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[发明专利]提高发光效率的红光发光二极管芯片及其制备方法-CN202110435740.8在审
发明人：肖和平;朱迪;王世俊 -专利权人：华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2021-04-22 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本公开提供了提高发光效率的红光发光二极管芯片及其制备方法，属于发光二极管制作领域。红光发光二极管芯片的外延片中，在p型AlInP限制层上依次生长第一布拉格反射镜与第二布拉格反射镜，第一布拉格反射镜包括p‑AlInP子层与p‑AlGaInP子层交替层叠的超晶格结构，第二布拉格反射镜包括采用不同材料制作的第一布拉格反射镜与第二布拉格反射镜，可以反射更大波长范围内的红光光线，红光发光二极管芯片的发光效率可以得到提高。
提高发光效率红光发光二极管芯片及其制备方法

[发明专利]整流二极管管芯制造方法-CN201110322315.4无效
发明人：李治刿;张剑;俞建;李驰明 -专利权人：四川太晶微电子有限公司
申请日： 2011-10-21 - 公布日： 2012-01-18 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明涉及一种整流二极管管芯制造方法。本发明公开了一种整流二极管管芯制造方法，改进了现有技术的生产工艺。本发明的整流二极管管芯制造方法，在管芯制作的扩散工序中，在P区杂质扩散时采用二次扩散工艺，在N-型单晶硅片上形成四层结构，即N+层、N-层、P-层和P+层，得到四层结构的晶粒，提高了P区载流子有效浓度，本发明调整了工序流程，在焊接引线之前进行管芯腐蚀，有利于得到合适的晶粒形状，简化二极管制造工序。本发明的整流二极管管芯特别适合用于制造高压整流二极管。
整流二极管管芯制造方法

[发明专利]一种制作白光发光二极管的方法-CN02128518.7无效
发明人：陈振;韩培德;陆大成;刘祥林;王晓晖;朱勤生;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2002-08-09 - 公布日： 2004-02-11 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明一种制作白光发光二极管的方法，该方法包括如下制备步骤：(1)选择衬底材料，在该衬底上外延生长所需要的材料作为下一步的衬底；(2)对材料表面进行钝化；(3)在上述衬底上生长一层纳米尺寸的量子点作为诱导层；(4)然后再生长一层或多层异质量子点结构，所生长的单/多层异质量子点结构作为发光二极管的活性层；(5)在活性层上再生长一层P型材料；(6)镀一层电极。采用这种方法制作的白光二极管制作工艺简单，重复性好，发光波段和颜色可调。
一种制作白光发光二极管方法

[发明专利]鳍式场效应管制程中变容二极管及其制作方法-CN202011622882.7有效
发明人：陈尚志;张玉静;杨忙;孙至鼎 -专利权人：泉芯集成电路制造（济南）有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种鳍式场效应管制程中变容二极管(Varactor)及其制作方法，可以设置多个阱区，每个阱区上方对应设置鳍形结构、浅沟道隔离层以及栅极，且设置各个阱区所对应的栅极的金属功函数不完全相同，不同金属功函数的栅极与其所对应的阱区以及栅极介电层形成不同的变容二极管；还可以设置P型金属功函数层作为栅极，该栅极与P型掺杂的阱区和栅极介电层形成变容二极管，相对于传统的N型金属功函数层制备的栅极与阱区以及栅极介电层形成单一变容二极管的方案，本发明技术方案在同一器件中形成了多种的变容二极管，可以基于电路设计的需求选择所需的变容二极管。
场效应管制变容二极管及其制作方法

[发明专利]一种肖特基二极管制作工艺及肖特基二极管-CN201710107047.1在审
发明人：程凯 -专利权人：苏州晶湛半导体有限公司
申请日： 2017-02-27 - 公布日： 2018-09-07 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，尤其是一种肖特基二极管制作工艺及肖特基二极管，肖特基二极管包括第一半导体层和第二半导体层，第一半导体层和所述第二半导体层都为n型掺杂的GaN基半导体材料，在第一半导体层的N面形成肖特基接触，在所述第二半导体层的Ga面上形成欧姆接触，在N面上做肖特基接触，可提升器件的性能，解决反向漏电偏大，正向导通压降偏大的问题。
半导体层肖特基二极管肖特基接触制作工艺半导体制造技术正向导通压降反向漏电欧姆接触提升器件

