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[发明专利]半导体器件的制造方法及半导体器件-CN202310645248.2在审
发明人：于绍欣;陈荣盛;林德朗;余威明 -专利权人：华南理工大学;粤芯半导体技术股份有限公司
申请日： 2023-06-02 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体器件的制造方法及半导体器件。其中，该半导体器件的制造方法包括：提供一基底；在基底上表面形成具有离子注入窗口的光阻层；通过离子注入窗口对基底进行第一离子注入，得到第一子漂移区；在第一子漂移区上表面依次层叠设置至少一个第二子漂移区，形成漂移区，漂移区包括第一子漂移区和至少一个第二子漂移区。本方案可以提高半导体器件的击穿电压。
半导体器件制造方法

[发明专利]一种开关电容离散时间ΣΔ调制器-CN202211179768.0在审
发明人： 陈荣盛;张美;徐煜明 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H03M3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种开关电容离散时间ΣΔ调制器，由单极型晶体管组成，包括：开关电容积分器，用于接收ΣΔ调制器的输入信号，所述开关电容积分器具有离散时间共模反馈结构，该结构与开关电容积分器中的积分器共用时钟；其中，输入信号包括电压信号；两相非交叠时钟产生电路，用于产生两相非交叠时钟，该时钟用于控制所述开关电容积分器中开关的工作状态；比较器电路，包括三个级联的差分放大器，其中，第一个差分放大器的输入与积分器的输出连接，最后一个差分放大器的输出作为ΣΔ调制器的输出。本发明提供一种开关电容离散时间的一位一阶ΣΔ调制器，能够实现电压输入，将开关电容技术应用到TFT电路中，可广泛应用于集成电路技术领域。
一种开关电容离散时间调制器

[发明专利]一种低功耗异步先入先出缓存器电路及芯片-CN202210794469.1在审
发明人： 陈荣盛;陈德润;刘坤荣 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2022-07-07 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H03K23/58 文献下载
摘要：本发明公开了一种低功耗异步先入先出缓存器电路及芯片，其中电路包括：双端口随机存取存储器，译码电路，读、写地址控制逻辑模块，跨时钟域处理模块以及空、满信号产生逻辑模块；其中，读、写地址控制逻辑模块包括格雷码计数器；格雷码计数器只包含触发器而不存在组合逻辑，用于按照格雷码进行计数；格雷码计数器为异步计数器，异步逻辑使得高位的触发器时钟翻转速率更慢，以减小动态功耗。本发明采用一种格雷码计数器的全新结构，减小了芯片占用面积，以及通过异步逻辑降低动态功耗；另外，应用该格雷码计数器的整体FIFO电路的输入输出数据稳定保持一致，保证了缓存器在数据交互上的可靠性。本发明可广泛应用于半导体集成电路领域。
一种功耗异步先入先出缓存电路芯片

[发明专利]一种氧化锌基日盲紫外光电探测器及其制备方法和应用-CN202210912145.3在审
发明人： 陈荣盛;林德朗;陈雅怡 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化锌基日盲紫外光电探测器及其制备方法和应用。本发明的氧化锌基日盲紫外光电探测器的组成包括依次层叠设置的衬底、栅电极层、栅介质层、氧化锌基有源层、源‑漏电极层和近紫外光阻挡层，近紫外光阻挡层的组成包括疏水阻挡层和光稳定层。本发明的氧化锌基日盲紫外光电探测器具有迁移率高、可靠性高、拒绝比高、功耗低等优点，可以同时作为紫外感应部分和后端处理电路的晶体管，有利于制备高集成度的日盲紫外光电探测系统，且其制备工艺简单，适合进行大规模推广应用。
一种氧化锌基日盲紫外光电探测器及其制备方法应用

[发明专利]一种基于单极型晶体管的四位树形超前进位加法器及芯片-CN202210710758.9在审
发明人： 陈荣盛;刘坤荣;陈德润;徐煜明 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2022-06-22 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： G06F7/505 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于单极型晶体管的四位树形超前进位加法器及芯片，其中加法器采用差分逻辑门构成，所述差分逻辑门由多个单极型氧化物薄膜晶体管组成，所述四位树形超前进位加法器的进位链路采用Koggle—Stone并行算法进行优化。本发明加法器仅由单极型晶体管构成，适用于可大面积制备的柔性电子技术；另外，利用Koggle—Stone并行算法优化进位链路，可以在不改变超前进位特性的前提下，对布线进行优化，增加中间环节，进而优化布线提高稳定性。本发明可广泛应用于半导体集成电路领域。
一种基于单极晶体管树形超前进位加法器芯片

