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[发明专利]一种高亮度发光二极管制作的微型手电-CN201810087232.3在审
发明人：袁德梅 -专利权人：南通知航机电科技有限公司
申请日： 2018-01-30 - 公布日： 2018-05-29 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本发明公开了一种高亮度发光二极管制作的微型手电，包括电源、电源开关、电阻及发光二极管，所述电源的正极通过导线连接到所求电源开关的一端，所述电源开关的另一端通过导线连接到所述电阻的一端，所述电阻的另一端通过导线连接到所述发光二极管的阳极，所述发光二极管的阴极通过导线连接到所述电源的负极，所述发光二极管的内部设有阳极支架，所述阳极支架的一端设有引脚，所述引脚上设有第一焊接点和第二焊接点，由于引脚上设有两个焊接点，因此能够更加方便的同时焊接两个或多个导线
发光二极管导线连接焊接点电源开关电阻引脚焊接高亮度发光二极管电源微型手电阳极支架圆孔阴极正极导线穿过焊接导线负极阳极制作

[发明专利]碳化硅肖特基二极管的衬底减薄方法和制作方法-CN202211567962.6有效
发明人：罗寅;谭在超;丁国华 -专利权人：苏州锴威特半导体股份有限公司
申请日： 2022-12-08 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：本发明涉及肖特基二极管制作技术领域，公开了碳化硅肖特基二极管的衬底减薄方法和制作方法，在实际使用时，本发明在对碳化硅肖特基二极管的碳化硅衬底进行减薄时，先通过第一研削工艺和第二研削工艺可以高效、快速的减薄衬底，保证碳化硅肖特基二极管的生产速度不会太低，然后通过激光辐照碳化硅衬底并将其分解为石墨烯可以有效修复研削工艺对碳化硅衬底造成的损失，降低减薄工艺对器件性能造成的不良影响；另外由于是最后通过激光辐照来减薄碳化硅衬底
碳化硅肖特基二极管衬底方法制作方法

[发明专利]暖白光二极管制备方法及其二极管-CN201010603451.6无效
发明人：唐任高 -专利权人：东莞市源鑫照明科技有限公司
申请日： 2010-12-21 - 公布日： 2011-07-27 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种暖白光二极管制备方法，其包括以下步骤：1)预备原料；2)称重配比；3)制备荧光胶；4)注胶；5)烘烤；6)成品：所述烘烤步骤完成后，制得暖白光二极管成品。其还公开了一种实施该暖白光二极管制备方法的二极管；本发明提供的方法制造工艺简易，成本低且保证产品质量，满足大批生产的要求；本发明提供的二极管的结构简单，体积小，应用灵活，荧光胶配比合理，除了能提高白光色区的集中性
白光二极管制备方法及其

[发明专利]微型发光二极管外延片的制备方法-CN202010936345.3有效
发明人：洪威威;王倩;梅劲;张奕;董彬忠 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2020-09-08 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本公开公开了微型发光二极管外延片的制备方法，属于发光二极管制作领域。在衬底上生长n型层时，以较低的生长压力生长n型层，MO源可以充分反应得到质量较好的n型层。发光层的生长压力整体的生长压力相对n型层更低，发光层中的In原子也有足够的时间渗入发光层中，提高发光层捕捉载流子的能力与微型发光二极管的发光均匀度。整体提供微型发光二极管的出光均匀度的同时也不会过度提高微型发光二极管的成本。
微型发光二极管外延制备方法

[发明专利]发光二极管及其制作方法-CN201510188028.7在审
发明人：艾国齐;汪延明;苗振林;徐平 -专利权人：湘能华磊光电股份有限公司
申请日： 2015-04-20 - 公布日： 2015-07-22 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本申请公开了一种发光二极管及其制作方法。本申请的发光二极管制作方法包括：在衬底材料上制作外延片；在所述外延片上刻蚀晶圆图形，露出台阶并形成切割道；在刻蚀后的晶圆的正面沉积保护层；沿所述切割道对沉积所述保护层后的所述晶圆进行切割；清洗所述切割道的侧壁；制作电流阻挡层；制作电流扩展导电层；在所述电流扩展导电层中进行开孔，对所述开孔和所述切割道侧壁进行蒸镀，用以制作金属电极；以及制作钝化层。本申请的发光二极管及其制作方法对于小尺寸芯片，可以解决尺寸过小导致的P、N金属电极距离过近无法焊线的问题，提升芯片品质；对于大功率芯片，可以减少电极过多导致的挡光现象，提升芯片出光效率，增加亮度。
发光二极管及其制作方法

