“碲镉汞”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果31439个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种去除碲镉汞界面层的霍尔样品制备方法-CN201110355312.0有效
发明人：仇光寅;魏彦锋;陈倩男;孙权志;孙瑞赟 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2011-11-10 - 公布日： 2012-06-20 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种去除碲镉汞界面层的霍尔样品制备方法。其方法是：使用特定腐蚀剂，对碲镉汞外延层下方的碲锌镉衬底进行腐蚀，过程中不损伤碲镉汞外延层材料，然后对去除碲锌镉衬底的碲镉汞材料进行腐蚀，以消除可能的界面层。通过此样品后续的霍尔测试，可以正确标定碲镉汞外延材料的电学性质，排除碲镉汞界面层对碲镉汞外延材料电学性质的影响。本方法操作方便，仪器要求简单，能够有效的去除碲镉汞界面层。解决了长久以来，难以排除界面层对碲镉汞材料影响，正确标定碲镉汞电学参数的问题。这对研究碲镉汞外延材料特性有着重要意义。
一种去除碲镉汞界面霍尔样品制备方法

[发明专利]一种碲镉汞材料的钝化方法-CN201810884274.X在审
发明人：王经纬 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2018-08-06 - 公布日： 2018-12-14 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种碲镉汞材料的钝化方法，包括以下步骤：在分子束外延设备中得到碲镉汞材料之后，关闭除汞源以外的碲镉汞材料生长需要的源，升高碲镉汞材料的温度；当碲镉汞材料升高至碲化镉的单晶生长温度之后，打开碲化镉源，关闭汞源，在碲镉汞材料上生长碲化镉钝化膜层。本发明在碲镉汞生长完成后直接在生长碲镉汞的分子束外延设备中进行钝化，避免了由于材料表面沾污引起的表面漏电，进而提升了探测器的性能，同时，本方法获得的碲化镉钝化膜层为质量更好的单晶材料，可以与碲镉汞吸收层形成更好的互扩散层
碲镉汞材料碲化镉碲镉汞钝化分子束外延设备生长漏电钝化膜层升高红外探测器单晶材料单晶生长扩散层吸收层探测器除汞汞源减小沾污

[发明专利]一种碲镉汞掺金母液的制备方法-CN201810965908.4在审
发明人：胡尚正;刘铭;吴卿;徐强强;折伟林;杨海燕;周立庆 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2018-08-23 - 公布日： 2018-12-28 - 主分类号： C30B29/48 文献下载
摘要：本发明提供了一种碲镉汞掺金母液的制备方法，包括：将碲化金加入碲镉汞混合物中，其中碲镉汞混合物按照碲镉汞母液中碲、镉、汞的比例进行配比得到；将加入碲化金的碲镉汞混合物在真空环境中加热到第一预设温度进行均匀化处理，得到碲镉汞掺金混合液体；将碲镉汞掺金混合液体进行冷却，得到碲镉汞掺金母液。本发明的技术方案可以解决母液在制备过程中Au含量低很难精确量及母液均匀化的问题，避免制备过程中母液氧化的问题，从而较好的解决原位掺杂碲镉汞外延膜浓度可控以及均匀性问题。
碲镉汞母液掺金混合物混合液体制备过程碲化制备均匀化处理均匀性问题碲镉汞外延原位掺杂真空环境均匀化可控配比预设加热冷却

[发明专利]一种对碲镉汞芯片进行霍尔测试的方法-CN202210855009.5在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：北京智创芯源科技有限公司
申请日： 2022-07-19 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本申请公开了一种对碲镉汞芯片进行霍尔测试的方法，涉及碲镉汞芯片霍尔测试领域，包括：获得预处理碲镉汞芯片；预处理碲镉汞芯片的碲镉汞膜层需要电学引出的区域未覆盖钝化层，碲镉汞膜层除需要电学引出的区域外覆盖有钝化层；在碲镉汞膜层需要电学引出的区域生长金属电极；金属电极与碲镉汞膜层形成欧姆接触；将探针与金属电极连接，并对碲镉汞膜层进行霍尔测试。本申请中在碲镉汞膜层上需要电学引出的区域生长金属电极，然后将探针与金属电极连接进行测试即可。生长金属电极的过程操作很简单，无需在需要电学引出的区域焊接导线，避免使用焊油和铟球，从而避免对碲镉汞芯片表面造成污染，同时避免铟对碲镉汞芯片性能造成的不良影响。
一种碲镉汞芯片进行霍尔测试方法

