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[发明专利]基于PbSe胶体量子点的红外光电探测器及其制备方法-CN202311034795.3在审
发明人： 王登魁;杨丹;方铉;项超;张德权;张玉亭;房丹 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2023-08-16 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本申请提供一种基于PbSe胶体量子点的红外光电探测器及其制备方法，涉及半导体材料领域。基于PbSe胶体量子点的红外光电探测器，包括由上至下依次层叠设置的顶部电极接触层、第一PbSe CQD吸收层、CQD阻挡层、第二PbSe CQD吸收层和底部电极接触层；所述第一PbSe CQD吸收层和所述第二PbSe CQD吸收层的原料包括第一配体组装后的PbSe胶体量子点，所述CQD阻挡层的原料包括ZnO胶体量子点或者第二配体组装后的PbS胶体量子点或Ag2Se CQD胶体量子点。本申请提供的基于PbSe胶体量子点的红外光电探测器，能够实现探测器探测波长的轻松调控。
基于 pbse 胶体量子红外光电探测器及其制备方法

[发明专利]异质红外SAM-APD材料、异质红外SAM-APD及其制备方法-CN202211467066.2在审
发明人： 王登魁;方铉;项超;房丹;牛守柱;楚学影;翟英娇;李金华;王晓华 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2022-11-22 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本申请提供一种异质红外SAM‑APD材料、异质红外SAM‑APD及其制备方法。异质红外SAM‑APD材料，包括III‑V族吸收层、Si倍增结构层以及设置在III‑V族吸收层和Si倍增结构层之间的III‑V族垂直超晶格缓冲层。异质红外SAM‑APD的制备方法：通过离子注入技术对Si进行掺杂得到Si倍增结构层；在Si倍增结构层的表面依次外延生长III‑V族垂直超晶格缓冲层和III‑V族吸收层；采用紫外光刻技术制作刻蚀图形，利用电感耦合等离子体设备刻蚀APD台面结构，得到异质红外SAM‑APD。本申请提供的异质红外SAM‑APD材料，实现APD工作波长的拓展和增益性能的提升，易于实现硅基片上集成。
红外 sam apd 材料及其制备方法

[发明专利]一种直、须根系植被间配的斜坡表土防护设计方法-CN202210865990.X有效
发明人：刘方翠;祁生文;郑博文;胡吉鸿;王登魁 -专利权人：中国科学院地质与地球物理研究所
申请日： 2022-07-22 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： E02D17/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种直、须根系植被间配的斜坡表土防护设计方法，包括：S1、确定待防护斜坡所在地的基础地质条件、气候条件；S2、确定待防护区的范围；S3、选择当地优势直、须根系植被；S4、确定各间配单块的尺寸；S5、在待防护区内全范围配置间配单块。采用本发明的直、须根系植被间配的斜坡表土防护设计方法，能够有效减少表层土体开裂、降低细沟侵蚀和进一步滑坡的问题的发生。
一种须根植被斜坡表土防护设计方法

[发明专利]基于胶体量子点和硅的SAM-APD材料及其制备方法和SAM-APD-CN202211326005.4在审
发明人：方铉;王登魁;郝誉;房丹;牛守柱;楚学影;翟英娇;李金华;王晓华 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2022-10-20 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本申请提供一种基于胶体量子点和硅的SAM‑APD材料及其制备方法和SAM‑APD。基于胶体量子点和硅的SAM‑APD材料，包括层叠设置的Si接触层、Si倍增层、Si电荷层、CQD吸收层和CQD接触层。基于胶体量子点和硅的SAM‑APD材料的制备方法：制备Si接触层、Si倍增层和Si电荷层；然后在Si电荷层的表面依次设置胶体量子点，得到CQD吸收层和CQD接触层。本申请提供的基于胶体量子点和硅的SAM‑APD材料，胶体量子点展现出了Si的兼容性，而且胶体量子点的生长降低了材料生长的复杂性与成本，结合Si能够实现具有高增益、低噪声、低成本等优点。
基于胶体量子 sam apd 材料及其制备方法

