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[发明专利]肖特基二极管及其制备方法-CN202210900661.4在审
发明人：王国峰;李京兵;呼彩霞 -专利权人：北海惠科半导体科技有限公司
申请日： 2022-07-28 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本申请公开了一种肖特基二极管及其制备方法，涉及半导体芯片制造技术领域。该肖特基二极管制备方法在制备肖特基二极管时，首先提供肖特基二极管芯片，肖特基二极管芯片具有势垒层。如此，当在剥离层的第一通孔内形成第一金属层时，即可使第一金属层正对势垒层，从而使第一金属层作为肖特基二极管的阳极。其中，沿远离肖特基二极管芯片的方向第一通孔的直径线性减小。如此，可以减小剥离层与第一金属层之间的结合力，便于剥离层的剥离，从而提高肖特基二极管的制备速率。
肖特基二极管及其制备方法

[发明专利]基于SPiN二极管的频率可重构套筒偶极子天线制备方法-CN201611183890.X有效
发明人：左瑜;张亮 -专利权人：西安科锐盛创新科技有限公司
申请日： 2016-12-20 - 公布日： 2019-09-24 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于SPiN二极管的频率可重构套筒偶极子天线制备方法。该方法包括：在半导体基片上按照天线的结构特征制作SPiN二极管；采用半导体工艺将多个SPiN二极管的P+接触区及N+接触区依次串接形成多个SPiN二极管串；制作连接SPiN二极管串与电源的直流偏置线；采用半导体工艺对SPiN二极管串进行制作形成SPiN二极管天线臂、第一SPiN二极管套筒及第二SPiN二极管套筒；制作同轴馈线以连接SPiN二极管天线臂、第一SPiN二极管套筒及第二SPiN二极管套筒最终形成天线。通过金属直流偏置线控制SPiN二极管导通时形成的等离子天线臂及套筒长度以实现天线工作频率的可重构。本发明的天线具有易集成、可隐身、频率可快速跳变的特点。
基于 spin 二极管频率可重构套筒偶极子天线制备方法

[发明专利]白光发光二极管及白光发光二极管灯-CN200910098188.7有效
发明人：张亚素;李海波 -专利权人：宁波晶科光电有限公司
申请日： 2009-05-05 - 公布日： 2010-11-10 - 主分类号： F21S2/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有高显色性的白光发光二极管和灯，该白光发光二极管包括-导热基座、起混光作用的反光杯，且在该反光杯内壁面上设置小突起；至少6个输出不同颜色光的发光二极管芯片，设置在一个导热基座上进行电组合一形状和大小与所述的发光杯底部相配合的引线架，该引线架安装在反光杯外，并固定在底座的上表面上；芯片的电极与引线架上的引线电连接，芯片上覆盖透明光学材料；通过反光杯的反射壁漫反射，把多色光均匀混合，而制成具有高显色性高效率的白光发光二极管应用该白光发光二极管制作的白光发光二极管灯和平面光源，该灯消除了荧光粉在光色转换中对光能的损耗，因此电光转换效率高，使用寿命长，便于批量生产。
白光发光二极管

[实用新型]白光发光二极管、白光发光二极管灯泡及平面光源-CN200920119268.1有效
发明人：张亚素;李海波 -专利权人：宁波晶科光电有限公司
申请日： 2009-05-05 - 公布日： 2010-05-12 - 主分类号： F21S2/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有高显色性的白光发光二极管和灯，该白光发光二极管包括一导热基座、起混光作用的反光杯，且在该反光杯内壁面上设置小突起；至少6个输出不同颜色光的发光二极管芯片，设置在一个导热基座上进行电组合一形状和大小与所述的发光杯底部相配合的引线架，该引线架安装在反光杯外，并固定在底座的上表面上；芯片的电极与引线架上的引线电连接，芯片上覆盖透明光学材料；通过反光杯的反射壁漫反射，把多色光均匀混合，而制成具有高显色性高效率的白光发光二极管应用该白光发光二极管制作的白光发光二极管灯和平面光源，该灯消除了荧光粉在光色转换中对光能的损耗，因此电光转换效率高，使用寿命长，便于批量生产。
白光发光二极管灯泡平面光源

[发明专利]一种发光二极管激光刻蚀方法-CN201210472579.2有效
发明人：王磊;李国琪;余志炎 -专利权人：无锡华润华晶微电子有限公司
申请日： 2012-11-20 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管激光刻蚀方法，所述方法用于进行集成式发光二极管的隔离沟槽的刻蚀，所述方法包括按照预定尺寸用于制造所述集成式发光二级管的外延片表面制作沟槽图形；通过激光划刻设备按照沟槽图形对所述外延片的外延层进行沟槽的划刻本发明还公开了利用激光刻蚀的集成式发光二极管制造方法。本发明通过利用激光划刻设备来进行集成式发光二极管的隔离沟槽刻蚀，不需要生长很厚的掩模层，减小了隔离沟槽形成时间，减小了工序长度，提高了产品的良率，大大降低了产品成本。
一种发光二极管激光刻蚀方法

