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[发明专利]发光元件-CN202310194661.1在审
发明人： 崔炳均;许宗茂;金炳容 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2023-03-01 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：公开了一种发光元件，所述发光元件包括：n型半导体；p型半导体；以及活性层，在n型半导体与p型半导体之间，穿透位错形成在n型半导体中，并且开口基于穿透位错形成在n型半导体的表面上。
发光元件

[发明专利]显示装置和拼接显示装置-CN202310042116.0在审
发明人：崔洛初;崔炳均;李裁必;朴鲜;申旼澈;安相禹 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2023-01-12 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本公开涉及显示装置和拼接显示装置。显示装置包括：衬底；多个电极焊盘，包括在衬底上的第一电极焊盘和公共电极焊盘；发光元件，包括在第一电极焊盘上的第一接触电极和在公共电极焊盘上的第二接触电极；导电粘合构件，包括连接第一电极焊盘和第一接触电极并连接公共电极焊盘和第二接触电极的多个导电球；以及多个突出部，在衬底上并且在衬底的厚度方向上突出。多个突出部中的第一突出部在衬底的厚度方向上与电极焊盘重叠。
显示装置拼接

[发明专利]显示装置及包括该显示装置的瓦片形显示装置-CN202310077817.8在审
发明人： 崔炳均;金炳容;李裁必 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2023-01-16 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：提供一种显示装置及包括该显示装置的瓦片形显示装置。显示装置包括：晶体管阵列层，布置在基板的第一面上；以及多个发光元件，布置在所述晶体管阵列层上的显示区域中。所述晶体管阵列层包括：多个像素驱动部和两个以上的栅极驱动部，布置在利用所述显示区域的一部分构成的电路区域中；第一栅极电压供应布线，布置在所述显示区域中的所述电路区域的周围；以及两条以上的第一栅极电压辅助布线，分别连接在所述两个以上的栅极驱动部与所述第一栅极电压供应布线之间。而且，所述两条以上的第一栅极电压辅助布线中的每一条的一端相比于所述第一栅极电压供应布线而更远离所述基板与所述第一栅极电压供应布线邻近的边缘。
显示装置包括瓦片

[发明专利]半导体元件-CN201780069747.4有效
发明人：成俊锡;崔炳均;玄九 -专利权人：苏州立琻半导体有限公司
申请日： 2017-11-10 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：实施例提供了一种半导体元件，包括：多个半导体结构，每个半导体结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、设置在第一导电半导体层和第二导电半导体层之间的有源层、以及延伸穿过第二导电半导体层和有源层并到第一导电半导体层的部分区域的第一凹口；第二凹口，设置在多个半导体结构之间；第一电极，设置在第一凹口处并电连接到第一导电半导体层；反射层，设置在第二导电半导体层下方；和突出部分，设置在第二凹口上并且比半导体结构的上表面突出得更高，其中在第一凹口中第一电极与第一导电半导体层进行接触的表面到半导体结构的上表面的距离为300nm至500nm。
半导体元件

[实用新型]显示装置和拼接显示装置-CN202320134433.0有效
发明人：崔洛初;崔炳均;李裁必;朴鲜;申旼澈;安相禹 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2023-01-12 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本公开涉及显示装置和拼接显示装置。显示装置包括：衬底；多个电极焊盘，包括在衬底上的第一电极焊盘和公共电极焊盘；发光元件，包括在第一电极焊盘上的第一接触电极和在公共电极焊盘上的第二接触电极；导电粘合构件，包括连接第一电极焊盘和第一接触电极并连接公共电极焊盘和第二接触电极的多个导电球；以及多个突出部，在衬底上并且在衬底的厚度方向上突出。多个突出部中的第一突出部在衬底的厚度方向上与电极焊盘重叠。
显示装置拼接

[发明专利]用于半导体封装的树脂组合物和包含其的覆铜树脂-CN202180053294.2在审
发明人： 崔炳均;黄玟泳;金武成;李镇硕 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2021-08-17 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： C08K3/22 文献下载
摘要：根据一个实施例的用于半导体封装的树脂组合物是树脂和设置在树脂中的填料的复合材料，其中，该填料包括在表面上设置的至少一个凹部，其中，该填料具有该树脂组合物的总体积的10体积％至40体积％的范围的含量，并且孔隙率对应于填料总体积中被凹部占据的体积，并具有20％至35％的范围。
用于半导体封装树脂组合包含

[发明专利]电路板-CN202180014139.X在审
发明人：黄玟泳;任贤九;崔炳均 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2021-01-13 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H05K1/11 文献下载
摘要：根据实施例的电路板包括：通路部，通路部设置在形成于绝缘层中的通路孔中，其中，通路部包括：第一焊盘，第一焊盘设置在绝缘层的下表面上；第二焊盘，第二焊盘设置在绝缘层的上表面上；第三焊盘，第三焊盘设置在通路孔中并且设置在第一焊盘上，以及连接部，连接部设置在通路孔中并设置在第二焊盘与第三焊盘之间。
电路板

