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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种半导体器件及其制备方法-CN202110859760.8有效
发明人：请求不公布姓名 -专利权人： 清纯半导体（宁波）有限公司
申请日： 2021-07-28 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括：位于半导体衬底层上的漂移层，栅引出线路区和过渡区的交界处附近的部分漂移层为间隔区；位于栅引出线路区和过渡区的漂移层中的顶部区域的第一阱区，且所述第一阱区位于所述间隔区的侧部；绝缘层，绝缘层包括：第一绝缘层，位于栅引出线路区的漂移层表面；第二绝缘层，位于过渡区的漂移层表面，第二绝缘层的厚度小于所述第一绝缘层的厚度；位于第一绝缘层上的场板电极层，场板电极层还延伸至部分第二绝缘层的表面；引流导电结构，贯穿间隔区上方的绝缘层和场板电极层，引流导电结构还延伸至间隔区周围的部分第一阱区上。半导体器件能避免在过渡区击穿。
一种半导体器件及其制备方法

[发明专利]一种功率半导体器件及其制备方法-CN202310639333.8在审
发明人：史文华 -专利权人： 清纯半导体（宁波）有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种功率半导体器件及其制备方法，功率半导体器件包括：位于漂移层背离半导体衬底层一侧表面的第一横向电流扩展层，第一横向电流扩展层的导电类型与漂移层的导电类型相同，第一横向电流扩展层的掺杂浓度大于漂移层的掺杂浓度；位于第一横向电流扩展层背离漂移层一侧表面的器件层；器件层包括：若干横向间隔设置的有源掺杂区；位于有源掺杂区和部分第一横向电流扩展层之间的第二横向电流扩展层，第二横向电流扩展层未延伸至相邻有源掺杂区之间区域的下方，第二横向电流扩展层的导电类型与第一横向电流扩展层的导电类型相同，第二横向电流扩展层的掺杂浓度大于漂移层的掺杂浓度。所述功率半导体器件兼顾比导通电阻低和可靠性高。
一种功率半导体器件及其制备方法

[发明专利]一种MOSFET器件及其制备工艺-CN202010252825.8有效
发明人：请求不公布姓名 -专利权人： 清纯半导体（宁波）有限公司
申请日： 2020-04-01 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供的MOSFET器件及其制备方法，漂移层上设置有若干阱区，相邻所述阱区之间设置有JFET区，其中所述阱区的深度L1为所述沟道区的深度L2的至少3倍；通过增大阱区深度以与JFET区形成超级结结构，显著降低了JFET区电阻和漂移区电阻，改善了器件的电阻温度系数，从而减小了器件芯片面积；同时，更深的阱区有利于减小表面电场，从而对栅氧层提供了更强的保护，改善了器件的特性和可靠性。
一种 mosfet 器件及其制备工艺

[发明专利]半导体器件、用于半导体器件的超级结结构及其制造方法-CN202010032137.0有效
发明人：请求不公布姓名 -专利权人： 清纯半导体（宁波）有限公司
申请日： 2020-01-13 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件、用于半导体器件的超级结结构及其制造方法，该用于半导体器件的超级结结构包括：在第二方向多个交替设置的第一导电类型柱和第二导电类型柱；其中第一导电类型柱和第二导电类型柱沿第一方向延伸，第一导电类型柱和与之相邻的一个第二导电类型柱接触，第一导电类型柱和/或第二导电类型柱内的掺杂浓度不同。该超级结通过分别形成第一导电类型柱和第二导电类型柱的方法形成，可以分别对第一导电类型柱和第二导电类型柱进行掺杂浓度的控制，保证第一导电类型柱和第二导电类型柱之间电荷平衡且第一导电类型柱和/或第二导电类型柱内的掺杂浓度不同，可以提高超级结器件的击穿电压和雪崩能量。
半导体器件用于超级结构及其制造方法

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN202010035212.9有效
发明人：请求不公布姓名 -专利权人： 清纯半导体（宁波）有限公司
申请日： 2020-01-13 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：第一导电类型半导体层；若干第一半导体区域，第一半导体区域是第二导电类型，设置在第一导电类型半导体层内，若干第一半导体区域在第一方向上延伸；若干第二半导体区域，第二半导体区域是第二导电类型，在第二方向延伸，设置在第一导电类型半导体层内且位于相邻的两个第一半导体区域之间，与相邻的两个第一半导体区域接触。本发明实施例提供的半导体器件，结场效应区和第二半导体区域的宽度可以调节，可以通过减小结场效应区的宽度来减小半导体器件的晶胞尺寸。
一种半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种半导体MOSFET器件及其制备方法-CN202211231392.3在审
发明人：史文华;温家平;黄昊怡 -专利权人： 清纯半导体（宁波）有限公司
申请日： 2022-10-09 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体MOSFET器件及其制备方法，器件包括：漂移层，漂移层的顶部区域包括沿第一方向排布的若干间隔的第一漂移区和沿第二方向排布的若干间隔的第二漂移区；阱区，阱区位于第一漂移区和第二漂移区的侧部周围；阱区包括特征交叉阱区；源极注入区，位于第一漂移区沿第二方向两侧以及第二漂移区沿第一方向两侧的阱区中以及特征交叉阱区中，特征交叉阱区中的源极注入区为特征交叉源区；第一沟道区，位于源极注入区和第一漂移区之间且环绕所述第一漂移区的侧壁；第二沟道区，位于源极注入区和第二漂移区之间且环绕所述第二漂移区的侧壁。所述半导体MOSFET器件兼顾降低正向导通电阻和抑制表面电场。
一种半导体 mosfet 器件及其制备方法

[发明专利]一种半导体器件及其制备方法-CN202211352950.1在审
发明人：史文华;温家平;黄昊怡 -专利权人： 清纯半导体（宁波）有限公司
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种半导体器件及其制备方法，其中，半导体器件包括：衬底层；位于所述衬底层上的外延层，所述外延层包括有源区和包围所述有源区的终端区；位于所述外延层的终端区中的若干个间隔设置的场限环；位于所述终端区中的若干相互间隔的结终端扩展区，所述结终端扩展区的深度小于所述场限环的深度，至少部分结终端扩展区位于所述场限环之间；相邻的结终端扩展区之间的外延层构成电流截止区，所述电流截止区的导电类型与所述场限环和结终端扩展区的导电类型均相反。所述半导体器件的可靠性和稳定性高。
一种半导体器件及其制备方法

[发明专利]沟槽型MOSFET器件及其制备方法-CN202010055747.2有效
发明人：不公告发明人 -专利权人： 清纯半导体（宁波）有限公司
申请日： 2020-01-17 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种沟槽型MOSFET器件及其制备方法。沟槽型MOSFET器件，通过在所述沟槽内且位于所述绝缘层上设置金属连接部，并且金属连接部贯穿槽底的绝缘层、栅极和栅氧化层，可以通过金属连接部直接将电场保护部与源极连接，也即通过互连金属的方式将电场保护部与源极连接，这样设置可大大降低连接路径，降低电阻，最终提高器件的开关响应。
沟槽 mosfet 器件及其制备方法

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