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[发明专利]曝光方法和半导体器件的制造方法-CN201410682296.X有效
发明人：丁刘胜;王旭洪;徐元俊 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2014-11-24 - 公布日： 2015-03-11 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本申请提供一种曝光方法和半导体器件的制造方法，所述曝光方法包括：在设置于基材表面的光刻胶表面沉积介质层；将光刻板置于所述介质层表面，向所述光刻板照射光，以对所述光刻胶曝光，其中，所述介质层对照射到所述光刻板的光透明根据本申请的实施例，在光刻胶表面沉积介质层，能够防止在曝光过程中光刻板与光刻胶接触，避免光刻胶对光刻板的粘污，使得清洗光刻板所需的时间和成本减少。
曝光方法半导体器件制造

[发明专利]用于光刻图案化的方法-CN201811435002.8有效
发明人：杨承翰;吴宗翰;张致玮;林欣玫;谢翊群;张晞砚 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-11-28 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：方法包括在衬底上沉积目标层；通过将离子注入到目标层中来减少入射到目标层上的光的反射，从而产生离子注入的目标层；在离子注入的目标层上涂覆光刻胶层；使用光刻工艺将光刻胶层暴露于光，其中目标层在光刻工艺期间减少在离子注入的目标层和光刻胶层之间的界面处的光的反射；显影光刻胶层以形成光刻胶图案；用光刻胶图案作为蚀刻掩模蚀刻离子注入的目标层；使用至少蚀刻的离子注入的目标层作为工艺掩模处理衬底；以及去除蚀刻的离子注入的目标层。本发明的实施例还涉及用于光刻图案化的方法。
用于光刻图案方法

[发明专利]光刻胶层的处理方法及光刻胶层-CN202111516517.2在审
发明人：曹堪宇 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本公开提供了一种光刻胶层的处理方法及光刻胶层，处理方法包括：在目标层上形成光刻胶层，光刻胶层包括远离目标层的第一部分和靠近目标层的第二部分；采用第一工艺对光刻胶层进行处理，以使第一部分的光吸收率小于第二部分的光吸收率；对光刻胶层进行第一曝光处理，在第二部分形成曝光图像；剥离第一部分并对光刻胶层进行第一显影处理，以图案化第二部分为光刻胶图案。在本公开中，在第二部分中形成曝光图像后去除第一部分，避免第一部分的存在导致光刻胶图案的顶端形貌不符合预期的问题。
光刻处理方法

[发明专利]在载板上导接件的侧面形成抗氧化金属层的制造工艺-CN201110009700.3有效
发明人：郭志明;邱奕钏;施政宏;何荣华 -专利权人：颀邦科技股份有限公司
申请日： 2011-01-12 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：一种在载板上导接件的侧面形成抗氧化金属层的制造工艺，其包含一载体，其具有多个焊垫及保护层；形成导接金属层在该载体上；形成第一光刻胶层在导接金属层上；图案化第一光刻胶层，使第一光刻胶层形成多个开口；在各开口中形成导接件，各导接件具有一顶面及一侧面；移除第一光刻胶层，以显露出各导接件的顶面及侧面；形成第二光刻胶层在该导接金属层上，第二光刻胶层覆盖各导接件；图案化第二光刻胶层，使第二光刻胶层形成多个开口，各开口显露出各导接件的顶面及侧面；在各开口形成抗氧化金属层，其包覆各导接件的顶面及侧面；移除第二光刻胶层，以显露抗氧化金属层及导接金属层；最后移除各导接件及抗氧化金属层下以外的导接金属层。
载板上导接件侧面形成氧化金属制造工艺

[发明专利]微透镜阵列的形成方法-CN202011136464.7有效
发明人：刘西域;王厚有;周晓峰;冯永波;刘益东 -专利权人：晶芯成（北京）科技有限公司
申请日： 2020-10-22 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： G02B3/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种微透镜阵列的形成方法，包括提供晶圆，所述晶圆上形成有微透镜层且包括若干个芯片；依次在所述芯片上进行滴光刻胶作业；对所述芯片上的光刻胶进行气体吹扫，以调整所述光刻胶的形貌；对所述光刻胶进行固化、烘烤后进行光刻作业，以在所述芯片上形成特定形貌的光刻胶掩模；以及将所述光刻胶掩模的形貌转移至所述微透镜层，以在所述晶圆上形成具有与所述光刻胶掩模的形貌相对应的微透镜阵列。本发明通过采用步进式光刻胶涂布方法依次在晶圆上的芯片进行点胶，且在点胶过程中通过气体吹扫调整光刻胶的形貌，并将光刻胶的形貌转移至微透镜层以形成具有特定形貌的微透镜阵列，实现CRA优化，减小像差。
透镜阵列形成方法