[实用新型]钢构件地基梁-CN202221654863.7有效
发明人：吴政;陈荣盛;张雪林;黄波;陈等红;杨宇庭 -专利权人：中国电建集团成都勘测设计研究院有限公司
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： E02D3/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种钢构件地基梁，涉及建筑施工领域，目的在于将集中荷载转变为分布荷载，将高量值的荷载转变为低量值的荷载，有效提高软弱地基的承载力，减少地基处理的费用。本实用新型采用的技术方案是：钢构件地基梁，包括顶板、底板，以及设置于顶板和顶板之间的至少两件钢制的连接件，顶板和底板均为钢板且呈矩形，顶板和底板的长宽相同，连接件的顶部与顶板的底面固定连接，连接件的底部与底板的顶面固定连接。钢构件地基梁的顶板、底板和连接件形成一个整体结构，将单个钢构件地基梁铺装在软弱地基的地面，或者将多个钢构件地基梁组合铺装在软弱地基收的地面，形成一个软弱地基处理平台，有效提高软弱地基的承载力。
构件地基

[发明专利]电流传感器的电流防抖方法、装置、终端设备及存储介质-CN202110273834.X在审
发明人：马钊;徐永涛;陈荣盛;邹荣莲 -专利权人：广汽埃安新能源汽车有限公司
申请日： 2021-03-15 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： G01R19/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种电流传感器的电流防抖方法、装置、终端设备及存储介质，所述方法包括；获取电流传感器的检测信号；获取当前油门踏板踩下深度、电流传感器在上一时刻采集到的第一感应电流和在当前时刻采集到的第二感应电流；根据当前油门踏板踩下深度、预设的油门踏板踩下深度与动力电池供电回路电流变化率的对应关系，得到动力电池供电回路的当前电流变化率；根据第一感应电流以及当前电流变化率，得到当前电流预测值；当检测信号为0，且第二感应电流大于当前电流预测值时，将第一感应电流与第二感应电流的平均值作为电流传感器在当前时刻的感应电流进行输出。本发明能解决现有技术中因电流异常值上报至车机系统，从而影响整车控制的问题。
电流传感器电流方法装置终端设备存储介质

[发明专利]一种基于RS锁存器的过温保护电路及芯片-CN202210641845.3在审
发明人： 陈荣盛;吴本亮;肖剑峰 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2022-06-08 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H02H5/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于RS锁存器的过温保护电路及芯片，其中过温保护电路包括：参考电压产生网络，用于产生第一参考电压和第二参考电压；负温度系数比较电压产生电路，包括PTAT电流和BJT晶体管；第一比较器，第一比较器的正相输入端连接第一参考电压，反相输入端连接BJT晶体管的发射极；第二比较器，第二比较器的正相输入端连接BJT晶体管的发射极，反相输入端连接第二参考电压；RS锁存器，RS锁存器的第一输入端连接第一比较器的输出端，RS锁存器的第二输入端连接第二比较器的输出端。本发明利用RS锁存器的保持态来实现温度的回滞功能，保证了回滞温度的准确性，回滞温度的控制更加简单精确，可广泛应用于集成电路技术领域。
一种基于 rs 锁存器保护电路芯片

[发明专利]单极差分逻辑静态随机存取存储单元及随机存取存储器-CN202111066826.4有效
发明人： 陈荣盛;陈德润;徐煜明;刘坤荣 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2021-09-13 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： G11C11/412 文献下载
摘要：本发明公开了一种单极差分逻辑静态随机存取存储单元及随机存取存储器，其中随机存取存储单元包括：单极差分逻辑反相器，包括主电路和辅助上拉通路，所述主电路中采用交叉耦合的下拉管形成正反馈结构，以减少静态功耗；门控管模块，包括写开关和读开关，当写开关导通时，所述单极差分逻辑静态随机存取存储单元写入并存储数据；当读开关导通时，读出所述单极差分逻辑静态随机存取存储单元存储的数据。本发明的单极差分逻辑静态随机存取存储单元的下拉管采用交叉耦合的连接方式，形成正反馈结构，使得稳定状态下电源到地总存在关闭的TFT，从而消除了静态直流通路，降低了静态功耗，以及提高输出电压摆幅。本发明可广泛应用于静态随机存取存储器。
极差逻辑静态随机存取存储单元随机存取存储器

[发明专利]一种基于导电凝胶的GaN基HEMT传感器及其制备方法-CN202010547831.6有效
发明人：杨紫琪;卢星;陈荣盛 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2020-06-16 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于导电凝胶的GaN基HEMT传感器及其制备方法。本发明的GaN基HEMT传感器包括由下而上依次设置的衬底、AlN成核层、AlGaN渐变层或AlN/GaN超晶格缓冲层、GaN:C高阻层、GaN沟道层、AlN隔离层、非掺杂Al0.24Ga0.76N势垒层和帽层，还包括设置在帽层上的源极、栅极和漏极；所述栅极由导电凝胶制成。本发明的GaN基HEMT传感器中的栅极由导电凝胶制成，和传统的GaN基HEMT传感器相比，灵敏度更高、成本更低、制备工艺更加简单，可以极大地扩展HEMT传感器的应用领域。
一种基于导电凝胶 gan hemt 传感器及其制备方法

