“二硒化钨异质结”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网_专利查询网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果10786654个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种制备CdS/CoWO₄异质结复合光催化剂的方法-CN201610402856.0有效
发明人：施伟东;延旭;吕涛涛;吴梓阳;刘奎立 -专利权人：江苏大学
申请日： 2016-06-12 - 公布日： 2019-01-08 - 主分类号： B01J27/049 文献下载
摘要：本发明涉及过渡金属钨酸盐，特指一种以氢氧化钠、钨酸钠和硝酸钴为原料制备CdS/CoWO₄异质结复合光催化剂的方法。取适量的钨酸钠，加入到含有氯化钴的溶液中，在搅拌下加入一定量氢氧化钠，调节溶液pH为8，水热反应180℃,12小时，将得到的沉淀用乙醇和去离子水交替清洗三遍；将得到的CoWO₄超声分散在去离子水中，加入等物质量的硫脲和醋酸镉，继续搅拌混合均匀后进行水热反应180℃，24小时，反应结束后，将沉淀过滤，洗涤，烘干，得到CdS/CoWO₄异质结复合光催化剂。
一种制备 cds cowo sub 异质结复合光催化剂方法

[发明专利]异质结电池库存管理系统-CN202211130003.8在审
发明人：王可胜;侯俊;柏爱玉;韩豫 -专利权人：合肥中南光电有限公司
申请日： 2022-09-16 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： G06Q10/0875 文献下载
摘要：本发明公开了异质结电池库存管理系统，涉及库存管理技术领域，解决了异质结电池库存管理系统依赖人工导致相关库存管理系统的数据处理效率较为低下和无法满足智慧供应链对信息需要高速反应和处理的技术问题；本发明通过数据采集模块异质结电池的获取入库时间、供应商信息以及电池总数；并将入库时间、供应商信息以及电池总数上传至云平台；样本检测模块获取合格批次的异质结电池；并将不合格批次异质结电池的入库时间、供应商信息以及电池总数在云平台内删除；库存管理模块更新云平台中异质结电池的库存量；实现了智能化管理异质结电池库存，避免了因质量问题而导致库存量不准确的现象。
异质结电池库存管理系统

[发明专利]一种二维无机共生PN体相异质结的制备方法及其催化CO2-CN202310537180.6在审
发明人：陆军;李玥娴 -专利权人：北京化工大学
申请日： 2023-05-13 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： B01J23/755 文献下载
摘要：本发明公开了一种二维无机共生PN体相异质结的制备方法及其催化CO2甲烷化的应用。本发明以水滑石为前驱体通过二次拓扑热解制备二维无机共生PN体相异质结，然后在光照下催化还原CO2生成甲烷。实验证明所制备的PN体相异质结具有高效的甲烷转化能力。本发明工艺简单、成本低、并且可以提高CO2还原生成甲烷的选择性达80‑90％。
一种二维无机共生 pn 相异制备方法及其催化 co base sub

[发明专利]一种改善型三结砷化镓太阳电池及其制作方法-CN202111243885.4有效
发明人：徐培强;李俊承;宁如光;林晓珊;潘彬;王向武 -专利权人：南昌凯迅光电股份有限公司
申请日： 2021-10-26 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L31/078 文献下载
摘要：本发明涉及砷化镓太阳电池结构技术领域，具体是涉及一种改善型三结砷化镓太阳电池及其制作方法，该太阳电池自下向上依次为Ge衬底、Ge底电池、GaAs缓冲层、第一隧穿结、DBR、InGaAs中电池、第二隧穿结、GaInP顶电池；其中，所述第一隧穿结和所述第二隧穿结结构相同，为AlGaInP/InP/AlGaAsP/AlGaInP多异质结结构。本发明制作的太阳电池，其隧穿结采用多异质结隧穿结，可明显提高隧穿电流，降低隧穿结处的压降，同时增强隧穿结的辐照性能，改善产品的可靠性。
一种改善型三结砷化镓太阳电池及其制作方法

[发明专利]可降低泄露电流的III族氮化物晶体管结构及其制作方法-CN202111577242.3在审
发明人：魏星;张晓东;赵德胜;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所;广东中科半导体微纳制造技术研究院
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：所述III族氮化物晶体管结构包括：层叠设置的第一异质结和第二异质结，且所述第一异质结与第二异质结经高阻材料和/或插入层电性隔离；与所述第一异质结配合的第一电极、第二电极、第一栅极，所述第一栅极与第一异质结之间设有第三半导体，所述第一栅极还与第一电极电性连接；与所述第二异质结配合的源极、漏极、第二栅极，所述源极、漏极还分别与所述第一栅极、第二电极电性连接，所述第二栅极与第二异质结之间设置有第六半导体上。
降低泄露电流 iii 氮化物晶体管结构及其制作方法