[发明专利]一种光刻胶去除方法及半导体生产方法-CN201110354964.2有效
发明人：陈亚威;杨鑫;简志宏 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2011-11-10 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种光刻胶去除方法和半导体生产方法，该光刻胶去除方法是在离子注入工艺之后，对表面形成硬质层的光刻胶进行去除，包括步骤：软化工艺；干法去胶工艺和湿法去胶工艺，通过对光刻胶表面硬质层进行软化工艺，使原本因离子注入等工艺引起的光刻胶硬质层得到软化，从而是光刻胶的去除易化，同时可以保证在去除光刻胶的过程中不会对半导体产品形成损害，大大提高了半导体产品的良率。本发明还提供了一种包含本发明所述光刻胶去除方法的半导体生产方法。
一种光刻去除方法半导体生产

[发明专利]氧化镓二极管器件及其制备方法-CN202210470426.8在审
发明人：王元刚;吕元杰;敦少博;付兴昌;韩婷婷;刘宏宇;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2022-04-28 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本申请适用于半导体器件制造技术领域，提供了氧化镓二极管器件及其制备方法，该方法包括：清洗氧化镓外延层，在外延层上方淀积介质层；在介质层的上方旋涂光刻胶，加热光刻胶，使光刻胶回流形成斜面；刻蚀光刻胶和介质层，去除光刻胶；以介质层为掩膜，刻蚀氧化镓外延层和介质层；在介质层平面的上方旋涂光刻胶；在氧化镓二极管器件的上方覆盖金属掩膜，去除光刻胶和介质层；溅射P‑NiO材料，形成P‑NiO层，剥离金属掩膜；电子束蒸发金属
氧化二极管器件及其制备方法

[发明专利]一种半导体结构的形成方法-CN202310097869.1有效
发明人：曺奎锡 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2023-02-10 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本公开实施例公开了一种半导体结构的形成方法，其中，所述方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成第一虚设层；在所述衬底上形成初始第一光刻胶层，所述初始第一光刻胶层覆盖所述第一虚设层；图案化所述初始第一光刻胶层，并去除所述第一虚设层以及位于所述第一虚设层上的所述初始第一光刻胶层，以形成第一光刻胶层。
一种半导体结构形成方法

[发明专利]金属凸点的制作方法与倒装芯片互连方法-CN202310019294.1在审
发明人：王海涛;叶德好;王传智;储涛 -专利权人：之江实验室
申请日： 2023-01-06 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：其中，金属凸点的制作方法包括：在基底上形成种籽层；在所述种籽层上形成第一光刻胶图案，所述第一光刻胶图案暴露部分种籽层；刻蚀去除暴露于所述第一光刻胶图案外的种籽层，而后去除残余的第一光刻胶图案；形成第二光刻胶图案，所述第二光刻胶图案暴露所述种籽层；利用电化学沉积工艺在所述种籽层上电镀形成凸点下金属和金属凸点；去除所述第二光刻胶图案。一个实施例中，第二光刻胶图案的材料是SU8光刻胶。上述金属凸点的制作方法以及制得的上述金属凸点可很好地适用于超细间距且高度可调的倒装芯片互连工艺中。
金属制作方法倒装芯片互连方法

[发明专利]TFT阵列基板、制造方法及液晶显示装置-CN201010542471.7有效
发明人：谢振宇;陈旭;龙春平 -专利权人：北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2010-11-11 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：其方法为：在基板上形成横纵交叉的数据线和栅线，数据线和栅线围设形成像素单元，每个像素单元包括TFT开关；在基板上形成钝化层；在钝化层上沉积像素电极层；在像素电极层上涂覆光刻胶，并进行曝光、显影，形成光刻胶完全保留区域和光刻胶完全去除区域，光刻胶完全保留区域对应像素电极区域，光刻胶完全去除区域对应其他区域；刻蚀去除光刻胶完全去除区域的像素电极层；对基板进行处理，使光刻胶完全去除区域的钝化层表面变为黑色；剥离去除光刻胶完全保留区域的光刻胶
tft 阵列制造方法液晶显示装置

