和导电基极层之间的接触面积，因此改进了至基极区的电流传递。本发明的实施例还涉及双极结晶体管(BJT)基极导体回调。
结晶体 bjt 基极导体

[发明专利]双极晶体管以及高频功率放大器模块-CN202210311146.2在审
发明人：大部功;梅本康成;柴田雅博;小屋茂树;近藤将夫;筒井孝幸 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2018-09-04 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明提供具有能够使基极层变薄来实现高速化的结构的双极晶体管。在由化合物半导体构成的基板上形成集电极层、基极层以及发射极层。发射极层在俯视时与基极层的边缘相比配置在内侧。在发射极层以及基极层的一部分的区域上配置基极电极以形成在俯视时从发射极层的内侧到达基极层的外侧。在基极层中的不与发射极层重叠的部分和基极电极之间配置绝缘膜。合金层从基极电极在厚度方向上贯通发射极层并到达基极层。合金层包含基极电极的一部分的构成元素、和发射极层以及上述基极层的构成元素。
双极晶体管以及高频功率放大器模块

[发明专利]高浪涌双向瞬态电压抑制器-CN201810217491.3有效
发明人：雪克·玛力卡勒强斯瓦密;史宁 -专利权人：万国半导体（开曼）股份有限公司
申请日： 2018-03-16 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：将一种瞬态电压抑制器（TVS）配置成一个NPN双极晶体管，包括单独优化的集电极‑基极和发射极‑基极结，都带有雪崩模式击穿。TVS器件利用一个含有轻掺杂基极区的基极制成，基极区的边界由一对较重掺杂的基极区构成。两个更加重掺杂的基极区用于构成集电极‑基极结和发射极‑基极结，都作为雪崩击穿结。集电极‑基极和发射极‑基极掺杂区之间的轻掺杂基极区确保TVS器件中的低漏电流。在这种情况下，本发明所述的TVS双极晶体管提供带有鲁棒钳位的高浪涌保护，同时确保低漏电流。
浪涌双向瞬态电压抑制器

[发明专利]双极晶体管以及高频功率放大器模块-CN201811024684.3有效
发明人：大部功;梅本康成;柴田雅博;小屋茂树;近藤将夫;筒井孝幸 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2018-09-04 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明提供具有能够使基极层变薄来实现高速化的结构的双极晶体管。在由化合物半导体构成的基板之上形成集电极层、基极层以及发射极层。发射极层在俯视时与基极层的边缘相比配置在内侧。在发射极层以及基极层的一部分的区域之上配置基极电极以形成在俯视时从发射极层的内侧到达基极层的外侧。在基极层中的不与发射极层重叠的部分和基极电极之间配置绝缘膜。合金层从基极电极在厚度方向上贯通发射极层并到达基极层。合金层包含基极电极的一部分的构成元素、和发射极层以及上述基极层的构成元素。
双极晶体管以及高频功率放大器模块

[发明专利]半导体装置以及制造半导体装置的方法-CN202210297032.7在审
发明人： J·A·柯奇斯纳;J·P·约翰;S·关 -专利权人：恩智浦美国有限公司
申请日： 2022-03-24 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：所述装置另外包括基极堆叠。所述基极位于所述发射极与所述集电极之间。所述基极堆叠包括本征基极区。所述装置另外包括基极电极。所述基极电极包括硅化物。所述基极电极的所述硅化物可与所述基极堆叠直接接触。
半导体装置以及制造方法

[发明专利]具有自对准硅化物和外基极的双极晶体管-CN200580038284.2有效
发明人：玛瓦恩·H.·卡特;弗朗索瓦·帕杰蒂 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2005-11-10 - 公布日： 2007-10-17 - 主分类号： H01L27/082 文献下载
摘要：一种双极晶体管及制作晶体管的方法，其中晶体管包括基片(10)中的集电极(12)、位于集电极上的内基极(14)、与内基极相邻的外基极、位于内基极上的发射极(130)。从横切面看，外基极包括与内基极相邻的外基极注入区(82、172、192)。晶体管通过对基极上方的基片上发射极下部构图形成发射极基座(50)而形成。在不受发射极基座保护的区域内形成外基极。硅化物、外基极和发射极都彼此自对准。
具有对准硅化物基极双极晶体管

[发明专利]异质结双极性晶体管及功率放大器-CN202210747477.0在审
发明人：高志阳;喻千荣 -专利权人：稳懋半导体股份有限公司
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本申请提供一种异质结双极性晶体管及功率放大器，所述异质结双极性晶体管包括：基底；以及基极台面，设置于基底上。基极台面包括集极层和基极层，基极层设置于集极层上，基极层包括第一边和第二边，第二边相对于第一边。异质结双极性晶体管更包括：射极层，设置于基极层上；基极电极，设置于基底上并连接至基极层；介电层，设置于基极电极上；以及导电部件，设置于介电层上。在介电层中形成第一导孔于基极层的第一边，且在介电层中形成第二导孔于基极层的第二边。导电部件通过第一导孔和第二导孔连接至基极电极。通过在基极端添加新的信号输入端以降低基极电阻，以改善异质结双极性晶体管和功率放大器在更高的操作频率的增益性能。
异质结双极性晶体管功率放大器

[发明专利]双极结型晶体管布局-CN201610555184.7在审
发明人：蔡汉旻;黄崎峰;陈家忠;梁其翔;李孝纯;周硕君;傅淑芳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-07-14 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H01L29/735 文献下载
摘要：一种双极结型晶体管包括发射极、基极接触件、集电极、以及浅沟槽隔离件。基极接触件具有两个基极指状件，两个基极指状件形成角部以接收发射极。集电极具有沿着基极接触件的基极指状件延伸的两个集电极指状件。浅沟槽隔离件设置在发射极和基极接触件之间，以及基极接触件和集电极之间。本发明还提供了双极结型晶体管布局。
双极结型晶体管布局

[发明专利]带基极电流补偿的基准电压源集成器件-CN202110238466.5在审
发明人：周号 -专利权人：珠海迈巨微电子有限责任公司
申请日： 2021-03-04 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本公开提供一种带基极电流补偿的基准电压源集成器件，包括：基准电压生成模块，基准电压生成模块的基极用于输出基准电压；基极电流补偿模块，基极电流补偿模块产生基极补偿电流并输出至基准电压生成模块的基极，以抵消基准电压源生成模块的基极的基极电流
基极电流补偿基准电压集成器件

[实用新型]带基极电流补偿的基准电压源集成器件-CN202120465173.6有效
发明人：周号 -专利权人：珠海迈巨微电子有限责任公司
申请日： 2021-03-04 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本公开提供一种带基极电流补偿的基准电压源集成器件，包括：基准电压生成模块，基准电压生成模块的基极用于输出基准电压；基极电流补偿模块，基极电流补偿模块产生基极补偿电流并输出至基准电压生成模块的基极，以抵消基准电压源生成模块的基极的基极电流
基极电流补偿基准电压集成器件

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