[发明专利]一种准垂直结构GaN肖特基势垒二极管及其制备方法-CN202310101736.7有效
发明人：武乐可;李亦衡;朱廷刚 -专利权人：江苏能华微电子科技发展有限公司
申请日： 2023-02-13 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明提供了一种准垂直结构GaN肖特基势垒二极管及其制备方法，属于二极管制备技术领域。层表面低温生长非掺杂GaN层；所述GaN层不做任何掺杂；所述GaN层的厚度小于5nm；所述低温生长的温度为500~700℃；采用强碱性溶液对所述GaN层进行表面腐蚀，形成平整的GaN层；在所述平整的GaN层表面制作肖特基电极，在需要制作欧姆接触的区域，刻蚀N‑GaN层直至暴露出N+GaN层，在暴露出的N+GaN层表面制作欧姆电极，得到准垂直结构GaN肖特基势垒二极管。
一种垂直结构 gan 肖特基势垒二极管及其制备方法

[发明专利]有机发光二极管制造方法-CN200710074232.1有效
发明人：王世昌;黄荣龙 -专利权人：群康科技（深圳）有限公司;群创光电股份有限公司
申请日： 2007-04-27 - 公布日： 2008-10-29 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本发明涉及一种有机发光二极管制造方法，其包括以下步骤：提供一绝缘基板；在该绝缘基板上沉积一导电薄层，作为第一电极；在该第一电极上继续沉积该导电薄层，同时通入含氧的氧化性气体，形成第二电极，图案化该第一电极与第二电极该有机发光二极管制造方法可使形成的有机发光二极管阳极功函数较高。
有机发光二极管制造方法

[发明专利]Ge基频率可重构套筒偶极子天线的制备方法-CN201611184738.3在审
发明人：左瑜;张亮 -专利权人：西安科锐盛创新科技有限公司
申请日： 2016-12-20 - 公布日： 2017-06-27 - 主分类号： H01Q1/22 文献下载
摘要：该方法包括选取GeOI衬底；在所述GeOI衬底上制作多个相同的横向SPiN二极管；光刻PAD以形成多个所述横向SPiN二极管的串行连接；制作直流偏置线以连接所述横向SPiN二极管与直流偏置电源，并将多个所述横向SPiN二极管分割形成多个SPiN二极管串；划分所述SPiN二极管串形成所述SPiN二极管天线臂、所述第一SPiN二极管套筒及所述第二SPiN二极管套筒；制作所述同轴馈线以连接所述SPiN二极管天线臂、所述第一SPiN二极管套筒及所述第二SPiN二极管套筒，最终形成所述套筒偶极子天线。
ge 基频率可重构套筒偶极子天线制备方法

[发明专利]一种二极管制造用上胶模具-CN201610310158.8在审
发明人：管建平 -专利权人：常州市武进恒辉通信设备有限公司
申请日： 2016-05-12 - 公布日： 2016-07-27 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种二极管制造用上胶模具，包括主体，所述主体为中空结构，且主体的内腔一侧设置有隔板，所述隔板的一侧设置有第一移动板，该第一移动板的底端设置有滑动块，所述滑动块的一端设置有第一固定板，该第一固定板的顶部设置有上胶筒该二极管制造用上胶模具，采用设置主体、隔板、第一移动板、滑动块、第一固定板、上胶筒和放置腔、第二移动板和第二固定板，相互配合使用，有效的方便了二极管的上胶和上胶后的拿取，同时防止了二极管的排列不齐的使得二极管沾染残胶多
一种二极管制造用上模具

[实用新型]一种二极管制造用上胶模具-CN201620424947.X有效
发明人：管建平 -专利权人：常州市武进恒辉通信设备有限公司
申请日： 2016-05-12 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种二极管制造用上胶模具，包括主体，所述主体为中空结构，且主体的内腔一侧设置有隔板，所述隔板的一侧设置有第一移动板，该第一移动板的底端设置有滑动块，所述滑动块的一端设置有第一固定板，该第一固定板的顶部设置有上胶筒该二极管制造用上胶模具，采用设置主体、隔板、第一移动板、滑动块、第一固定板、上胶筒和放置腔、第二移动板和第二固定板，相互配合使用，有效的方便了二极管的上胶和上胶后的拿取，同时防止了二极管的排列不齐的使得二极管沾染残胶多
一种二极管制造用上模具