[发明专利]一种水利灌溉系统-CN202111278359.1有效
发明人：翟新生;李尊永;徐健;徐红利;周海轮;付修智;王登魁;王玉霞;金茜;葛福建;赵芮;焦卫东;朱鑫峰;王献伟;谢凯 -专利权人：商丘市水利建筑勘测设计院
申请日： 2021-10-30 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： A01G25/02 文献下载
摘要：本申请涉及水利灌溉的技术领域，尤其是涉及一种水利灌溉系统，包括蓄水池和灌溉装置，所述灌溉装置包括灌溉管、水泵和喷洒组件，所述灌溉管和喷洒组件连接，所述水泵设置在灌溉管上，所述蓄水池的一侧设置有中转池，所述蓄水池和中转池连通，所述喷洒组件的外部设置有用于收集地面上多余的水的回流装置，所述回流装置和中转池连通，所述喷洒组件设置有多个，且多个所述喷洒组件设置在地面上均匀间隔设置用于对地面进行灌溉。本申请具有减少水源的浪费的效果。
一种水利灌溉系统

[发明专利]一种量子阱雪崩光电二极管-CN202110526233.5有效
发明人： 王登魁;魏志鹏;方铉;房丹;唐吉龙;林逢源;李科学;王新伟;马晓辉 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2021-05-14 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：一种量子阱雪崩光电二极管涉及雪崩二极管技术领域，解决了现有不具有高响应度和低噪声的雪崩光电二极管的问题，空穴雪崩二极管包括顺次设置的n型半导体吸收层、雪崩层和p型半导体载流子收集层、n型电极和p型电极，雪崩层包括II型多量子阱或者多异质结，雪崩层的能带排列为II型排列；空穴在II型多量子阱的阱垒界面处或多异质结的p型n型界面处得到价带带阶后的空穴能量等于其离化阈值能量，空穴发生碰撞离化过程；电子在II型多量子阱的阱垒界面处或多异质结的p型n型界面处失去导带带阶后的电子能量小于其离化阈值能量，电子不发生碰撞离化过程。本发明实现了高倍增因子和低噪声特性，提高现有雪崩光电二极管的性能指标。
一种量子雪崩光电二极管

[发明专利]一种高响应度的雪崩光电二极管结构-CN202110526831.2有效
发明人： 王登魁;魏志鹏;陈雪;方铉;房丹;林逢源;唐吉龙;李科学;马晓辉 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2021-05-14 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：一种高响应度的雪崩光电二极管结构涉及雪崩二极管技术领域，解决了低噪声和高倍增增益难以同时实现的问题，二极管结构为纳米线型，包括从下至上顺次设置的GaAs倍增层、窄带隙插入层和吸收层；插入层的材料为GaAs1‑xSbx，吸收层的材料为GaAs1‑ySby；或者；插入层的材料为IniGa1‑iAs，吸收层的材料为InjGa1‑jAs；i和x为固定值，吸收层的In或Sb组分由下至上线性递增。且x＞ymin,i＞jmin。本发明通过窄带隙插入层在价带形成空穴阱，捕获空穴，并在插入层和倍增层之间形成强空穴势垒以阻挡空穴，增强了雪崩区的电场强度，提高了倍增因子，降低了噪声。
一种响应雪崩光电二极管结构

[实用新型]一种生态修复用树木固定支撑装置-CN202220204520.4有效
发明人：李卓;王登魁;马银涛;李占海;徐正鹏;王全程;侯健;孟菂 -专利权人：宁夏宁苗生态园林（集团）股份有限公司
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： A01G17/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种生态修复用树木固定支撑装置，包括两个支撑板，两个支撑板之间设置有固定环和固定机构，支撑板的下方设置有固定座，固定座的内部设置有第一安装槽、齿条板、转轴和齿轮，转轴的一端与转盘连接，转轴的中间通过第一铰接件连接有活动杆，活动杆的上方通过第二铰接件设置在支撑板的外侧，固定座的上方设置有固定板，固定板的表面设置有滑槽，滑槽的内部设置有活动座，活动座的上方设置有支撑杆，固定座的底部设置有支撑底座，支撑底座的底部开连接有凸钉，支撑底座的两侧开设有螺纹孔。本实用新型活动杆的高度可以根据树木高度调节，长螺纹柱和调节螺栓可以根据树木的直径来调整，方便对不同固定和直径的树木进行固定。
一种生态修复树木固定支撑装置