[发明专利]电路板-CN202080014762.0在审
发明人： 崔炳均;黄玟泳;任贤九 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2020-02-13 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H05K1/03 文献下载
摘要：根据实施例的电路板包括：第一绝缘层；第二绝缘层，设置在第一绝缘层的一个表面上；以及第三绝缘层，设置在第一绝缘层的另一表面上。电路图案设置在第一绝缘层至第三绝缘层中的至少一个绝缘层上，第一绝缘层至第三绝缘层中的至少一个绝缘层包括玻璃纤维，第一绝缘层至第三绝缘层中的至少一个绝缘层不包括玻璃纤维，第一绝缘层至第三绝缘层的厚度彼此不同。
电路板

[发明专利]电路板-CN202080014093.7在审
发明人：黄玟泳;金武成;崔炳均 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2020-02-10 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：根据一个实施例的电路板包括第一绝缘层、第一绝缘层上的电路图案和电路图案上的第二绝缘层，其中传热构件设置在第一绝缘层和/或第二绝缘层内，并且传热构件设置为与绝缘层的侧表面接触。
电路板

[发明专利]印刷电路板-CN201980083094.4在审
发明人：金勇锡;任贤九;崔炳均 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2019-12-12 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：根据实施例的印刷电路板包括：绝缘层；以及设置在绝缘层上的电路图案，其中，电路图案包括上表面、下表面、第一侧表面和第二侧表面，并且电路图案的上表面、下表面、第一侧表面和第二侧表面中的至少三个表面的表面粗糙度(Ra)为0.1μm至0.31μm。
印刷电路板

[发明专利]发光元件及用于制造该发光元件的电子束沉积装置-CN201580074190.4有效
发明人：孙秀亨;李建和;崔炳均;崔光基 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2015-12-30 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：一种实施例的发光元件可以包括：发光结构，包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层；以及第一电极和第二电极，被分别置于第一导电型半导体层和第二导电型半导体层上，其中，发光结构包括第一台面区域，第一导电型半导体层包括第二台面区域，以及第一电极包括：第一区域，其是第二台面区域上表面的部分区域；第二区域，其是第二台面区域的侧表面；以及第三区域，布置成从第二台面区域侧表面的边缘开始延伸，其中，第一、第二和第三区域被形成为使得第一区域的厚度(d1)、第二区域的厚度(d2)和第三区域的厚度(d3)的比例为d1：d2：d3＝1:0.9至1.1:1。
发光元件用于制造电子束沉积装置

[发明专利]发光二极管和包括发光二极管的发光二极管阵列-CN201580071060.5有效
发明人：李建和;崔炳均 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2015-12-24 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：在一个实施例中提供了一种发光二极管，包括：发光结构，该发光结构包括第一导电半导体层、位于第一导电半导体层顶部的有源层、以及位于有源层顶部的第二导电半导体层；第一电极，布置在第一导电半导体层的一部分上；绝缘层，布置在第一电极、第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层的一部分上，并且具有DBR结构；以及第二电极，布置在第二导电半导体层上，其中第一电极经由第一表面与绝缘层接触，并且经由与第一表面相对的第二表面暴露于绝缘层。
发光二极管包括阵列

[发明专利]半导体发光器件及制造该半导体发光器件的方法-CN201110454286.7有效
发明人：郑太逸;金英采;金善万;韩睿志;朴清勋;崔炳均;姜世恩 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2011-12-30 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： H01L33/42 文献下载
摘要：半导体发光器件及制造该半导体发光器件的方法。一种半导体发光器件，该半导体发光器件包括使用导电薄膜和绝缘薄膜形成的光透射电极层，以代替透明电极层，所述半导体发光器件包括：基板；第一半导体层，该第一半导体层形成在所述基板上；有源层，该有源层形成在所述第一半导体层上；第二半导体层，该第二半导体层形成在所述有源层上；光透射电极层，该光透射电极层形成在所述第二半导体层上，所述光透射电极层具有沉积有至少一个导电薄膜和至少一个绝缘薄膜的结构；以及第一电极，该第一电极形成在所述光透射电极层上，其中所述光透射电极层包括至少一个接触部分，以使所述至少一个导电薄膜与所述第一电极接触。
半导体发光器件制造方法

[发明专利]发光器件、发光器件封装以及照明系统-CN201110051553.6有效
发明人：金省均;林祐湜;秋圣镐;崔炳均 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2011-03-01 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明提供一种发光器件、发光器件封装以及照明系统。该发光器件包括：发光结构层，该发光结构层包括第一导电类型半导体层、有源层以及第二导电类型半导体层；第一电极部分，该第一电极部分连接到第一导电类型半导体层；在第二导电类型半导体层上的电流扩展层；在第一电极部分上的绝缘层；以及第二电极部分，该第二电极部分包括在绝缘层上的至少一个桥接部分和接触第二导电类型半导体层和电流扩展层中的至少一个的第一接触部分。
发光器件封装以及照明系统

[发明专利]氮化物半导体发光器件及其制造方法-CN201010599656.1有效
发明人： 崔炳均;李在拫 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2010-12-13 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种临界角增大的氮化物半导体发光器件及其制造方法。通过将基板的角部变圆来增大临界角，使得由于从基板内部产生并提取到外部的光的量增加而提高光提取效率。所述氮化物半导体发光器件包括：形成在基板上的缓冲层；形成在缓冲层上的包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层的发光结构；形成在第一导电半导体层上的第一电极；和形成在第二导电半导体层上的第二电极；其中所述基板具有透光性，并且所述基板的各个角部被变圆以具有预定曲率。
氮化物半导体发光器件及其制造方法

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