[实用新型]一种可快速分类的高效二极管检测装置-CN202222067634.1有效
发明人：张帆 -专利权人：江苏宝浦莱半导体有限公司
申请日： 2022-08-08 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本申请公开了一种可快速分类的高效二极管检测装置，属于二极管制造技术领域。主要包括包括至少两组电极片、卡合组件，其特征在于：所述电极片用于将二极管接入测试电路，所述卡合组件用于带动各组电极片分别夹持二极管一侧的引脚，所述卡合组件包括转动结构，所述转动结构用于支撑组件打开一侧的电极片让二极管从一侧落下，通过卡合结构将二极管引脚进行卡合，再通过通电检测结构对二极管进行合格检测，手动调节转动结构对二极管进行分类，落入下方的收集槽内，本申请的一种可快速分类的高效二极管检测装置达到快速对二极管合格品和残次品分类的效果
一种快速分类高效二极管检测装置

[发明专利]感光二极管及其制作方法-CN201110335255.X有效
发明人：吴小利 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2011-10-28 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种感光二极管的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底内形成有阱区，所述阱区内形成有第一掺杂区；在所述第一掺杂区表面形成栅极结构；在所述栅极结构一侧的阱区内形成感光二极管的深掺杂区；形成位于所述栅极结构两侧的侧墙本发明提供感光二极管制作方法，使感光二极管中光电子一次传输，提高成像质量。
感光二极管及其制作方法

[发明专利]高亮度发光二极管及制备方法-CN201210452575.8在审
发明人：丁国建;陈弘;贾海强;王晓晖;宋京;张荣勤;罗惠英 -专利权人：天津中环新光科技有限公司;中国科学院物理研究所
申请日： 2012-11-12 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：一种高亮度发光二极管及制备方法，设有砷化镓（GaAs）衬底，砷化镓（GaAs）衬底上由下至上依次设有砷化铝（AlAs）剥离层，n型限制层，构成发光二极管的核心发光区域的多量子阱有源区, p型限制层，作为永久衬底层的p型窗口层，通过上述层结构的相互连接构成一发光二极管结构。其中，n型限制层的底面上还设有高反射率金属反射层；在金属反射层的底面上设有n型电极，并形成一芯片；经切割后的芯片成为发光二极管（LED）所需的芯片。本发明采用直接外延生长一层磷化镓（GaP）做为发光窗口层和永久衬底层的方式，用以取代现有金属反射器工艺中二次衬底贴附（bonding）的步骤，不仅大大增加了光的提取效率、简化了制作工艺，而且，还提高了发光二极管制作工艺的稳定性和产品的良品率
亮度发光二极管制备方法

[发明专利]一种具有侧壁反射层的发光二极管制备方法及发光二极管-CN201710273545.3有效
发明人：蔡家豪;马建华;魏峰;陈明浩;吴钊;邱智中;张家宏 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2017-04-25 - 公布日： 2019-02-22 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明属于半导体领域，尤其涉及具有侧壁反射层的发光二极管制备方法及采用该方法制备而成的发光二极管。该方法采用紫外激光照射相邻晶粒之间的镀膜材料，通过激光沉积原理制备发光二极管侧壁的反射层，工艺简单，节省制备成本。
一种具有侧壁反射层发光二极管制备方法

[实用新型]发光二极管变色灯泡-CN02234134.X无效
发明人：杨建平 -专利权人：杨建平
申请日： 2002-05-15 - 公布日： 2003-04-09 - 主分类号： F21S10/02 文献下载
摘要：一种用各种颜色发光二极管制作的发光二极管变色灯泡，包含壳体(1)、乳白色透光灯罩(2)、发光二极管(3)构成，在壳体内电路板(4)中CD40193(5)连接有预置数电路(7)、加减计数输入端(8)、复位输入端(9)，CD40193(5)输出端连接恒流源电路(6)输入端，恒流源(6)与所控制的发光二极管组(3)连接。在上述电路的控制下发光二极管组(3)的光发射到灯罩(2)上，实现发光颜色配比红+蓝＝紫蓝+绿＝青红+绿＝黄红+蓝+绿＝白加上红、蓝、绿颜色，使发光二极管变色灯泡发出七种颜色光。在所述的壳体(1)呈圆筒状，其底部有二个用于安装在其它物体上的脚(10)，壳体下部有一孔(11)，电源线、计数输入线和复位输入线，共五条线(12)从该孔引到灯泡外边；采用了圆柱状平头发光二极管，发出的光线散开
发光二极管变色灯泡

