专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体芯片及其制造方法-CN201811532311.7有效
  • 黄瑄;李俊贤;刘英策;魏振东;邬新根;周弘毅 - 厦门乾照光电股份有限公司
  • 2018-12-14 - 2023-10-10 - H01L33/38
  • 本发明公开了一半导体芯片及其制造方法,其中所述半导体芯片包括依次层叠的一衬底、一N型半导体层、一有源区、一P型半导体层、一透明导电层、一绝缘层以及一N型电极和一P型电极,其中所述N型电极的一列N型电极连接针中的至少一个所述N型电极连接针的截面尺寸与其他的所述N型电极连接针的截面尺寸不同,所述P型电极的一列P型电极连接针中的至少一个所述P型电极连接针的截面尺寸与其他的所述P型电极连接针的截面尺寸不同,通过这样的方式,自所述N型电极和所述P型电极注入的电流能够均匀地分布于所述半导体芯片,从而改善电流扩展死角的问题,以提高所述半导体芯片的发光效率。
  • 半导体芯片及其制造方法
  • [发明专利]一种γ相硒化亚锗纳米片的制备方法-CN202310638092.5在审
  • 郝国林;王凯祎;郝玉龙;周国华;郝世杰;柴晔;周弘毅 - 湘潭大学
  • 2023-05-31 - 2023-09-15 - C23C14/22
  • 本发明公开了一种γ相硒化亚锗纳米片的制备方法。本发明采用常压气相沉积方法,基于快速降温策略,实现了高质量γ相硒化亚锗纳米片的可控制备。本发明通过控制生长温度,实现了对不同横向尺寸γ相硒化亚锗纳米片的可控生长。本发明无需在基底表面镀金等催化剂,制备工艺较为简单,所制备的γ相硒化亚锗纳米片在柔性传感器、光电器件尤其是近红外光电探测器等方面均具有巨大的应用潜力。本发明所制备的γ相硒化亚锗纳米片在空气中放置半年后仍然非常稳定,也为后续对于该材料后续的物性研究提供了良好的实验平台。
  • 一种相硒化亚锗纳米制备方法

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