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[发明专利]外延工艺的模拟方法-CN202211203201.2在审
发明人：李伟叶;侯翔宇;杨继业;李昊;陆怡;康志潇;张博;刑军军 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： G06F30/347 文献下载
摘要：一种外延工艺的模拟方法，包括：获取待模拟外延工艺，所述待模拟外延工艺包括若干待模拟外延阶段，各待模拟外延阶段具有对应的初始外延时间速率关系模型；获取若干组外延工艺参数，各外延工艺参数包括外延速率和外延时间；根据至少一组外延工艺参数中的外延速率和外延时间对任一所述待模拟外延阶段的初始外延时间速率关系模型进行拟合，获取所述待模拟外延阶段对应的参考外延时间速率关系模型；根据所述若干待模拟外延阶段对应的参考外延时间速率关系模型，获取所述待模拟外延工艺的模拟外延填充量。所述外延工艺的模拟方法改善了深沟槽填充工艺的调整方式，简化了填充工艺的调整步骤，缩短了工艺调整时间，提升了工艺调整效率。
外延工艺模拟方法

[发明专利]外延工艺方法-CN201911162959.4有效
发明人：涂火金;刘厥扬;胡展源 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2019-11-25 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种外延工艺方法，两次以上的子外延层生长工艺，在最顶层子外延层之前的各子外延层的所述子外延层生长工艺完成之后还包括气体清洗工艺，用于将对应的子外延层生长工艺的残余工艺气体去除，之后再进行外延生长工艺参数切换并进行下一次子外延层生长本发明能防止残余工艺气体在生长工艺参数切换过程中产生缺陷，从而能在多次子外延层生长工艺中防止缺陷产生。
外延工艺方法

[发明专利]双层外延工艺方法-CN201710734293.X有效
发明人：伍洲 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2017-08-24 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种双层外延工艺方法，包括步骤：进行第一次外延生长工艺在半导体晶圆表面形成第一外延层；对外延工艺腔进行降温并取出半导体晶圆，在降温过程中，外延工艺腔中的残余工艺气体继续反应在第一外延层表面形成电阻率不匹配外延层；形成第一部分器件结构；将半导体晶圆放置到外延工艺腔中并升温；通入HCL进行外延层刻蚀将第一外延层表面的电阻率不匹配外延层去除；之后进行第二次外延生长工艺形成第二外延层并叠加形成电阻率匹配的双层外延结构；在第二外延层中形成第二部分器件结构。本发明能提高两个叠加的外延层的界面特性，从而提高器件的击穿电压和性能。
双层外延工艺方法

[发明专利]一种用于液相外延工艺的可调式石墨舟-CN202010740752.7在审
发明人：杨海燕;刘铭;曹鹏飞;折伟林;郝斐 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2020-07-28 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： C30B19/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于液相外延工艺的可调式石墨舟，本发明是在液相外延工艺中，利用带有可调节尺寸的石墨框的母液槽和衬底槽的一套石墨舟实现多种尺寸的薄膜材料的制备，该设计使得外延工艺没有尺寸上的限制，有效避免了由于石墨舟更换、工艺参数改变造成的外延材料质量不一致性和外延工艺的不稳定性。同时，利用以上设计可形成不同尺寸材料外延的标准工艺。同时本发明还可有效提高石墨舟的利用率和外延工艺的一致性，降低由于外延材料尺寸变化带来的石墨舟更换和外延工艺参数的变化，提升外延出不同尺寸材料的效率。
一种用于外延工艺调式石墨

[发明专利]选择性外延工艺的监控方法-CN201010613731.5有效
发明人：三重野文健;涂火金;何永根;何有丰 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2010-12-29 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明提供选择性外延工艺的监控方法，包括：提供具有第一区域和第二区域的半导体衬底；在所述第二区域上形成介质层，所述介质层使得所述第二区域具有不同于第一区域的颜色；对所述半导体衬底进行选择性外延工艺；在所述选择性外延工艺后，观察所述第二区域的颜色与选择性外延工艺前的颜色是否相同；若所述第二区域的颜色与选择性外延工艺前的第二区域颜色相同，则该选择性外延工艺的选择性正常，反之，则该选择性外延工艺的选择性异常；在所述选择性外延工艺后，测试所述第一区域的外延层的厚度，该厚度即为选择性外延工艺的厚度。本发明利用同一半导体衬底测试选择性外延工艺的选择性和厚度，降低了选择性外延监控工艺的成本。
选择性外延工艺监控方法