[发明专利]金属电极具有阵列型微结构的发光二极管及其制造方法-CN201210349636.8有效
发明人：周圣军;王书方 -专利权人：广东量晶光电科技有限公司
申请日： 2012-09-18 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本申请提供了一种金属电极具有阵列型微结构的发光二极管，包括外延片衬底和制备在外延片衬底上的多层结构，所述多层结构由下至上依次为缓冲层、第一型半导体层、多量子阱活性层、电子阻挡层、第二型半导体层和透明电流扩展层，第一型金属电极和第二型金属电极制备在透明电流扩展层之上，且第一型金属电极和透明电流扩展层与第二型半导体层之间由绝缘层隔开。本申请还提供了相应的发光二极管制作方法。本发明能够明显改善发光二极管芯片在制造过程中有源区面积大幅减小的情况，可以有效的提高发光二极管的光功率。
金属电极具有阵列微结构发光二极管及其制造方法

[发明专利]发光二极管芯片及其制备方法-CN202110330165.5有效
发明人：林云真;刘源;沈燕;郝亚磊;尹灵峰 -专利权人：华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明公开了发光二极管芯片及其制备方法，属于发光二极管制作领域。斥水膜层层叠在钝化保护层上的同时，斥水膜层还延伸至n电极的外周壁与p电极的外周壁上，则斥水膜层直接覆盖了钝化保护层的第一通孔与第二通孔，与n电极及p电极之间的间隙，将间隙与外界进行隔绝，避免水汽从第一通孔与第二通孔所在的位置进入发光二极管芯片的内部，可以减小发光二极管芯片受到水汽的影响，延长发光二极管芯片的使用寿命。且斥水膜层本身位于在钝化保护层的表面，也可以减小水汽通过钝化保护层进入芯片内部的可能，也可以一定程度上延长钝化保护层本身的使用寿命，也可以提高发光二极管芯片的使用寿命。
发光二极管芯片及其制备方法

[发明专利]具有复合保护层的发光二极管芯片及其制备方法-CN202110474799.8有效
发明人：兰叶;吴志浩;王江波;陶羽宇 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2021-04-29 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明公开了具有复合保护层的发光二极管芯片及其制备方法，属于发光二极管制作领域。斥水膜层层叠在复合保护层上的同时，斥水膜层还延伸至n电极的外周壁与p电极的外周壁上，则斥水膜层直接覆盖了复合保护层的第一通孔与第二通孔，与n电极及p电极之间的间隙，将间隙与外界进行隔绝，避免水汽从第一通孔与第二通孔所在的位置进入发光二极管芯片的内部，可以减小发光二极管芯片受到水汽的影响，延长发光二极管芯片的使用寿命。且斥水膜层本身位于在复合保护层的表面，也可以减小水汽通过复合保护层进入芯片内部的可能，也可以一定程度上延长复合保护层本身的使用寿命，也可以提高发光二极管芯片的使用寿命。
具有复合保护层发光二极管芯片及其制备方法

[发明专利]发光二极管制作方法-CN202111435249.1有效
发明人：徐平;许孔祥 -专利权人：湘能华磊光电股份有限公司
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本申请公开了一种发光二极管制作方法，依次包括：处理衬底、生长低温GaN缓冲层、生长非掺杂GaN层、生长掺杂Si的n型GaN层、生长多量子阱层、生长u‑GaN/Inm二极管制作方法来减少芯片的翘曲度，提升外延片的波长和亮度的分布均匀性，从而提升氮化镓发光二极管的发光亮度。
发光二极管制作方法

[发明专利]一种抗电磁干扰新型二极管制备方法-CN201810441272.3在审
发明人：严宗周 -专利权人：严宗周
申请日： 2018-05-10 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种抗电磁干扰新型二极管制备方法，抗电磁干扰新型二极管包括二极管基体以及二极管基体表面封装层，二极管基体表面封装层主要成分是铁氧磁体和环氧树脂，铁氧磁体含量48～86%，环氧树脂含量6～12%，铁氧磁体具备抗电磁干扰特性，并且铁氧磁体与环氧树脂调制，经硬化剂混制形成具有抗电磁干扰的胶体，具有抗电磁干扰的胶体采用EMC塑封工艺注入二极管基体表面封装层，二极管同时具备良好单向导电性与强抗电磁干扰特性，并且二极管经过EMC塑封工艺的处理密封强度大大提升。
二极管抗电磁干扰铁氧磁体环氧树脂基体表面封装层塑封工艺制备单向导电性硬化剂调制混制密封