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[发明专利]形成半导体器件的方法-CN202210110688.3在审
发明人：林颂恩;王俊尧 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-29 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：在实施例中，形成半导体器件的方法包括：在目标层上方形成光刻胶；实施等离子体增强沉积工艺，等离子体增强沉积工艺蚀刻光刻胶的侧壁，同时在光刻胶的侧壁上沉积间隔件层；图案化间隔件层以在光刻胶的侧壁上形成间隔件；以及使用间隔件和光刻胶作为组合蚀刻掩模来蚀刻目标层。
形成半导体器件方法

[发明专利]阵列基板、显示装置、薄膜晶体管及膜层图形的制备方法-CN201710150017.9有效
发明人：刘清召;王珂;王久石;曹占锋 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2017-03-14 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种膜层图形的制备方法、薄膜晶体管、阵列基板及显示装置，包括：在衬底上形成光刻胶层；对光刻胶进行曝光显影，形成光刻胶图形；形成第一膜层，第一膜层包括设置在光刻胶图形上面的第一部分和设置在光刻胶图形之间的缝隙的第二部分；在第一膜层的第一部分上面，形成粘附层；去除光刻胶图形和所述光刻胶图形上的第一膜层的第一部分，以形成第一膜层图形。本发明实施例降低了膜层的吸附和和沉积，提升了膜层的生成良率。
阵列显示装置薄膜晶体管图形制备方法

[发明专利]一种半导体封装方法和半导体封装结构-CN202310614445.8在审
发明人：陈伟;马方方 -专利权人：长电集成电路（绍兴）有限公司
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：一种半导体封装方法和半导体封装结构，半导体封装方法包括：形成初始封装体，初始封装体包括：重布线结构；位于重布线结构一侧的芯片；位于重布线结构背离芯片的一侧表面的种子层；塑封层，位于重布线结构背离种子层的一侧且包封芯片；在种子层背离重布线结构的一侧涂覆第一初始光刻胶层；去除第一初始光刻胶层的至少部分厚度的边缘区域，使得第一初始光刻胶层形成第一光刻胶层，第一光刻胶层的周侧具有第一凹槽；之后，对第一光刻胶层进行初始固化处理；之后，在第一光刻胶层背离种子层的一侧表面和第一凹槽中涂覆第二光刻胶层。
一种半导体封装方法结构

[发明专利]图形转移方法和掩模版制作方法-CN200910056026.7有效
发明人：朴世镇 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-08-06 - 公布日： 2011-03-23 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：一种图形转移方法和掩模版制作方法，所述图形转移方法通过在基片上形成光阻层，所述光阻层至少包括正性光刻胶层和负性光刻胶层，以及位于两者之间的透明材料层，其中，距离所述基片近的光刻胶层的厚度大于距离所述基片远的光刻胶层的厚度且所述透明材料层能够溶于所述距离基片远的光刻胶层的显影剂，接着，对所述光阻层进行一次曝光、分步显影以及刻蚀工艺，实现将图形转移至所述距离基片近的光刻胶层，进而从所述光刻胶层转移至所述基片上。本发明仅需要一次曝光就能够实现图形的转移，减少了掩模版数目，节约了生产成本，提高了生产效率，并且通过对曝光能量以及显影时间的调节，实现了对转移至所述光刻胶层上的图形的关键尺寸的控制。
图形转移方法模版制作方法

[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示面板-CN201710061083.9有效
发明人：苏磊;张正东;周刚;杨小飞;代科 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
申请日： 2017-01-25 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：一种阵列基板及其制备方法、显示面板，该制备方法包括：提供包括显示区和位于所述显示区外围的引线区的衬底基板，在所述引线区中形成连接电极的过程中保留用于对其进行构图工艺的第一光刻胶层，然后在所述衬底基板上沉积反射像素电极层薄膜并对其进行构图工艺以在所述显示区中形成反射像素电极层且在所述引线区内去除所述反射像素电极层薄膜以暴露出所述第一光刻胶层，然后同时去除所述反射像素电极层上用于对所述反射像素电极层薄膜进行构图的第二光刻胶层和所述引线区内的所述第一光刻胶层。上述第一光刻胶层可防止形成反射像素电极层时用的腐蚀液其它部件造成腐蚀；第一光刻胶层与第二光刻胶层同时去除可以省掉一次光刻胶清洗工艺。
阵列及其制备方法显示面板