[发明专利]p型二氧化钛/n型三氧化钨异质结催化剂、其制备方法及其在光化学合成燃料中的应用-CN202010303282.8有效
发明人：潘伦;邹吉军;陈英;张香文;王涖 -专利权人：天津大学
申请日： 2020-04-17 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： B01J23/30 文献下载
摘要：本发明提供了一种p型二氧化钛/n型三氧化钨异质结催化剂、其制备方法及其在光化学合成燃料中的应用，涉及催化技术领域，p型TiO2/n型WO3异质结催化剂包括：p型TiO2，以及负载在所述p型TiO2表面的n型WO3
氧化氧化钨异质结催化剂制备方法及其光化学合成燃料中的应用

[发明专利]具有掩埋富陷阱隔离区的异质结双极晶体管-CN202110960025.6在审
发明人： V·贾因;J·J·埃利斯-莫纳甘;A·K·斯塔珀;S·M·尚克;J·J·派卡里克 -专利权人：格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2021-08-20 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L27/082 文献下载
摘要：本公开涉及半导体结构，更具体地，涉及具有掩埋富陷阱隔离区的异质结双极晶体管(HBT)及其制造方法。该结构包括：第一异质结双极晶体管；第二异质结双极晶体管；以及嵌入在第一异质结双极晶体管和第二异质结双极晶体管两者下方的衬底内的富陷阱隔离区。
具有掩埋陷阱隔离异质结双极晶体管

[发明专利]一种基于Bi2-CN202210381607.3在审
发明人：凌翠翠;薛鑫;傅嘉文;冯冰心;曹敏;张拓;姬洪光;王敬尧 -专利权人：中国石油大学（华东）
申请日： 2022-04-13 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明属于光探测技术领域，具体涉及一种自驱动光电探测器，该自驱动光电探测器，由上至下依次包括金属In点电极、金属Pd前电极、硒氧铋薄膜层和硅单晶基底。硒氧铋薄膜层通过旋涂法、空气退火处理、化学气相沉积、湿法转移等方法制备。测试结果表明，构建异质结极大地提高了硒氧铋基器件的光响应性能，且该器件表现出良好的自驱动光探测性能。
一种基于 bi base sub

[发明专利]异质结硅太阳能电池及其制造方法-CN200880111068.X无效
发明人：高志勋;鱼英株;金真阿;尹周焕;郑一炯;金钟焕 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2008-12-17 - 公布日： 2010-09-01 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：公开了一种异质结硅太阳能电池及其制造方法。根据本发明的异质结硅太阳能电池形成晶体硅基板和掺有杂质的钝化层的pn结，以使得电子和空穴的重新组合最小化，从而可以最大化异质结硅太阳能电池的效率。本发明提供一种异质结硅太阳能电池，其包括：晶体硅基板；和形成在所述晶体硅基板上并且掺有杂质的钝化层。
异质结硅太阳能电池及其制造方法

[发明专利]一种范德华异质结器件及其制备方法和应用-CN201811014583.8有效
发明人：何军;尹蕾;程瑞清;王振兴;王峰 -专利权人：国家纳米科学中心
申请日： 2018-08-31 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种范德华异质结器件，包括从下到上依次设置的基底、二碲化钼纳米片、二硫化钼纳米片和金属电极，所述二碲化钼纳米片的横截面积大于所述二硫化钼纳米片的横截面积。本发明的范德华异质结器件可以实现导电极性的动态调节。在不同的偏压条件下，基于该范德华异质结器件的场效应晶体管可分别实现双极性和N型导电极性，并展现出超高电流开关比(～107)、电流整流比(～106)和优异的光伏性能，可应用在新型二维电子及光电子器件。
一种范德华异质结器件及其制备方法应用

