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[发明专利]制品及其制备方法-CN202310710475.9在审
发明人：王绘凝;栗伟;韩艺蕃;郝亚磊;龚逸品;梅劲;王江波 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2023-06-14 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本公开提供了一种制品及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该制品包括衬底、外延结构区域、调整电极和固定电极，外延结构区域排布于衬底上，调整电极和固定电极均位于对应的外延结构区域的表面，且调整电极和固定电极间隔排布；多个外延结构区域包括第一外延结构区域和第二外延结构区域，第一外延结构区域对应的调整电极和固定电极之间的距离与第二外延结构区域对应的调整电极和固定电极之间的距离不同，和/或，第一外延结构区域对应的调整电极和第二外延结构区域对应的调整电极的横截面积不同，且在相同电压作用下，第一外延结构区域的亮度值为第二外延结构区域的亮度值的95％至105％。本公开实施例能提升LED器件亮度的均匀性。
制品及其制备方法

[发明专利]改善翘曲的发光二极管及其制备方法-CN202310815681.6在审
发明人：姚振;从颖;龚逸品;梅劲 -专利权人：华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2023-07-05 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本公开提供了一种改善翘曲的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该制备方法包括：向反应腔内通入Ga源，以在衬底的表面生长GaN层；停止通入所述Ga源持续第一时长；通入Al源持续第二时长，使Al源与所述GaN层反应形成第一AlGaN层；通入所述Ga源和所述Al源，在所述第一AlGaN层的基础上继续生长第二AlGaN层，得到缓冲层。本公开实施例能释放缓冲层内的应力，改善缓冲层容易出现翘曲的问题。
改善发光二极管及其制备方法

[实用新型]发光二极管-CN202320542027.8有效
发明人：张奕;龚逸品;梅劲;王江波 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2023-03-13 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本公开提供了一种发光二极管，涉及半导体技术领域。该发光二极管包括衬底、发光结构和第一分布式布拉格反射镜层，所述衬底具有相对的承载面和出光面，所述发光结构位于所述承载面上，所述第一分布式布拉格反射镜层位于所述出光面上，所述第一分布式布拉格反射镜层远离所述衬底的表面包括第一区域和第二区域，所述第一区域所在的平面和所述第二区域所在的平面呈钝角，且所述钝角的开口朝向远离所述衬底的方向。该发光二极管能够增加以较大的出射角度向发光二极管的边缘方向出射的光，使发光二极管具有较大的出光角度，并且还能够减少光线的反射次数来降低光损耗，保证发光二极管具有较高的出光效率和亮度。
发光二极管

[发明专利]显示面板及其显示方法、显示装置-CN202310594322.2在审
发明人：陈张笑雄;龚逸品;王江波 -专利权人：华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2023-05-24 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G02F1/1675 文献下载
摘要：本公开提供了一种显示面板及其显示方法、显示装置，属于显示器件领域。所述显示面板包括衬底以及位于衬底上的多个像素单元，每个像素单元包括，位于衬底上的LED子单元和第一电子墨水子单元、以及覆盖LED子单元和第一电子墨水子单元的钝化层；LED子单元包括依次层叠在衬底上的第一导电型半导体层、发光层和第二导电型半导体层，以及位于第一导电型半导体层上的第一电极和位于第二导电型半导体层上的第二电极；第一电子墨水子单元包括依次层叠在衬底上的第一像素电极、阻光层、第一电子墨水微球、导光层和第二像素电极，以及一端与第一像素电极连接、另一端穿过阻光层和导光层的电极延伸部。
显示面板及其方法显示装置

[发明专利]提高出光均匀程度的发光二极管外延片及制备方法-CN202111574240.9有效
发明人：王群;龚逸品;陶羽宇;茅艳琳;李鹏;王江波 -专利权人：华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本公开提供了提高出光均匀程度的发光二极管外延片及制备方法，属于发光二极管制作领域。第一应变调节层包括依次层叠的第一调节子层与第二调节子层，第一调节子层中Al组分由0.7～1降低至0.05～0.2，第二调节子层中Al组分不变，且第二调节子层中Al组分与第一调节子层靠近第二调节子层的表面的Al组分相同，第一调节子层的厚度为第二调节子层的厚度的1～3倍。抵消部分热应力，提供张应力。第二应变调节层上中n型GaN调节子层与n型InGaN过渡到InGaN/GaN多量子阱层，In的分布更均匀，In在不同位置析出的情况也少，可以有效提高最终得到的发光二极管的出光均匀度。
提高均匀程度发光二极管外延制备方法