[发明专利]二维材料异质结结构及其制备方法和应用、光电器件-CN202011298767.9有效
发明人：方铉;牛守柱;杜鹏;刘晓磊;房丹;王登魁;魏志鹏;王晓华;王菲 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2020-11-18 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01L31/0336 文献下载
摘要：本发明提供了一种二维材料异质结结构及其制备方法和应用、光电器件，涉及半导体技术领域，二维材料异质结结构包括：生长于衬底的单原子层或多原子层X‑Y烯异质结薄膜，每层所述X‑Y烯异质结薄膜中X和Y相拼接形成共价键异质结结构；其中，X和Y独立地选自VA族元素且不相同。本发明的二维材料异质结结构在二维材料内部形成稳定的共价键异质结结构，解决了传统二维材料无法形成真正单原子层的二维异质结，并且所形成的异质结是由范德瓦尔斯力所维系的，材料的稳定性不佳的问题。同时，层内异质结的构成也使得器件制备更加灵活，可以构建层内‑层间异质结复合结构，使得器件性质控制更加多样化。
二维材料异质结结构及其制备方法应用光电器件

[实用新型]一种林业育苗用病虫害防治设备-CN202220257039.1有效
发明人：张霞;王登魁;胡吉鸿 -专利权人：张霞;王登魁;胡吉鸿
申请日： 2022-02-08 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： A01M1/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种林业育苗用病虫害防治设备，涉及林业种植技术领域，包括底板，所述底板上端左侧固定连接有支撑板。本实用新型通过设置的电网圈以及诱虫灯之间的相互配合能够将害虫吸引到壳体的内部，并将其电死，电死后的害虫一部分直接通过设置的锥形连接底座落到收集盒的内部进行收集，另一部分则滞留在电网圈上，通过设置的电机、转动杆、固定杆以及刮板之间的相互配合能够将滞留在电网圈上的害虫刮落，避免影响电网圈后续的杀虫效果，通过设置的圆形挡盘能够避免害虫通过电网圈的下端进入到电网圈的内部，从而导致难以对其进行灭杀的情况。
一种林业育苗病虫害防治设备

[发明专利]钙钛矿光电探测器及其制备方法-CN202210149724.7在审
发明人：方铉;田丰;王登魁;房丹;张海汐;李波波;李金华;王晓华 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2022-02-18 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01L51/46 文献下载
摘要：本申请提供一种钙钛矿光电探测器及其制备方法。钙钛矿光电探测器，包括层叠设置的聚乙烯醇‑纳米金属粒子层和钙钛矿层；所述聚乙烯醇‑纳米金属粒子层和所述钙钛矿层之间具有空腔。钙钛矿光电探测器的制备方法，包括：将含有金属纳米颗粒的聚乙烯醇溶液在第一衬底上形成所述聚乙烯醇‑纳米金属粒子层；在第二衬底上涂覆PbX溶液得到PbX薄膜，然后将PbX薄膜与YX溶液反应得到钙钛矿多晶薄膜，退火得到钙钛矿层；将聚乙烯醇‑纳米金属粒子层和钙钛矿层贴合得到钙钛矿光电探测器。本申请提供的钙钛矿光电探测器，通过聚乙烯醇‑纳米金属粒子层和钙钛矿层之间的空腔，达到了控制金属纳米颗粒与钙钛矿之间的距离，从而实现LSPR增强效果。
钙钛矿光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种水利清淤固型装置-CN202110673613.1有效
发明人：赵冰玉;付强;刘平;王登魁;朱帅;楚维坤;杨旭;张志业 -专利权人：商丘市水利建筑勘测设计院
申请日： 2021-06-17 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： E02F5/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种水利清淤固型装置，包括安装于行走设备上并被驱动而于水渠内转动的起淤笼，于起淤笼内装配有伸缩式扰动破碎机构，伸缩式扰动破碎机构安装于与起淤笼同轴设置的抽淤管上，且于抽淤管上沿其轴向间隔开设有抽淤孔，于起淤笼的轴向两端分别活动安装有侧壁固型机构，于各侧壁固型机构远离水渠侧壁的一端活动连接有用于抵压伸缩式扰动破碎机构轴向一端的破碎度调节机构，破碎度调节机构与侧壁固型机构相互扣合，且于二者之间形成调节腔，调节腔经水压变化而沿起淤笼的轴向胀缩。本发明将水渠疏通，并且将水渠底部的淤泥、植物及垃圾等一次性排出，降低了劳动强度，并节约了成本的投入。本发明适用于水渠污染治理的技术领域。
一种水利清淤装置