[发明专利]基于单极性晶体管的压控振荡器及模数转换器-CN202111003878.7在审
发明人：徐煜明;陈荣盛;吴朝晖;李斌 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H03K3/03 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于单极性晶体管的压控振荡器及模数转换器，其中压控振荡器包括：环形振荡器；延时单元，包括第一晶体管、第二晶体管和第一电容；第一晶体管的漏极连接电源电压VDD，第一晶体管的源极与第二晶体管的漏极连接，第二晶体管的源极接地，第二晶体管的漏极通过第一电容接地；第二晶体管的漏极连接至环形振荡器的输入端，环形振荡器的输出端连接至第一晶体管的栅极，第二晶体管的栅极连接控制电压Vctrl；第一晶体管工作在饱和区，第二晶体管工作在深三极管区；延时单元的延时远大于环形振荡器的延时。本发明提出一种仅使用n管或p管来设计压控振荡器的方案，满足特殊工艺上的要求，可广泛应用于半导体集成电路领域。
基于极性晶体管压控振荡器转换器

[发明专利]一种基于单极型晶体管的放大器、芯片及方法-CN202011327294.0有效
发明人：徐煜明;陈荣盛;吴朝晖;李斌 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2020-11-24 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： H03F3/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于单极型晶体管的放大器、芯片及方法，其中放大器包括：输入交流耦合网络，包括第一零点fz0和第一极点fp0；电容自举放大电路，包括第二零点fz1、第二极点fp1和第三极点fp2；其中，所述第一零点fz0＝0，所述第一极点fp0等于所述第二极点fp1。本发明通过“零极点工程”，使输入交流耦合网络的第一极点和电容自举放大电路的第一极点重合，获得40dB/dec的直流抑制能力，增强了基于单极型晶体管的放大器的直流抑制能力，可广泛应用于半导体集成电路领域。
一种基于单极晶体管放大器芯片方法

[发明专利]钝化层及其制备方法、柔性薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板-CN202011596763.9有效
发明人： 陈荣盛;严乐龙;钟伟 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： H01L21/47 文献下载
摘要：本发明公开了一种钝化层及其制备方法、柔性薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板。本发明的钝化层为熔点低于100℃的疏水性物质所形成的自组装单层膜。本发明的柔性薄膜晶体管包括柔性衬底、栅电极、栅介质层、有源层、源‑漏电极层和本发明的钝化层。本发明采用熔点低于100℃的疏水性物质进行自组装形成单层膜作为柔性薄膜晶体管的钝化层，自组装过程中处理温度低，形成的钝化层致密度高，避免了柔性薄膜晶体管的背沟道与大气中水和氧气直接接触，柔性薄膜晶体管的电学性能和稳定性均显著提升。
钝化及其制备方法柔性薄膜晶体管阵列

[发明专利]一种金属氧化物氮掺杂方法及金属氧化物薄膜晶体管-CN202110696226.X在审
发明人： 陈荣盛;陈雅怡;钟伟;吴朝晖;李斌 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2021-06-23 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属氧化物氮掺杂方法及金属氧化物薄膜晶体管，其中方法包括：在衬底上沉积一层预设厚度的金属氧化物薄膜；将获得的金属氧化物薄膜置于蒸发容器中，封闭所述蒸发容器，其中所述蒸发容器内还设有第一容器，所述第一容器内装有含氮元素有机物，所述属氧化物薄膜不与含氮元素有机物接触；将所述蒸发容器放入真空恒温环境中进行分子自组装，以在金属氧化物薄膜表面形成含氮的自组装分子层作为钝化层。本发明采用含氮的自组装分子层作为钝化层，提高ITZO TFT的稳定性；同时，含氮的钝化层通过背沟道对本方法制备的金属氧化物薄膜晶体管进行氮掺杂，优化器件在大气环境中的稳定性，可广泛应用于半导体技术。
一种金属氧化物掺杂方法薄膜晶体管

[发明专利]抗紫外复合钝化层、金属氧化物薄膜晶体管和阵列基板-CN202110440112.9在审
发明人： 陈荣盛;林德朗;钟伟 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2021-04-23 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：本发明公开了一种抗紫外复合钝化层、金属氧化物薄膜晶体管和阵列基板。本发明的抗紫外复合钝化层的组成包括层叠贴合的疏水阻挡层和光稳定层，疏水阻挡层由疏水性物质构成，光稳定层的组成包括光稳定剂和基体树脂。本发明的金属氧化物薄膜晶体管的组成包括玻璃衬底、栅电极、栅介质层、有源层、源‑漏电极层和本发明的抗紫外复合钝化层。本发明将疏水阻挡层和光稳定层复合作为钝化层，不仅可以阻隔环境中的紫外光对有源层的直接照射，减少光生载流子的生成，而且还能隔绝氧气和水蒸气等空气中的敏感因素与金属氧化物薄膜晶体管的有源层的直接接触，提高了金属氧化物薄膜晶体管的光学和电学稳定性，且不会对有源层造成化学诱导损坏。
紫外复合钝化金属氧化物薄膜晶体管阵列

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