[发明专利]一种硫族化钨量子点的分离纯化方法及其应用-CN202310514250.6有效
发明人：张瑞中;张立兵;孙誉铢 -专利权人：天津大学
申请日： 2023-05-09 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C09K11/68 文献下载
摘要：本发明公开了一种硫族化钨量子点的分离纯化方法，将混合有碳量子点的硫族化钨量子点样品加入二氯甲烷中，通过薄层色谱法将硫族化钨量子点和碳量子点分离，紫外灯下，刮取含有硫族化钨量子点的硅胶粉，浸泡于二氯甲烷中，除去硅胶粉和二氯甲烷，将所得硫族化钨量子点溶于水中，冷冻干燥，得到粉末状硫族化钨量子点。该分离纯化方法简单易操作，分离效果以及重复性好，得到了不具有激发波长依赖性的荧光特征的二硫化钨量子点(WS2QDs)、二硒化钨量子点(WSe2QDs)和二碲化钨量子点(WTe2QDs)，对于探究过渡金属硫族化物量子点的ECL性能和潜在应用具有至关重要的意义。
一种硫族化钨量子分离纯化方法及其应用

[发明专利]一种微波辅助合成Z型异质结催化材料的方法-CN202210060084.2在审
发明人：施银桃;徐海明;夏东升;刘学超;秦海兰 -专利权人：银睿（浙江）环保科技有限公司
申请日： 2022-01-19 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： B01J27/057 文献下载
摘要：本技术方案属于环境工程领域，涉及高级催化氧化水处理技术领域，具体涉及一种微波辅助合成Z型异质结催化材料的方法，以硝酸铋、亚硒酸钠、L‑半胱氨酸和酒石酸钠作为原材料，辅以微波反应体系，得到Bi2(Se,S)3/BiOCl Z型异质结催化剂。
一种微波辅助合成型异质结催化材料方法

[发明专利]一种功能化修饰的硫化铜/氧化亚铜异质结纳米复合材料及其制备方法和应用-CN202310614251.8在审
发明人：郭玉明;高卫华;常毅;张洁;丁丽娜;高方莉;刘新贺 -专利权人：河南师范大学
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： A61K41/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种功能化修饰的硫化铜/氧化亚铜异质结纳米复合材料及其制备方法和应用，其中硫化铜/氧化亚铜异质结纳米复合材料兼具药物载体、光热、化学动力和光催化治疗的特性，本发明还具体公开了该硫化铜/氧化亚铜异质结纳米材料的制备方法本发明设计用藤黄酸和透明质酸对硫化铜/氧化亚铜异质结纳米复合材料进行功能化修饰，从而得到具有靶向、生物相容性较好及性能稳定的硫化铜/氧化亚铜异质结纳米复合材料载药体系，并初步探讨了它在抗肿瘤协同治疗领域的潜在应用价值
一种功能修饰硫化铜氧化亚铜异质结纳米复合材料及其制备方法应用

[发明专利]低温浆料与异质结电池-CN202211731942.8在审
发明人：洪玮;汪山;张林佳;周欣山 -专利权人：苏州晶银新材料科技有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01B1/22 文献下载
摘要：本发明提供了一种低温浆料与异质结电池。该导电粉末包括重量比为20:80‑70:30的第一金属粉和第二金属粉；第一金属粉为球状粉，平均粒径为1‑3μm、振实密度为4.5g/cc以上；第二金属粉为球状粉，平均粒径为0.1‑1.5μm，振实密度3.5g/cc以上；第一金属粉、第二金属粉均经过抗氧剂的表面处理。本发明还提供原料包括上述低温浆料的异质结电池。上述低温浆料具有低电阻率和良好粘接性，并且适用于细线化印刷和小尺寸制绒金字塔的异质结电池生产过程，可有效提升异质结电池的电性能。
低温浆料异质结电池

[实用新型]一种肖特基二极管-CN202320729088.5有效
发明人：张辉;付杰;严丹妮;刘成;叶念慈 -专利权人：湖南三安半导体有限责任公司
申请日： 2023-04-03 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本申请公开了一种肖特基二极管，涉及半导体器件技术领域，本申请的肖特基二极管，包括衬底以及设置于衬底上的异质结，异质结内形成有二维电子气，异质结上间隔设置有阳极电极和阴极电极，阳极电极和阴极电极之间的异质结上设置有应力调节结构，应力调节结构能够通过向阳极电极附近的异质结表面施加压应力增加异质结表面的压应力，以及，通过向阴极电极附近的异质结表面施加张应力增大异质结表面的张应力。本申请提供的肖特基二极管，能够改善现有技术中肖特基二极管的反向泄露电流大、耐压能力差的问题。
一种肖特基二极管

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top