[发明专利]一种碲镉汞外延材料的P型热处理方法-CN202211512462.2在审
发明人：黄晟;黄立;杨朝臣;张冰洁;刘永锋;周文洪 -专利权人：武汉高芯科技有限公司
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明属于一种半导体材料加工制备的技术领域，具体为一种碲镉汞外延材料的P型热处理方法。本发明在碲镉汞外延材料P型热处理的过程中同时提供碲蒸气、镉蒸气和汞蒸气，克服了现有技术碲镉汞外延材料P型热处理过程中不进行镉气氛保护导致的碲镉汞外延材料内外组分不均匀的技术缺陷，解决了传统碲镉汞外延材料热处理方式造成的碲镉汞材料表面原子层组分低的问题，在调整碲镉汞P型材料电学参数的同时，也能对碲镉汞材料表面提供碲蒸气和镉气氛保护。碲镉汞P型材料在液氮温度下的载流子浓度能得到有效地控制，可提高碲镉汞光伏器件的性能和制备良率，有利于降低生产成本，实现工业化批量生产。
一种碲镉汞外延材料热处理方法

[发明专利]一种金掺杂液相外延碲镉汞材料电学性能稳定性控制方法-CN202011156074.6有效
发明人：孔金丞;宋林伟;吴军;李东升;黄元晋;王文金;王志斌;陈姗;黄蓓;陶丽明;姬荣斌 -专利权人：昆明物理研究所
申请日： 2020-10-26 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种金掺杂碲镉汞外延材料电学性能稳定性控制方法。本发明针对金掺杂液相外延碲镉汞材料热处理时金掺杂原子向碲锌镉晶体中扩散导致金掺杂碲镉汞外延材料电学参数不受控的问题，其方法包括：在金掺杂碲镉汞材料液相外延生长前，对碲锌镉衬底进行镉饱和退火，消除碲锌镉衬底中的镉空位，控制碲镉汞热处理时金掺杂原子向碲锌镉衬底中的扩散富集。本方法达到了消除碲锌镉晶体中的镉空位的效果，从而控制金掺杂碲镉汞薄膜热处理时金掺杂原子向碲锌镉晶体的扩散，提高了液相外延金掺杂碲镉汞薄膜电学性能稳定性及重复性控制。
一种掺杂外延碲镉汞材料电学性能稳定性控制方法

[发明专利]一种弱P型碲镉汞材料的退火方法-CN202210123432.6有效
发明人：魏彦锋;孙权志;李珣;林春;丁瑞军;何力 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2022-02-10 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种弱P型碲镉汞外延材料的退火方法。采用双温区退火装置，汞源和碲镉汞材料封装在石英管中，使汞源和碲镉汞样品分别处在双温区退火炉的低温段和高温段，根据所要求的碲镉汞空穴载流子的浓度，分别设置汞源和碲镉汞材料的退火温度，在退火结束后的冷却阶段分别设置汞源和碲镉汞材料的降温速率，使得在整个退火过程中汞蒸气的压力满足碲镉汞材料中汞空位浓度稳定性的要求，从而提高碲镉汞外延材料电学参数的稳定性和退火工艺的重复性。
一种型碲镉汞材料退火方法