[发明专利]一种结合微流控技术的巨磁阻传感器及其制造方法与应用-CN202210401412.0在审
发明人：章伟;王欣;胡雪峰 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2022-04-18 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： G01N33/543 文献下载
摘要：本发明公开一种结合微流控技术的巨磁阻传感器及其制造方法与应用，自上而下包括上盖、光刻胶层和巨磁阻芯片底片，上盖设有流体入口和流体出口，光刻胶层包括第一光刻胶层和第二光刻胶层，第二光刻胶层设置在第一光刻胶层内部，且第一光刻胶层与第二光刻胶层之间形成环形镂空，环形镂空内设有粘胶，第二光刻胶层上设有两个通孔，两个通孔之间连通形成检测区，流体入口和流体出口分别与两个通孔中心对齐且半径相等，巨磁阻芯片底片位于检测区的上表面设有巨磁阻芯片阵列
一种结合微流控技术磁阻传感器及其制造方法应用

[发明专利]台阶微结构的制备方法-CN202310843844.1在审
发明人：王飞飞;李健飞 -专利权人：赛莱克斯微系统科技（北京）有限公司
申请日： 2023-07-11 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：该制备方法包括：提供一半导体基底；在半导体基底上形成第一负光刻胶层，第一负光刻胶层上具有第一台阶图形；在第一负光刻胶层上形成第二正光刻胶层，第二正光刻胶层上具有第二台阶图形，第二台阶图形和第一台阶图形构成台阶；以第一负光刻胶层和第二正光刻胶层为掩膜对半导体基底进行一次刻蚀，以在半导体晶片上形成由第三台阶图形和第四台阶图形构成的台阶微结构；去除第一负光刻胶层和第二正光刻胶层。
台阶微结构制备方法

[发明专利]一种空心微针阵列制造方法-CN201710416112.9有效
发明人：廖广兰;林建斌;谭先华;史铁林;汤自荣 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2017-06-06 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： A61M37/00 文献下载
摘要：本发明属于微纳结构制造工艺领域，并公开了一种空心微针阵列制造方法，包括以下步骤：1)镀金属种子层；2)旋涂负性光刻胶层；3)对负性光刻胶层进行前烘；4)曝光：在掩膜版的上方采用紫外光源对负性光刻胶层进行曝光，则光穿过掩膜版后透入负性光刻胶层，使负性光刻胶层的部分区域发生光固化反应；5)显影：采用显影液对负性光刻胶层进行显影，以去除未发生光固化反应的负性光刻胶；6)电镀结构层，形成微针针壁；7)采用有机溶剂去除负性光刻胶本发明由于小尺寸掩膜版图形的光学衍射作用，显影后会在负性光刻胶层上形成上小下大的空洞结构，由此电镀填充得到的金属微针针壁具有很好的结构稳定性。
一种空心阵列制造方法

[发明专利]光刻方法、柔性基板的制备方法以及光刻胶烘干装置-CN201811030146.5有效
发明人：唐成;孙泽斌;甄珍;张浩;张时涛;樊新星;张旭东 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
申请日： 2018-09-05 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：一种光刻方法、柔性基板的制备方法以及光刻胶烘干装置。该光刻方法包括：提供形成有待刻材料层的衬底基板，该衬底基板包括中间区域和围绕中间区域的周边区域；在衬底基板上涂覆一层光刻胶，该光刻胶涂覆在中间区域和周边区域中；烘干光刻胶，同时对涂覆在周边区域中的光刻胶进行第一曝光处理该光刻方法在烘干光刻胶的同时对位于周边区域中的光刻胶进行第一曝光处理，可以节约生产时间，并可以使位于周边区域中的光刻胶得到更充分的曝光。
光刻方法柔性制备以及烘干装置

[发明专利]一种微偏振片模板制作方法-CN201910798261.5在审
发明人：周倩;倪凯;晁银银;白本锋;汪伟奇;李星辉;王晓浩 -专利权人：清华大学深圳研究生院
申请日： 2019-08-27 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种微偏振片模板的制作方法，包括：S1：在基底一侧的表面设置第一光刻胶层；S2：制作掩膜版；S3：利用所述掩膜版对所述第一光刻胶层进行接触曝光；S4：在所述第一光刻胶层远离所述基底的一侧的表面涂覆第二光刻胶层；S5：利用全息光刻对所述第二光刻胶层进行曝光并显影；S6：在所述第二光刻胶层远离所述底板一侧表面上沉积金属层；S7：将所述第一光刻胶层、所述第二光刻胶层剥离，得到所述微偏振片模板。
光刻胶层微偏振片掩膜版基底制作电子束直写曝光底板沉积金属层表面设置表面涂覆接触曝光制作周期全息光刻显影剥离曝光