[发明专利]光刻胶图案的形成方法和阵列基板的制造方法-CN201010525105.0有效
发明人：储培鸣 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司
申请日： 2010-10-25 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种光刻胶图案的形成方法和阵列基板的制造方法。该光刻胶图案的形成方法包括：在金属薄膜上涂覆光刻胶，并采用掩模板对所述光刻胶进行曝光显影，形成包括保留区域和去除区域的光刻胶图案；对形成所述图案的光刻胶进行加热处理，以使得所述光刻胶流至待保护的膜层区域该阵列基板的制造方法包括在衬底基板上形成导电图案和绝缘层的步骤，导电图案包括栅电极、源电极、漏电极、半导体层和像素电极，在形成半导体层图案的过程中，方法还包括：对光刻胶进行加热处理，以使光刻胶流至源电极与漏电极之间的沟道中
光刻图案形成方法阵列制造

[发明专利]晶圆背面金属化的方法-CN202111245958.3在审
发明人：陈伯昌 -专利权人：海光信息技术股份有限公司
申请日： 2021-10-25 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆背面金属化的方法，该方法包括：提供晶圆；在晶圆的背面涂布光刻胶，形成光刻层；对所述光刻层进行曝光处理，以确定晶圆背面需要金属化处理的曝光区域；对光刻层进行显影，以去除所述曝光区域中的光刻胶，保留的光刻胶的截面宽度沿朝向晶圆的方向逐渐减小；沉积金属材料，形成初始金属层，相邻的光刻胶之间的初始金属层的宽度与所述相邻的光刻胶之间的最小宽度适配；去除光刻胶，形成图案化的金属层。
背面金属化方法

[发明专利]一种Array板光刻胶的剥离方法-CN201210290702.9有效
发明人：陈建荣;刘兴华;于春崎;任思雨;胡君文;谢凡;李建华 -专利权人：信利半导体有限公司
申请日： 2012-08-15 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本申请公开了一种Array板光刻胶的剥离方法，用于对Array板的光刻胶剥离返修，包括：对所述Array板表面的光刻胶进行干法剥离，去除光刻胶的过烘部分；在所述已经去除过烘部分的光刻胶上涂覆光刻胶剥离液，与所述已经去除过烘部分的光刻胶进行反应，将所述已经去除过烘部分的光刻胶从所述Array板上剥离。在对Array板的光刻胶剥离返修时，采用本申请提供的一种Array板光刻胶的剥离方法，对光刻胶采用干法剥离，就能去除一层很薄的在后烘制程中被过烘的光刻胶，然后再利用光刻胶剥离液将剩余的光刻胶剥离，就能够彻底剥离掉Array板上的光刻胶。
一种 array 光刻剥离方法

[发明专利]一种光屏障玻璃的制备方法-CN201310145991.8有效
发明人：刘正;李承珉;林承武;郭会斌 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
申请日： 2013-04-24 - 公布日： 2013-07-31 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明提供一种光屏障玻璃的制备方法，包括如下步骤：在玻璃基板上形成金属层；在金属层上涂覆第一光刻胶层，通过半透型掩模板对第一光刻胶层进行第一次曝光，然后对第一光刻胶层进行第一次显影处理；通过第一次刻蚀工艺去除金属层的部分区域；通过灰化工艺去除第一光刻胶层的部分厚度和部分区域；在暴露的玻璃基板上、暴露的金属层上、第一光刻胶层上和第一光刻胶层的侧壁形成绝缘层；采用光阻剥离的方法将第一光刻胶层、位于第一光刻胶层上的绝缘层以及第一光刻胶层侧壁的绝缘层去除，得到过孔；在过孔内、过孔的侧壁上和绝缘层上形成透明的像素电极图形。
一种屏障玻璃制备方法

[发明专利]去除光刻胶层的方法-CN201810898935.4有效
发明人：吴杰;唐在峰;吴智勇 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2018-08-08 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：本发明提供了一种去除光刻胶层的方法。包括：提供一除胶机台，所述除胶机台包括多个顺序排布的腔体；将形成有所述光刻胶层的半导体基底放置在所述除胶机台上，以去除所述光刻胶层；其中，在去除所述半导体基底上的所述光刻胶层的过程中，当半导体基底经过所述第一腔体时，通过控制所述第一腔体中所述热源相对于所述半导体基底的位置，以调整所述热源对所述半导体基底上的所述光刻胶层的加热强度；以及，当所述半导体基底经过所述第一腔体之后并依次通过其他腔体时，去除所述光刻胶层。本发明中的去除光刻胶层的方法，可以灵活调整对于光刻胶层的预加热强度，保证了最终形成的半导体集成电路的特性。
去除光刻方法