[发明专利]一种低伏电压调整二极管制造方法-CN201811609229.X在审
发明人：李志福 -专利权人：朝阳无线电元件有限责任公司
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明公开了一种低伏电压调整二极管制造方法，涉及半导体分立器件制造技术领域，具体为，所述该低伏电压调整二极管制造方法的工艺过程为：芯片氧化，光刻隔离，隔离N+扩散，光刻P+区，注入，退火，光刻N+区，注入该低伏电压调整二极管制造方法，采用复合穿通工艺制备PN结，设计采用N+P+P‑N+四层结构，通过工艺控制调整两个薄基区的厚度，降低PN结击穿电压，这种结构易于集成，不但适用于单管制造，更方便制成多路ESD保护器件，这种工艺方法制成的低伏电压调整二极管器件具有反向漏电流小、动态电阻小的突出特点，极大地提升极低稳压器件的稳压性能。
电压调整二极管制造光刻退火半导体分立器件隔离背面金属化二极管器件反向漏电流动态电阻工艺过程工艺控制工艺制备击穿电压四层结构稳压器件稳压性能薄基区金属化引线孔穿通单管多路划片减薄合金制造复合芯片扩散

[发明专利]红外发光二极管外延片及其制备方法-CN202110104663.8有效
发明人：李彤;王世俊;邢振远 -专利权人：华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2021-01-26 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本公开提供了红外发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管制作领域。制备红外发光二极管外延片时，生长外延层的衬底选用半绝缘砷化镓衬底，可以避免衬底导电。在半绝缘砷化镓衬底上依次生长的第一本征GaAs层、p型GaAs层与第二本征GaAs层，整体的导电性较弱；且第一本征GaAs层与第二本征GaAs层之间的p型GaAs层，可以起到消耗电子的作用，对电流起到阻挡作用保证电流在红外发光二极管外延层的外延层中稳定流动，保证最终得到的发光二极管外延片的稳定使用。
红外发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]一种注Al离子雪崩光电二极管及其制备方法-CN201810905078.6在审
发明人：陆海;周东;渠凯军 -专利权人：镇江镓芯光电科技有限公司
申请日： 2018-08-09 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本发明公布了一种注Al离子雪崩光电二极管及其制备方法，注Al离子雪崩光电二极管包括：n⁺SiC衬底、n^‑SiC外延层、p型过渡层、p⁺欧姆接触层、保护层、n型电极、p型电极，注Al离子雪崩光电二极管制备方法包括：制作n^‑SiC外延层、制作p⁺欧姆接触层、制作p型过渡层、退火激活修复、制作台面结构、制作保护层、制作电极、器件退火。型过渡层和p⁺欧姆接触层，避免外延生长的记忆效应，利用退火来激活Al离子并修复受损的晶格进而提高器件性能，提供一种可靠性高、更为灵敏、性能更优越、外延工艺简单的注Al离子雪崩光电二极管及其制备方法
光电二极管离子雪崩制备退火欧姆接触层制作记忆效应外延工艺保护层外延层激活修复离子形成器件性能台面结构外延生长电极衬底晶格离子灵敏受损

[发明专利]功率二极管及其制备方法-CN202210423426.2在审
发明人：王群;龚逸品;李鹏;王江波 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2022-04-21 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本公开公开了功率二极管及其制备方法，属于二极管制作领域。在N型重掺杂氮化镓层与N型轻掺杂氮化镓层之间增加AlGaN层，形成的二维电子气也可以促进电子的移动与扩展，降低电阻。在平行于衬底的表面且由肖特基电极指向欧姆电极的方向上，AlGaN层的厚度增加，可以起到控制功率二极管中不同位置处电子的移动速率，降低电子从肖特基电极垂直移动至欧姆电极的概率，使得外延片内各部位的电子在两个电极之间移动的路径接近相同，电子可以更均匀地在功率二极管的内部移动。可以在导通电阻相当的情况下有效提高了电流分布的均匀性，提升了反向击穿电压，提高最终得到的功率二极管的可靠性。
功率二极管及其制备方法

[发明专利]一种等腰梯形式发光二极管的制备工艺-CN201610567049.4有效
发明人：蔡立鹤;张永;陈凯轩;李俊贤;刘英策;陈亮;魏振东;吴奇隆;周弘毅;邬新根;黄新茂;李小平 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2016-07-19 - 公布日： 2018-05-22 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开的一种发光二极管制备工艺，本发明的通过角度互补的方式制作具有等腰梯形截面的发光二极管，先通过光阻层和DBR阻挡层配合塑性，确定等腰梯形截面的倾斜角度，去掉光阻层后在DBR阻挡层之间的间隙中生长第二N‑GaN层、有源层以及P‑GaN，因此形成的发光二极管的角度由光阻层的角度决定，所以只需对光阻层角度进行控制就能够控制发光二极管的角度，而这个角度需要结合预先设定的LED灯高度、宽度等参数来控制。本发明根据发光二极管的宽度、高度来准确地控制反射光的出射角度，实现不同角度的出光结构，以避免光损失，提高出光量。
一种等腰梯形发光二极管制备工艺