[发明专利]一种套刻匹配方法-CN202210330316.1在审
发明人：李伟峰 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种套刻匹配方法，包括：提供晶圆，在所述晶圆上形成第一光刻胶层；利用第一光刻机对所述第一光刻胶层进行曝光，剩余的所述第一光刻胶层构成第一对位标记；在所述晶圆上形成第二光刻胶层，所述第二光刻胶层覆盖所述晶圆及所述第一对位标记；利用第二光刻机对所述第二光刻胶层进行曝光，剩余的所述第二光刻胶层构成第二对位标记；获取所述第一对位标记及所述第二对位标记之间的套刻精度，根据所述套刻精度对所述第二光刻机曝光的初始位置进行调整。通过光刻胶层在所述晶圆上形成第一对位标记及所述第二对位标记，在避免对所述晶圆进行刻蚀工艺的情况下实现光刻机之间的套刻匹配。
一种匹配方法

[发明专利]光刻胶去除方法-CN202110057909.0在审
发明人：南兑浩;李大烨;丁明正;贺晓彬;刘强;刘金彪;周娜 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2021-01-15 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明提供的一种光刻胶去除方法，涉及半导体技术领域，包括：提供衬底；在所述衬底上进行光刻胶的沉积、曝光和显影，形成图案化的光刻胶层；在所述衬底上进行离子注入工艺和/或刻蚀工艺；最后，利用高温烘烤方式和/或稀释剂腐蚀方式去除所述光刻胶层。在上述技术方案中，该光刻胶去除方法与现有的去除方法相比，主要是摒弃了在刻蚀和清理阶段利用灰化法或湿法去除工艺去除光刻胶层的方式，转而在光刻设备中直接实现对光刻胶层的去除操作，有效的提高半导体的制备效率。
光刻去除方法

[发明专利]版图逻辑运算方法以及集成电路制造方法-CN201210261784.4有效
发明人：江红;孔蔚然;李冰寒;郑舒静;林晓帆 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-07-26 - 公布日： 2012-10-31 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明提供了一种针对浅层离子注入层的版图逻辑运算方法以及集成电路制造方法。首先获取这些浅层离子注入层的版图；根据版图图案计算出光刻胶图案；从光刻胶图案中找出光刻胶细长线条，光刻胶细长线条指的是长度大于第一尺寸且宽度小于第二尺寸同时位于浅槽隔离上的光刻胶部分；由于光刻胶线条邻接部分的器件区域掺杂类型相同，同时浅槽隔离上的该离子注入是无效的，即对器件无影响；所以可将光刻胶线条邻接部分与隔离区上的光刻胶线条合并。根据本发明，通过将光刻胶线条邻接部分与隔离区上的光刻胶线条合并，可以消除这种浅槽隔离上的细长光刻胶线条。
版图逻辑运算方法以及集成电路制造

[发明专利]一种DFB芯片的脊钝化方法-CN202011074200.3在审
发明人：朱斌青;黄寓洋 -专利权人：苏州苏纳光电有限公司
申请日： 2020-10-09 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： H01S5/028 文献下载
摘要：所述方法包括：在基体表面沉积光学介质膜，沉积有光学介质膜的基体表面上具有至少一个脊槽和至少一个脊；在光学介质膜表面上涂覆第一光刻胶，形成第一光刻胶层，填平脊槽，之后对涂覆了第一光刻胶的基体进行固化；在第一光刻胶层上涂覆第二光刻胶，形成第二光刻胶层，通过光刻工艺在第二光刻胶层上形成贯穿第二光刻胶层的脊开孔图形，脊开孔图形的位置与脊的位置相对应；根据脊开孔图形，在基体上刻蚀出从上往下依次贯穿第一光刻胶层和光学介质膜层的脊开孔。
一种 dfb 芯片钝化方法

[发明专利]一种光刻胶组合物和形成光刻图案的方法-CN201510781719.8在审
发明人：陈哲;任鲁风;殷金龙 -专利权人：北京中科紫鑫科技有限责任公司
申请日： 2015-11-16 - 公布日： 2016-02-03 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明公开了一种光刻胶组合物和形成光刻图案的方法。所述组合物包括：聚醚改性的有机硅流平剂、溶剂、光活性物质、有机酸、树脂和颜料分散体。形成光刻图案的方法包括准备一个光纤面板基板，在光纤面板基板的正面涂覆光刻胶组合物，形成光刻胶组合物层，在光化辐射下图案化曝光该光刻胶组合物层，施加显影剂，将光刻胶组合物层上的未曝光区域用显影剂去除，形成光刻胶图案
一种光刻组合形成图案方法