[发明专利]量子点的制备方法-CN202310577167.3在审
发明人：张奕;龚逸品;梅劲;王江波 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2023-05-18 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本公开提供了一种量子点的制备方法，属于光电子制造技术领域。该制备方法包括：提供一衬底；在所述衬底的表面形成隔离层；对所述隔离层进行等离子体处理，使所述隔离层露出六方相的晶面；在所述隔离层远离所述衬底的表面生长III族氮化物量子点。本公开实施例能提升量子点的制备效率。
量子制备方法

[发明专利]具有白光转换层的发光器件、电子设备及制备方法-CN202310351866.6在审
发明人：陈张笑雄;张舜;胡任浩;龚逸品;王江波 -专利权人：华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2023-04-04 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：本公开提供了一种具有白光转换层的发光器件、电子设备及制备方法，属于显示技术领域。该发光器件，包括：发光二极管芯粒和白光转换层；白光转换层包括CsPbBr3钙钛矿纳米晶体层和CsPbI3钙钛矿纳米晶体层，CsPbBr3钙钛矿纳米晶体层和CsPbI3钙钛矿纳米晶体层均位于发光二极管芯粒的出光面。本公开能够提高发光器件的外量子效率。
具有白光转换发光器件电子设备制备方法

[发明专利]石墨载盘-CN202310514147.1在审
发明人：从颖;姚振;龚逸品;梅劲 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2023-05-08 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C30B25/12 文献下载
摘要：本公开提供了一种石墨载盘，属于半导体制造领域。所述石墨载盘包括多个均匀分布的圆形第一凹槽以及多个第二凹槽，每个所述第二凹槽环绕第一凹槽布置，并且所述第二凹槽与所述第一凹槽连通，第二凹槽的深度低于第一凹槽的深度，其中第一凹槽用于承载衬底。本公开通过制作围绕第一凹槽的第二凹槽，来减少在外延生长过程中，石墨载盘高速旋转所导致第一凹槽内部气流往外逸散的现象，以及凸起产生的扰流，从而减少第一凹槽往外逸散的气流，以及凸起产生的扰流对其他第一凹槽内部气流的干扰，进而减少对第一凹槽内部温度分布产生的干扰，提升在第一凹槽承载的衬底上生长的外延片的均匀性。
石墨

[发明专利]石墨载盘-CN202310325899.3在审
发明人：陈张笑雄;胡任浩;张舜;龚逸品 -专利权人：华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： C30B25/12 文献下载
摘要：本公开提供了一种石墨载盘，涉及半导体技术领域。该石墨载盘包括石墨覆盖盘，所述石墨覆盖盘的承载面具有多个第一凹槽，所述第一凹槽的侧壁具有多个凸起结构，所述多个凸起结构沿所述第一凹槽的圆周方向分布。外延片的生长过程中，部分载流气体会流入第一凹槽的侧壁与行星盘之间的缝隙区域。第一凹槽侧壁上的多个凸起结构，使得流入该缝隙区域的载流，更容易形成湍流状态的载流场，湍流状态的载流场使得副反应生成物不易在该缝隙区域中堆积，避免了行星盘的旋转受到阻碍，从而影响到外延片的均匀性，同时也防止了行星盘旋转时，部分堆积的副产物被甩落至正在生长的外延片上，有利于提高外延片的晶体质量。
石墨

[发明专利]显示面板、显示装置及显示面板的制作方法-CN202310347341.5在审
发明人：王群;龚逸品;陈张笑雄;吴志浩;梅劲;王江波;刘榕 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2023-03-29 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L33/58 文献下载
摘要：本公开提供了一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法，属于显示技术领域。该显示面板，包括：驱动背板、发光件和导光组件；发光件位于驱动背板的一面；导光组件位于发光件背向驱动背板的一面，导光组件包括多个导光件，各导光件沿发光件背向驱动背板的一面依次排布，导光件包括锥部和球部，锥部的底端与球部相连，球部相较于锥部靠近发光件。本公开能够提高发光件的亮度一致，降低检测成本。
显示面板显示装置制作方法

