专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种制冷红外探测器及其铟柱制备方法-CN202311038571.X在审
  • 李伟伟;龚汉红;段鹏;谭必松;杜宇;毛剑宏 - 浙江珏芯微电子有限公司
  • 2023-08-16 - 2023-10-20 - H01L27/146
  • 本发明公开了一种制冷红外探测器及其铟柱制备方法,属于半导体制造技术领域,该制冷红外探测器的铟柱制备方法,包括提供一待互连的第一芯片,第一芯片为制冷红外探测器的器件芯片或制冷红外探测器的读出电路芯片;在第一芯片上淀积介质材料,用以形成第一铟柱,第一铟柱包括:第一柱段,第一柱段具有预设高度,第一柱段的底部连接于第一芯片表面上;第二柱段,第二柱段的底部与第一柱段的顶部相连,第一柱段和第二柱段均为顶部横截面积小于底部横截面积的圆台状结构,第二柱段的底部横截面积不大于第一柱段的顶部横截面积。通过第一铟柱上的第一柱段和第二柱段,避免因对准误差带来的侧滑,也很好地控制了碲镉汞芯片与硅电路芯片之间的间距。
  • 一种制冷红外探测器及其制备方法
  • [发明专利]一种新型红外探测器杜瓦-CN202310897114.X有效
  • 吴建乐;熊雄;周勇强;毛剑宏 - 浙江珏芯微电子有限公司
  • 2023-07-21 - 2023-10-20 - G01J5/04
  • 本发明公开了一种新型红外探测器杜瓦,包括:外壳部件,外壳部件包括依次连接的下金属壳体、绝缘壳体、以及上金属壳体,其中,绝缘壳体内具有用于容纳吸气剂的容置空间;其中,下金属壳体和上金属壳体均具有用于与吸气剂的电极丝相连接的吸气剂安装部。本发明的外壳部件能取代传统绝缘子、外壳件等零件,在吸气剂焊接过程中不需要进行传统绝缘子焊接,减少了外壳部件所需要的零件数量以及焊缝数量。从而达到了节约工时同时提高效率、简化工艺步骤以及降低工艺难度的目的。同时,焊缝数量的减少也降低了由焊缝不良造成的泄漏风险。
  • 一种新型红外探测器
  • [实用新型]一种无位置传感器的直流无刷电机驱动的斯特林制冷机-CN202320501148.8有效
  • 叶邦伟;余波 - 浙江珏芯微电子有限公司
  • 2023-03-15 - 2023-10-20 - H02K5/04
  • 本实用新型公开一种无位置传感器的直流无刷电机驱动的斯特林制冷机,包括:电机,电机包括:电机外壳和压盖,压盖通过压环安装于电机外壳的一端上,电机外壳的侧壁上具有电机线出线口;偏心转轴,偏心转轴设于电机外壳内,偏心转轴的一端与压盖转动配合,偏心转轴的另一端伸出电机外壳的另一端;电机转子,电机转子安装于偏心转轴上;电机定子,电机定子粘接于电机外壳的内壁上,电机定子位于电机转子的外侧,电机定子与电机外壳的一端之间形成有间隙,间隙的距离不大于电机线出线口的宽度。本实用新型减小电机定子与电机外壳之间的间隙,给制冷机设计让出空间,在不影响制冷机性能的同时缩小整体的制冷机体积。
  • 一种位置传感器直流电机驱动斯特林制冷机
  • [实用新型]一种红外探测器-CN202321263916.7有效
  • 毛剑宏;杨天伦 - 浙江珏芯微电子有限公司
  • 2023-05-24 - 2023-10-13 - G01V8/10
  • 本实用新型公开了一种红外探测器,包括底座,底座的内部通过螺纹连接有螺钉,底座的下端面紧贴有底板,底板的下端内部紧固粘黏有磁块,磁块的下端面紧固吸附有磁片,磁片的下端面紧固粘黏有支撑板,支撑板的下端面紧贴有外壳,该红外探测器,通过转动扭紧螺钉,方便安装固定底板位置,以便磁块紧固吸附磁片,方便快速拆装支撑板和外壳进行维修更换,底板和磁块的设计可以适用于吸附其他带有磁片或铁片的吸顶灯或者摄像头等装置快速安装,从而扩大了使用范围;通过转动拆除外壳,可以对线路板内部安装的电气元件进行维修,提高外壳拆装效率,探头的设计可以扩大传感器辐射范围,从而提高使用价值。
  • 一种红外探测器
  • [发明专利]一种碲锌镉单晶的生长用坩埚及生长方法-CN202310778097.8有效
  • 李贞;陆宏煜;彭成盼 - 浙江珏芯微电子有限公司
  • 2023-06-29 - 2023-09-29 - C30B29/48
  • 本发明涉及一种用于碲锌镉单晶生长的坩埚,包括:一级坩埚、以及二级坩埚;其中,一级坩埚具有容置空间;容置空间内设有二级坩埚、以及与二级坩埚连通的镉源;二级坩埚包括:第一内径部、以及第二内径部;第一内径部的内径大于第二内径部的内径,第一内径部与第二内径部之间形成有减径部。本发明的坩埚对镉源提供第一温度,使得气化的镉源能够平衡第二温度下碲锌镉多晶中镉的气化,从而维持正化学配比,实现无夹杂物单晶的生长;碲锌镉籽晶设置于二级坩埚的顶部,能够实现自上而下的定向单晶生长,又由于熔融状态下碲锌镉的密度小于碲锌镉固体的密度,因而单晶生长时,晶体与坩埚内壁相分离,以避免在坩埚的侧壁上形核,实现大单晶生长。
  • 一种碲锌镉单晶生长坩埚方法