[发明专利]一种全喷墨打印倒置结构量子点发光二极管制备方法-CN201811593369.2在审
发明人：李宏;吴智鑫;叶琪;刘立旺 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2018-12-25 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种全喷墨打印倒置结构量子点发光二极管制备方法，全喷墨打印倒置结构量子点发光二极管的结构依次为石墨烯电极、量子点发光层、介电层、电子传输层和导电基底。制备方法包括将电子传输层、介电层、量子点发光层、石墨烯层依次喷墨打印，层层叠加，得到量子点发光二极管。除了量子点层和介电层，其余每层在喷墨打印后都要进行退火处理。本发明的全喷墨打印倒置结构量子点技术所有层均为喷墨打印，节约材料，降低成本，并且可以在柔性或非柔性导电基底上制作大面积器件，适合用于大规模工业生产。本发明将石墨烯同时作为空穴注入层与阳极，精简了量子点发光二极管的制备过程。
量子点喷墨打印发光二极管倒置结构介电层制备电子传输层导电基发光层石墨烯空穴注入层阳极层层叠加节约材料量子点层石墨烯层退火处理制备过程非柔性电极制作

[发明专利]一种半导体发光二极管制作设备-CN201910394915.8在审
发明人：余丹丹 -专利权人：杭州奇伶服饰有限公司
申请日： 2019-05-13 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体发光二极管制作设备，包括底座以及安装在所述底座上的加工机体，所述加工机体开口朝下设有开口腔，所述开口腔内安装有切断机体以及驱动所述切断机体上下循环运动的驱动设备，所述驱动设备包括固定安装于所述开口腔顶壁的固定架，所述固定架内设有环状腔，所述环状腔左右两侧壁分别设有通孔，所述开口腔顶壁还安装有固定杆，所述固定杆转动连接驱动轴；本发明能够快速地对切断的厚度进行调整以及可便捷对半导体发光二极管进行夹持，并且还能够往复循环对半导体发光二极管进行切断，而且本发明也无需人工往复对半导体发光二极管重新夹持，切断效率高，值得推广使用。
半导体发光二极管开口腔驱动设备制作设备固定杆固定架环状腔顶壁夹持底座上下循环运动机体开口往复循环转动连接左右两侧驱动轴通孔加工驱动

[发明专利]一种四元系透明衬底发光二极管及其制作方法-CN201711048315.3有效
发明人：李波;杨凯;邹微微;徐洲;张双翔 -专利权人：扬州乾照光电有限公司
申请日： 2017-10-31 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： H01L33/30 文献下载
摘要：本申请提供一种四元系透明衬底发光二极管制作方法和四元系透明衬底发光二极管，提出透明衬底键合技术，将四元系GaAs衬底发光二极管外延片转移至透明衬底上，代替吸光材质的衬底，从而提高发光效率，另外，对GaP层进行了粗化，并且在GaP层上形成了渐变折射率复合薄膜层，所述渐变折射率复合薄膜层能够增加透光率，进一步提高发光二极管的光提取率。
一种四元系透明衬底发光二极管及其制作方法

[发明专利]发光二极管外延片的制备方法及发光二极管外延片-CN202010936378.8有效
发明人：洪威威;王倩;梅劲;张奕;董彬忠 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2020-09-08 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本公开提供了发光二极管外延片的制备方法及发光二极管外延片，属于发光二极管制作领域。生长多量子阱层中的InGaN阱层时，向反应腔内通入In源、Ga源与N源，生长InGaN薄膜。最终循环生长得到的InGaN阱层的晶体质量较好，多量子阱层的晶体质量得到提高，最终提高发光二极管的发光效率。
发光二极管外延制备方法

[发明专利]一种发光二极管及其制造方法-CN201210051885.9无效
发明人：郝茂盛;张楠 -专利权人：上海蓝光科技有限公司
申请日： 2012-03-01 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管及其制造方法，通过对生长衬底进行刻蚀以在其表面形成藉由多个V形槽隔成的多个三角形或/及菱形模块，以形成阵列衬底，然后在所述阵列衬底上形成至少包括N-GaN层、量子阱层及P-GaN层的图形化发光外延结构，最后制作透明导电层、P电极及、N电极，以制造出具有三角形或/及菱形阵列结构的发光二极管。采用本发明制造方法的发光二极管能降低芯片对光线的全反射及吸收，大大的提高了芯片的出光率。本发明工艺简单，兼容于一般的发光二极管制造工艺，适用于工业生产。
一种发光二极管及其制造方法

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