[发明专利]显示面板、显示装置及显示面板的装配方法-CN202310276467.8在审
发明人：王群;龚逸品;陈张笑雄;吴志浩;梅劲;王江波;刘榕 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2023-03-20 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本公开提供了一种显示面板、显示装置及显示面板的装配方法，属于显示技术领域。该显示面板，包括：驱动背板和芯粒；驱动背板包括基板和多个第一绝缘格栅，基板具有多个像素点区域，各第一绝缘格栅分别位于各像素点区域内，以将各像素点区域分隔为多种尺寸各不相同的容置区域；芯粒具有多种尺寸，各种芯粒的尺寸与各种容置区域的尺寸相对应，芯粒位于对应的容置区域内。本公开能够准确快速的完成芯粒在驱动背板上的固定。
显示面板显示装置装配方法

[发明专利]微型发光二极管外延片的制造方法-CN202111203972.7有效
发明人：王群;葛永晖;龚逸品;王江波;董彬忠;李鹏 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2021-10-15 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本公开提供了一种微型发光二极管外延片的制造方法，属于半导体技术领域。该制造方法包括：提供一基底，所述基底为AlN/GaN超晶格结构；在所述基底上生长非掺杂氮化镓层；在纯氮气气氛下，向反应腔内通入设定气体量的氨气，对所述非掺杂氮化镓层进行第一次退火处理；在所述非掺杂氮化镓层上依次生长N型波导层、多量子阱层、P型波导层和P型接触层；在氩气和氮气的混合气氛下，对外延片进行第二次退火处理。采用该微型发光二极管外延片的制造方法，可以提高外延片的生长质量，最终提高微型显示器件的工作效率。
微型发光二极管外延制造方法

[发明专利]基板及其制备方法、外延片和发光器件的制备方法-CN202310244484.3在审
发明人：王群;龚逸品;陈张笑雄;吴志浩;梅劲;王江波;刘榕 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2023-03-08 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本公开提供了一种基板及其制备方法、外延片和发光器件的制备方法，属于光电子制造技术领域。该基板包括第一面和与所述第一面相对的第二面，所述基板的第一面具有多个凹槽，所述凹槽内用于进行外延生长，相邻所述凹槽之间的区域用于切割。本公开能改善切割过程中外延层的侧壁容易产生缺陷和损伤的问题，提升发光二极管的制备良率。
及其制备方法外延发光器件

[发明专利]功率半导体器件及其制备方法-CN202211400164.4在审
发明人：王群;龚逸品;陈张笑雄;吴志浩;梅劲;王江波;刘榕 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2022-11-09 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本公开提供了一种功率半导体器件及其制备方法，属于半导体技术领域。该功率半导体器件包括衬底，以及依次生在衬底一面的缓冲层、n型GaN层和AlGaN层；功率半导体器件还包括源电极、漏电极和隔断部；源电极和漏电极相互间隔，且分别与AlGaN层接触；隔断部位于n型GaN层内，且位于源电极和漏电极之间，隔断部用于容置导电溶液。本公开能够实现功率半导体器件的常闭。
功率半导体器件及其制备方法

[发明专利]高阻硅外延片生长方法及生长设备-CN202111423875.9有效
发明人：王群;龚逸品;茅艳琳;李鹏;王江波 -专利权人：华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本公开提供了一种高阻硅外延片生长方法及生长设备，属于半导体器件制备技术领域。先对高阻硅衬底依次进行F等离子体处理与N等离子体处理，F等离子体对高阻硅衬底的表面进行处理，一方面F等离子体不易渗入高阻硅衬底中出现高阻硅衬底电性出现问题的情况；另一方面F等离子体可以增强高阻硅衬底表面的电负性。在后续N等离子体处理的过程中，N等离子体处理与F等离子体处理在高阻硅衬底的表面可以形成非常致密且绝缘的保护层。有效避免了后续生长的AlN缓冲层、GaN外延层及PN半导体中Al原子或Ga原子混合或者掺杂进高阻硅衬底中，保证了高阻硅衬底的绝缘状态，减少了高阻硅衬底的寄生电容区，降低了射频器件在应用中引入的损耗。
高阻硅外延生长方法设备

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