[发明专利]外延生长预处理方法以及外延生长预处理工艺腔-CN201210484714.5有效
发明人：严利人;刘志弘;周卫;张伟 -专利权人：清华大学
申请日： 2012-11-23 - 公布日： 2013-02-20 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明公开了一种外延生长预处理方法以及外延生长预处理工艺腔，为解决现有的外延生长预处理工艺中，采用加热方法去除衬底表面杂质所带来到产品的品质表面、操作繁琐等问题而设计。所述外延生长预处理方法为使用激光照射衬底，以使所述衬底所需外延生长的表面局部升温至外延生长预处理所需温度；其中，所述衬底位于还原性气体中。所述外延生长预处理工艺腔，包括工艺腔体；所述工艺腔体上设有进气口、出气口以及用于照射位于所述工艺腔体内的衬底的激光装置。本发明外延生长预处理方法以及外延生长预处理工艺腔具有操作简便、快捷，产品质量有保证的特点。
外延生长预处理方法以及工艺

[发明专利]一种多层外延减压生长方法-CN202011264301.7在审
发明人：侯龙 -专利权人：重庆万国半导体科技有限公司
申请日： 2020-11-12 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明公开了多层外延减压生长方法，涉及超级结型功率器件外延生长技术领域，包括如下步骤：A、减压外延生长设备的反应腔前处理；B、外延减压生长步骤；C、每重复步骤A、B 3～5次后进行一次图形刻蚀步骤；D、减压外延工艺比普通外延工艺时间减少10％以上，设备产能提升可达30％以上，本申请所指减压外延工艺对图形的保形更好，可以减少超级结型功率器件两道光刻工艺，本申请所指减压外延低温工艺使wafer的翘曲改善，更利于后续工艺。
一种多层外延减压生长方法

[发明专利]用于外延工艺的半导体制造设备-CN201280037822.6有效
发明人：金荣大;玄俊镇;禹相浩;申承祐;金海元 -专利权人：株式会社EUGENE科技
申请日： 2012-07-31 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：根据本发明的一实施例，半导体制造设备包括：清洗腔室，其实施对基板的清洗工艺；外延腔室，其实施在所述基板上形成外延层的外延工艺；以及搬运腔室，其侧面与所述清洗腔室和所述外延腔室连接，并且具备用于向所述外延腔室搬运已结束所述清洗工艺的所述基板的基板处理器所述外延工艺可以为对多个基板实施的间歇式工艺。
用于外延工艺半导体制造设备

[发明专利]一种IC片外延的工艺方法-CN200710139295.0有效
发明人：袁肇耿;赵丽霞;陈秉克 -专利权人：河北普兴电子科技股份有限公司
申请日： 2007-08-28 - 公布日： 2008-04-23 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种IC片外延的工艺方法，它应用于双极和MOS IC(集成电路)的外延层的生长。本方法以三氯氢硅为硅源，二氧化硅为基片，生长炉内的压力为常压，其生产工艺过程为先对外延前的IC片进行表面处理、然后在生长炉中生长外延层，外延工艺采用的高温高流量外延工艺生长外延层，其工艺参数为：通入HCl抛光，HCl抛光温度为1190℃，HCl的流量为1升/分钟，抛光时间为1分钟；外延生长温度为1190℃，主氢流量为160升/分。本发明所提出的工艺方法，结合了常压和减压工艺的双重特点，不但能够减小IC图形片漂移和畸变，而且工艺简单，生产效率高，外延后表面状态好。同时减少设备备件的损耗。
一种 ic 外延工艺方法

[发明专利]半导体工艺的集成化监测方法-CN202210807145.7在审
发明人：李盼;朱红波 -专利权人：广州粤芯半导体技术有限公司
申请日： 2022-07-11 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体工艺的集成化监测方法，包括：提供一衬底，在衬底上执行外延层生长工艺，以在所述衬底上形成外延层，所述外延层中掺杂有第一种类型的离子；测量所述外延层的电阻率，以监测所述外延层生长工艺是否正常，若所述外延层的电阻率正常，则执行下一步，若所述外延层的电阻率异常，则停止测试；执行离子注入工艺，以将部分厚度的外延层转为反型掺杂层，所述反型掺杂层中掺杂有第二种类型的离子，所述反型掺杂层与剩余的外延层形成PN结；执行退火工艺；以及，测量所述PN结的串联电阻，以监测所述离子注入工艺和/或所述退火工艺是否正常。将三种工艺集成在同一片衬底上，节省了成本，并且外延层是单晶，监控的准确性更高。
半导体工艺集成化监测方法