[发明专利]碲镉汞红外焦平面器件及其制备方法-CN201910763541.2有效
发明人：陈慧卿;胡尚正;吴卿;王成刚;孙浩 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2019-08-19 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲镉汞红外焦平面器件及其制备方法，所述方法包括：将砷离子从掺铟碲镉汞外延层的部分待处理表面注入掺铟碲镉汞外延层内；将注有砷离子的掺铟碲镉汞外延层放入充有气态汞的加热管内，并对加热管抽真空、加热；在加热后的掺铟碲镉汞外延层的待处理表面依次镀碲化镉膜和第一硫化锌膜；将镀有碲化镉膜和第一硫化锌膜的掺铟碲镉汞外延层放入充有气态汞的加热管内，并对加热管抽真空、加热；去除第一硫化锌膜，在碲化镉膜远离掺铟碲镉汞外延层的表面镀第二硫化锌膜采用本发明，可以降低碲镉汞红外焦平面器件的暗电流和串联电阻，提高碲镉汞红外焦平面器件的零偏阻抗值，实现碲镉汞红外焦平面器件的低成本、小尺寸、高性能。
碲镉汞红外平面器件及其制备方法

[发明专利]一种碲镉汞母液制备方法-CN202310873282.5在审
发明人：彭成盼;张国杰;王向斌;魏召;张宁锋 -专利权人：浙江珏芯微电子有限公司
申请日： 2023-07-14 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C30B19/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲镉汞母液制备方法，包括：通过高温合成，制备具有高铟掺杂浓度的碲镉汞母液；在碲锌镉衬底上采用液相外延技术制备掺铟的碲镉汞薄膜材料；对所述掺铟的碲镉汞薄膜材料进行n型热处理之后，测定铟的掺杂浓度；将具有高铟掺杂浓度的碲镉汞母液加入至未掺杂铟的碲镉汞母液中，通过均匀化工艺，获得具有指定铟掺杂浓度的碲镉汞母液。
一种碲镉汞母液制备方法

[发明专利]一种硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料及其制备方法-CN201610896191.3在审
发明人：王经纬;高达;王丛;刘铭;强宇;周立庆 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2016-10-14 - 公布日： 2017-02-08 - 主分类号： H01L31/0296 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料及其制备方法。本发明的硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料，包括硅基复合衬底，以及在所述硅基复合衬底上由下到上依次排列的碲镉汞短波吸收层、碲镉汞阻挡层和碲镉汞中波吸收层，所述碲镉汞短波吸收层为Hg1‑xCdxTe，其中x＝0.4～0.41；所述碲镉汞阻挡层为Hg1‑xCdxTe，其中x＝0.5～0.55；所述碲镉汞中波吸收层为Hg1‑xCdxTe，其中x＝0.3～0.31。借助于本发明的技术方案，得到了一种硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料，填补了现有技术中没有硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料的空白。
一种硅基短中波叠层双色碲镉汞材料及其制备方法

[实用新型]一种硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料-CN201621124857.5有效
发明人：王经纬;高达;王丛;刘铭;强宇;周立庆 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2016-10-14 - 公布日： 2017-08-08 - 主分类号： H01L31/0296 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料及其制备方法。本实用新型的硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料，包括硅基复合衬底，以及在所述硅基复合衬底上由下到上依次排列的碲镉汞短波吸收层、碲镉汞阻挡层和碲镉汞中波吸收层，所述碲镉汞短波吸收层为Hg1‑xCdxTe，其中x＝0.4～0.41；所述碲镉汞阻挡层为Hg1‑xCdxTe，其中x＝0.5～0.55；所述碲镉汞中波吸收层为Hg1‑xCdxTe，其中x＝0.3～0.31。借助于本实用新型的技术方案，得到了一种硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料，填补了现有技术中没有硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料的空白。
一种硅基短中波叠层双色碲镉汞材料