[发明专利]单晶钙钛矿材料及其制备方法和窄带光响应探测器-CN202111483385.8在审
发明人：方铉;张倩文;王登魁;房丹;田丰;王海珠;范杰;李金华;翟英娇;楚学影;王晓华 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L51/46 文献下载
摘要：本申请提供一种单晶钙钛矿材料及其制备方法和窄带光响应探测器。单晶钙钛矿材料，包括钙钛矿单晶和包覆在其表面的金属氧化物膜层；钙钛矿单晶包括通式为MAPbX3的化合物中的一种或多种。单晶钙钛矿材料的制备方法：将钙钛矿单晶前驱体溶液在加热条件下静置，固液分离得到所述钙钛矿单晶；以臭氧为氧的前驱体、以金属氧化物膜层对应的金属的化合物为金属前驱体，在钙钛矿单晶的表面进行原子层沉积，从而引入界面偶极子层，得到单晶钙钛矿材料。窄带光响应探测器，其原料包括所述的单晶钙钛矿材料。本申请提供的单晶钙钛矿材料，进一步窄化光响应半峰宽、抑制了背景噪声，提高了短波抑制比，有效提高了单晶的稳定性并且增强了器件的使用寿命。
单晶钙钛矿材料及其制备方法窄带响应探测器

[发明专利]利用溶液极性调控二维VA族层状材料形貌的制备方法-CN202111374874.X在审
发明人：方铉;詹燕燕;王登魁;房丹;李金华;翟英娇;王海珠;范杰;王晓华 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： C22B30/04 文献下载
摘要：利用溶液极性调控二维VA族层状材料形貌的制备方法涉及材料制备技术领域，解决了现有制备不能兼顾生长速度和形貌控制的问题，步骤一、通过电化学剥离方法制备二维VA族层状材料，电解液的溶质为四丙基溴化铵粉末溶剂为有机溶剂；以VA族材料作为阴极、铂片作为对电极、Ag/AgCl作为参比电极；步骤二、将电解液中剥离得到的二维VA族层状材料进行分离，然后洗涤；步骤三、选择具有极性的第二溶液洗涤步骤二得到的二维VA族层状材料，得到调控形貌后的二维VA族层状材料。本发明利用电化学剥离法对生长条件要求较低、生长速率快，可以快速剥离且不破坏材料本身，通过改变第二溶液极性的大小可以调控二维VA族层状材料的形貌。
利用溶液极性调控二维 va 层状材料形貌制备方法

[发明专利]预变形模具、预变形方法以及带外纵筋筒形件的制备方法-CN202111107455.X在审
发明人：任贤魏;赵熹;张治民;王思琪;王登魁;汪炜 -专利权人：中北大学
申请日： 2021-09-22 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： B21C25/02 文献下载
摘要：本发明关于一种预变形模具、预变形方法以及带外纵筋筒形件的制备方法，其中，预变形模具包括整形模具；整形模具的型腔包括依次连通的第一型腔段、过渡型腔段、第二型腔段；第一型腔段的横截面设计为第一尺寸、第二型腔段的横截面设计为第二尺寸、过渡型腔段将型腔的横截面尺寸由第一尺寸平滑过渡至第二尺寸；第一尺寸与带外纵筋筒形件的横截面外周的实际尺寸适配；第二尺寸与带外纵筋筒形件的横截面外周的标准尺寸适配。通过整体挤压带外纵筋筒形件使其依次经过整形模具的第一型腔段、过渡型腔段、第二型腔段进行预变形处理。本发明提供的预变形模具及预变形方法用在带外纵筋筒形件的制备工艺中，能同时提升带外纵筋筒形件的尺寸精度和力学性能。
变形模具方法以及带外纵筋筒形件制备

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