[发明专利]基于外延回填工艺的对准标记形成方法及外延回填工艺-CN202211362520.8在审
发明人：盛况;程浩远;王珩宇;任娜 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2022-11-02 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种基于外延回填工艺的对准标记形成方法及外延回填工艺。基于外延回填工艺的对准标记形成方法包括形成位于第一外延层的标记区的至少一对对准标记刻蚀掩模，第一外延层包括位于功能区的第一沟槽；形成填充第一沟槽并覆盖第一外延层的第二外延层，其中，第二外延层的背离第一外延层的表面与对准标记刻蚀掩模的背离第一外延层的表面齐平；通过对准标记刻蚀掩模对第二外延层和第一外延层进行刻蚀，形成第二沟槽及形成第三沟槽，其中，第二沟槽位于一对对准标记刻蚀掩模之间，第三沟槽的槽底暴露出外延部。本申请能够避免外延回填及抛光工艺对对准标记的损坏，保证后续工艺的套刻精度。
基于外延回填工艺对准标记形成方法

[发明专利]一种AlGaN外延结构及其制备方法和半导体器件-CN202210864713.7在审
发明人：闫其昂;王国斌 -专利权人：江苏第三代半导体研究院有限公司
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L29/205 文献下载
摘要：本发明公开了一种AlGaN外延结构及其制备方法和半导体器件。AlGaN外延结构包括：衬底；GaN外延复合层，位于所述衬底上，所述GaN外延复合层包括GaN外延工艺层和SiNx插入层，所述GaN外延复合层的至少一部分为交替层叠的GaN外延工艺层和SiNx插入层；AlGaN外延复合层，位于所述GaN外延复合层上，所述AlGaN外延复合层包括AlGaN外延工艺层和MgNy插入层，所述AlGaN外延复合层的至少一部分为交替层叠的AlGaN外延工艺层和MgNy插入层；AlGaN外延层，位于所述AlGaN外延复合层上采用上述结构可以实现GaN外延复合层和AlGaN外延复合层的晶体匹配，为AlGaN外延层提供高质量低应力的生长模板，能够获得低表面缺陷的高晶体质量AlGaN外延层。
一种 algan 外延结构及其制备方法半导体器件

[发明专利]一种外延晶圆及其制造方法、装置及存储介质-CN202310954060.6在审
发明人：刘晨阳;王力;李佳成 -专利权人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种外延晶圆及其制造方法、装置及存储介质；该方法包括：根据抛光晶圆的边缘部分与非边缘部分的平坦度数据获取边缘部分与非边缘部分之间的形貌特征差异数据；根据形貌特征差异数据获取补偿工艺参数；根据补偿工艺参数对基础工艺参数进行调整，获取用于在非边缘部分生长外延层的第一外延工艺参数以及用于在边缘部分生长外延层的第二外延工艺参数，以使得由抛光晶圆形成的外延晶圆的平坦度检测数据符合设定的合规参数；其中，基础工艺参数表示在抛光晶圆的全部表面生长外延层所采用的初始工艺参数。
一种外延及其制造方法装置存储介质

[发明专利]PMOS制造工艺中减少e‑SiGe晶格缺陷的方法-CN201410125554.4有效
发明人：曹威;江润峰 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-03-31 - 公布日： 2017-07-25 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种PMOS制造工艺中减少e‑SiGe晶格缺陷的方法，其包括对硅片的硅衬底形貌刻蚀并清洗；外延生长前的预清洗；将硅片放入外延生长机台的刻蚀腔室，对硅片进行干法刻蚀，以去除自然氧化层；将硅片放入外延工艺腔室，对硅片进行SiGe外延生长工艺。本发明通过对硅片在进入外延机台前生成的自然氧化层进行原位刻蚀，避免了自然氧化层对外延工艺及后续工艺造成的晶格缺陷，从而减少器件失效，提高硅片的良率，同时减少工艺生产中的返工，缩短产品的生产周期和生产成本
pmos 制造工艺减少 sige 晶格缺陷方法

[发明专利]一种功率器件外延结构及其制造方法-CN202110556144.5在审
发明人：夏华忠;李健;黄传伟;诸建周 -专利权人：江苏东海半导体科技有限公司
申请日： 2021-05-21 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明是功率器件外延结构及其制造方法，其结构包括相互连接的35μm厚N型外延和N型衬底，N型外延上刻蚀有20μm深沟槽，沟槽底部为15μm厚P型区域，沟槽内和沟槽顶部为15μm厚P型外延。方法包括：1)准备具有N型外延外延片；2)N型外延光刻；3)等离子干法沟槽刻蚀；4)三次硼离子注入；5)光刻胶去除高温推进形成P型区域；6)P型外延填充；7)一次光刻定义N型区域；8)三次磷注入；9)去除光刻胶并高温推进形成本发明的优点：对比多层外延工艺和深沟槽加外延填充工艺，只使用一次外延生长，并且降低了对深沟刻蚀深度的依赖，有效降低了工艺成本和工艺难度，可靠性高，可使超级结工艺具有更大普及性。
一种功率器件外延结构及其制造方法

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