  • [发明专利]一种准闭管泡生法坩埚及其使用方法-CN202310812387.X在审
  • 陆宏煜;李贞;彭成盼 - 浙江珏芯微电子有限公司
  • 2023-07-04 - 2023-09-22 - C30B17/00
  • 本发明公开了一种准闭管泡生法坩埚及其使用方法,包括:籽晶杆,籽晶杆的下端具有用于夹持籽晶的夹持部,籽晶杆的侧面沿其周向向外延伸形成液封槽;套筒,套筒套设于籽晶杆外,套筒的一端可操作地设置于液封槽内,套筒的内表面与籽晶杆的外表面之间具有第一间隙,第一间隙与液封槽连通,套筒能够相对于籽晶杆沿轴向方向运动;坩埚装置,坩埚装置具备一可操作地密闭的容置空间,籽晶杆的下端、液封槽、以及套筒的下端可操作地设置于容置空间内。本发明的液封设计兼顾开管法和闭管法的优点,能同时满足籽晶提拉的传动需求和组分蒸气压的控制需求。
  • 一种准闭管泡生法坩埚及其使用方法
  • [发明专利]碲镉汞红外探测器的形成方法-CN202311007631.1在审
  • 陈世锐;龚汉红;丁俊毅;谭必松;毛剑宏 - 浙江珏芯微电子有限公司
  • 2023-08-10 - 2023-09-22 - H01L31/0216
  • 本发明提供了一种碲镉汞红外探测器的形成方法,包括:提供碲镉汞半导体基底;去除碲镉汞半导体基底表面自然氧化形成的氧化层;在碲镉汞半导体基底的表面形成光刻胶层;光刻光刻胶层,使得剩余的光刻胶层为多个大小和形状均相同的点阵形状;在光刻胶层未覆盖的碲镉汞半导体基底的表面和光刻胶层的表面均形成钝化层;去除光刻胶层以及光刻胶层的表面的钝化层,以在钝化层内形成开孔。本发明线通过图案化的光刻胶定义开孔的位置和形状,再在图案化的光刻胶层未覆盖的碲镉汞半导体基底的表面形成钝化层。在钝化层中形成了比较一致的多个开孔,没有腐蚀过多的钝化层,使得开孔之间的钝化层的横截面面积达标,减小了钝化层的表面出现漏电的几率。
  • 碲镉汞红外探测器形成方法
  • [发明专利]一种表征杜瓦真空性能的装置与方法-CN202311055566.X在审
  • 周小棚;熊雄;程明亮;李锐平;毛剑宏 - 浙江珏芯微电子有限公司
  • 2023-08-22 - 2023-09-19 - G01M3/00
  • 本发明公开了一种表征杜瓦真空性能的装置与方法,包括:测试容器,所述测试容器具有用于固定杜瓦的固定部,所述测试容器的内部具有用于容纳杜瓦的容置空间,其中,所述杜瓦的冷指基座的底部区域设于所述测试容器的外部;超疏水引流盖板,所述超疏水引流盖板包括与所述杜瓦的冷指基座的底部区域相贴合的第一区域、环绕于所述第一区域外的第二区域、以及环绕于所述第二区域外的第三区域;其中,所述第一区域和所述第二区域形成槽,所述第三区域相对于水平面倾斜设置。本发明采用超疏水盖板定向引流,减弱液珠凝结影响质量变化速率以及温度变化速率。
  • 一种表征真空性能装置方法
  • [发明专利]一种红外焦平面器件的不稳定像元测试方法-CN202310779472.0在审
  • 谭必松;邱伟强;陈天晴;杜宇;毛剑宏 - 浙江珏芯微电子有限公司
  • 2023-06-28 - 2023-09-15 - G01J5/90
  • 本发明公开了一种红外焦平面器件的不稳定像元测试方法,包括:得到面阵裸电路背景电压;得到面阵均压,得到面阵均压时间序列拟合曲线;得到面阵每个像元时间序列拟合曲线;计算得到每个像元电压拟合标准差;计算得到每个像元拟合差标准差;计算得到每个像元电流谱密度;由每个像元拟合标准差,判断单个像元的稳定性;由每个像元拟合差标准差,判断单个像元的稳定性;由每个像元电流谱密度,判断单个像元的稳定性,本发明从像元电压Ue时间序列的时域和频域出发,通过像元的时间序列,计算:拟合STD、拟合差STD、电流谱密度三类判据,从而准确的判断不稳定像元。
  • 一种红外平面器件不稳定测试方法
  • [发明专利]一种碲镉汞掺杂激活率评估方法-CN202310744040.6有效
  • 彭成盼;张国杰;王旭杰;周进;郑晶晶;杜宇;刘文龙 - 浙江珏芯微电子有限公司
  • 2023-06-25 - 2023-09-12 - G01N23/2258
  • 本发明公开了一种碲镉汞掺杂激活率评估方法,包括:步骤S1,对具有pn结外延层的碲镉汞材料层预处理,形成p型As掺杂的载流子外延层,且不存在n型层;步骤S2,对预处理后的材料层进行SIMS测试;步骤S3,对预处理后的材料层进行腐蚀剥层,去除部分外延层;步骤S4,对剥层后的材料层进行厚度测量;步骤S5,对剥层后的材料层进行霍尔测试;步骤S6,重复上述步骤S3至S5;步骤S7,结合霍尔测试的数据得到p型离子注入层载流子浓度,结合SIMS测试数据得到的As离子浓度,并计算出As离子激活率,优点在于只额外进行了一次较低温的热处理,工艺简单,成本低廉,准确高效。
  • 一种碲镉汞掺杂激活评估方法

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