[实用新型]一种二极管制造用的烘烤设备-CN202223222809.8有效
发明人：韩育专;赵文 -专利权人：四川航昱微电子科技有限公司
申请日： 2022-12-01 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： F26B9/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及二极管制造技术领域，具体涉及一种二极管制造用的烘烤设备。箱体前侧面铰接设置有箱门，箱体内部靠近下端的位置设置有可拆卸料架，料架上方设置有加热盘，加热盘与箱体的顶板通过固定座固定连接，加热盘位于箱体的内部，箱体内部靠近后侧板的位置设置有扇叶，箱体外部设置有第二电机，第二电机的输出端与扇叶固定连接。通过对二极管在烘烤过程中转动，使二极管的烘烤效果更好，同时转动的扇叶使箱体内的温度更加均匀，有利于二极管的烘烤。
一种二极管制造烘烤设备

[发明专利]一种高可靠SiC肖特基二极管及其制作方法-CN202110662008.4有效
发明人：侯斌;何静博;郭胤;李照;鲁红玲;胡长青 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2021-06-15 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明提供一种高可靠SiC肖特基二极管及其制作方法，通过保护SiC肖特基二极管的肖特基接触区，提高肖特基二极管的可靠性，包括以下步骤：在位于N+衬底的N‑漂移层的表面进行氧化层的淀积；通过光刻刻蚀形成有源区对边缘两侧的氧化层进行腐蚀保留，在SiC晶圆正面退火形成肖特基接触电极；在肖特基接触区通过阳极金属蒸发或溅射和钝化层淀积的交替进行，实现对肖特基接触区的保护；并在钝化层中光刻孔洞，形成上下层金属层之间的互联，高可靠SiC肖特基二极管制作完成
一种可靠 sic 肖特基二极管及其制作方法

[实用新型]贴片式发光二极管-CN201020558128.7有效
发明人：王玉春;张木荣 -专利权人：北京吉乐电子集团有限公司
申请日： 2010-10-12 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种贴片式发光二极管，它包括基板、电极、发光二极管芯片、环氧树脂层组成，在透明的铜膜环氧树脂基板上刻出一对连接用电极，将发光二极管芯片直接封装在铜膜环氧树脂板上的一对连接用电极之间，发光二极管芯片部分的表面用环氧树脂层包封本实用新型由于采用了透明材料铜膜环氧树脂板为基板，这样可以让光透过基板除去了铜膜部分两面发光、发光角度大；同时由于电极在一个平面上，使多个单元相互连接可直接用软导线相连，可弯曲的角度很大，降低整体高度，克服了用普通发光二极管制作时弯折管脚容易折断的缺陷
贴片式发光二极管

[实用新型]一种多彩装饰灯-CN200520119849.7无效
发明人：徐培鑫 -专利权人：徐培鑫
申请日： 2005-12-06 - 公布日： 2007-04-18 - 主分类号： F21S10/02 文献下载
摘要：一种多彩装饰灯，包括由若干发光二极管组成的灯体，其特点在于：所述灯体由三个基色分别为红、绿、蓝的发光二极管成束状组成，且灯体外套有混色灯罩。本实用新型利用混色原理，通过数字控制装置控制使三基色发光二极管有序组合而发出七种不同色彩的光；由于灯体设置由发光二极管成束状组成，灯体体积变小，与单个发光二极管制成的装饰灯的体积相差不大，当灯体外罩有混色灯罩后本实用新型结构简单、生产成本低、亮度高、色彩艳丽、耗电少，可适用于制作各种装饰灯灯串，使用范围广泛。
一种多彩装饰

[实用新型]一种用于二极管制备的高温测试机-CN201921878569.2有效
发明人：刘新平;李寒明 -专利权人：河北爱迪灯具有限公司
申请日： 2019-11-04 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本实用新型涉及高温测试机技术领域，特别是涉及一种用于二极管制备的高温测试机，在使用用于二极管制备的高温测试机对二极管进行高温检测时，通过前滑杆和后滑杆将安装座拉出，并将二极管依次安装于测试座上，将安装座推入测试箱内，通过操作箱依次连通测试座的电路对二极管进行检测，整体操作简单，检测效率较高，实用性较强；包括底座、测试箱和进料口，测试箱固定设置于底座的顶端右侧，测试箱内部设置有内腔；还包括后滑槽、后滑杆、前滑槽、前滑杆
一种用于二极管制备高温测试