[发明专利]碲镉汞红外探测器芯片及其制备方法-CN202011292902.9在审
发明人：王经纬;刘铭;宁提;谭振;王成刚 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2020-11-18 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲镉汞红外探测器芯片及其制备方法。碲镉汞红外探测器芯片的制备方法，包括：对硅基复合衬底材料件依次进行除气处理和束流校正，硅基复合衬底材料件包括层叠设置的硅基衬底层和碲化镉复合衬底层；在束流校正后的硅基复合衬底材料件的碲化镉复合衬底层上外延生长p型掺杂高电导率碲镉汞导电层；在高电导率碲镉汞导电层上外延生长碲镉汞吸收层。碲镉汞红外探测器芯片，包括：硅基复合衬底材料件，包括层叠设置的硅基衬底层和碲化镉复合衬底层；p型掺杂高电导率碲镉汞导电层，层叠设置于碲化镉复合衬底层上；碲镉汞吸收层，层叠设置于p型掺杂高电导率碲镉汞导电层上
碲镉汞红外探测器芯片及其制备方法

[发明专利]一种碲镉汞小线宽腐蚀方法及碲镉汞红外探测器-CN201910986653.4有效
发明人：张轶;刘世光;孙浩;刘震宇 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2019-10-17 - 公布日： 2021-07-02 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提出了一种碲镉汞小线宽腐蚀方法及碲镉汞红外探测器，用以提高小线宽精细结构腐蚀均匀性。碲镉汞小线宽腐蚀方法，包括：将带有光刻胶的碲镉汞芯片曝光后，放入显影池中浸泡在显影液中进行显影；向显影池中注入去离子水，直至将显影池中的显影液全部替换为去离子水；保持碲镉汞芯片浸泡在去离子水中的状态，用第一培养皿将碲镉汞芯片从显影池中取出；保持碲镉汞芯片浸泡在去离子水中的状态，将第一培养皿和碲镉汞芯片一起放入第二培养皿中进行腐蚀；保持碲镉汞芯片浸泡在腐蚀液中的状态，将第一培养皿连同碲镉汞芯片一起从第二培养皿中取出；保持碲镉汞芯片浸泡在腐蚀液中的状态，将第一培养皿连同碲镉汞芯片一起放入水槽中进行清洗。
一种碲镉汞小线宽腐蚀方法碲镉汞红外探测器

[发明专利]一种分子束外延碲镉汞外延表面温度控制方法-CN202211267884.8在审
发明人：高达;王丹;李震;周朋;王丛 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2022-10-17 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： C30B23/06 文献下载
摘要：本申请公开了一种分子束外延碲镉汞外延表面温度控制方法，包括：固定衬底；利用热偶控制外延表面温度，采用温度补偿生长方式，基于所述衬底生长碲镉汞材料，并进行As掺杂；在生长碲镉汞材料的过程中，确定不同深度As掺杂浓度的变化量；预测在对应深度处碲镉汞外延表面温度偏离碲镉汞生长温度窗口程度；基于所确定的外延表面温度偏离程度，修正所述温度补偿生长方式，并重复基于所述衬底生长碲镉汞材料，直至As浓度不随碲镉汞深度发生变化本申请实施例对温度偏离度的表征方式进行了设计，修正了生长温度降低曲线，解决了碲镉汞外延表面温度无法精确表征而造成碲镉汞材料质量差的问题。
一种分子外延碲镉汞表面温度控制方法

[发明专利]一种碲镉汞外延材料霍尔测试样品的制备方法-CN202310174151.8在审
发明人：黄晟;黄立;杨朝臣;张冰洁;刘永锋;汪鑫 -专利权人：武汉高芯科技有限公司
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体材料加工制备技术领域，具体提供了一种碲镉汞材料霍尔测试样品的制备工艺。本发明的碲镉汞外延材料霍尔测试样品的制备工艺，通过对碲镉汞外延材料正面进行表面处理并沉积介质膜进行保护，同时将碲镉汞外延材料背面的衬底和过渡层材料进行去除，避免了碲镉汞外延材料表面电荷的堆积，以及失配位错缺陷对碲镉汞外延材料霍尔测量的影响，提高了碲镉汞外延材料电学测量的准确度。
一种碲镉汞外延材料霍尔测试样品制备方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 31439 条