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[发明专利]一种高压快恢复整流二极管的制作方法-CN201711411505.7在审
发明人：党楠;古进;龚昌明;吴王进;杨波 -专利权人：中国振华集团永光电子有限公司（国营第八三七厂）
申请日： 2017-12-23 - 公布日： 2018-06-08 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明涉及二极管制作技术领域，尤其是一种高压快恢复整流二极管的制作方法，通过选择合理阻值的N型单晶硅片，设计、测试管芯的厚度与结深，以及采用硼酸与硝酸铝合理配比的硼扩散源，制备得到高压快恢复整流二极管。此方法制备的高压快恢复整流二极管，可以很好的兼容反向工作电压、反向恢复时间、正向压降这三个电性参数，满足反向工作电压1500V以上、反向恢复时间100ns以下、正向压降3V以下的工作要求。
快恢复整流二极管反向工作电压反向恢复正向压降制备硼酸二极管制作电性参数工作要求合理配比测试管硼扩散硝酸铝结深制作兼容

[发明专利]垂直结构肖特基二极管制作工艺及肖特基二极管-CN202210717160.2在审
发明人：刘国梁;方雪冰;樊永辉;许明伟;樊晓兵 -专利权人：深圳市汇芯通信技术有限公司
申请日： 2022-06-23 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开一种垂直结构肖特基二极管制作工艺及肖特基二极管，制作工艺包括以下步骤：提供衬底；在衬底的一侧表面上外延生长以形成势垒层；在势垒层上注入离子以形成P+区域；采用物理气相沉积法或化学气相沉积法，将低功函数的金属沉积于P+区域上，以形成第一欧姆接触金属层；在势垒层上溅射高功函数的合金，并进行退火处理，以同时形成第二欧姆接触金属层及肖特基接触金属层，第二欧姆接触金属层沉积于第一欧姆接触金属层上，肖特基接触金属层沉积于第二欧姆接触金属层上本发明解决了肖特基二极管制作工艺中正向浪涌欧姆大的问题。
垂直结构肖特基二极管制作工艺

[发明专利]二极管制备方法及制备设备-CN201910507864.5在审
发明人：刘林;李涛;袁强;沈新才;曾静 -专利权人：领凡新能源科技（北京）有限公司
申请日： 2019-06-12 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种二极管制备方法及制备设备，涉及半导体电子器件领域。所述制备方法包括：提供待焊接件，所述待焊接件包括依次层叠的电极连接片、焊接介质和二极管芯片；对所述电极连接片进行第一激光加热处理以融化所述焊接介质，实现所述电极连接片与所述二极管芯片的焊接。采用本发明提供的二极管制备方法及制备设备，能降低制备过程中对二极管芯片造成损伤的风险。
二极管制备方法设备

[发明专利]制备发光二极管背光源涂层的工艺方法-CN01133442.8无效
发明人：侯风琴;尹长安 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2001-11-12 - 公布日： 2004-03-10 - 主分类号： G02F1/13 文献下载
摘要：本发明涉及一种对用发光二极管制作的直下式液晶背光源涂层的工艺改进。采用透明环氧树脂、固化剂、闪光剂形成涂料，发光二极管芯片安装在基板上与边框对接将涂料均匀涂敷并完全覆盖形成涂层；放入烘箱内固化。本发明用闪光剂使成本降低；本发明使发光二极管点光源转换成面光源的光散射效果明显，发光均匀性达到±10％，发光强度提高20％，工艺时间短。本发明适用于发光二极管背光源的制造，发光二极管光导显示板、面光源的制造。
制备发光二极管背光源涂层工艺方法

[发明专利]半导体二极管元件的芯片与主绝缘壳体件结构及其制法-CN95116287.X无效
发明人：戴超智 -专利权人：戴超智
申请日： 1995-09-18 - 公布日： 2000-04-19 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：利用连结型二极管主绝缘壳体构件可制作适于大量生产并适合元件或组件装配使用的二极管芯片与主绝缘壳体构件，其上每一单元制备一个或多个芯片安装座，用粘结材料涂覆二极管芯片并将其粘结在安装座中。从而得到结构新颖、制造装配成本低、并适合自动化大量生产的性能优良的二极管制品。依据本发明所提供的硅半导体二极管元件及组件的芯片与主绝缘壳体构件是一种以芯片与主绝缘壳体主要结构件直接组合为特征的结构。
半导体二极管元件芯片绝缘壳体结构及其制法

[发明专利]一种具有立体发光结构的高压发光二极管制作方法-CN201510122849.0有效
发明人：林志伟;陈凯轩;张永;卓祥景;姜伟;方天足;张银桥 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2015-03-20 - 公布日： 2017-06-16 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明公开一种具有立体发光结构的高压发光二极管制作方法，由该方法制作的高压发光二极管，由至少两层相互错开键合的子级发光二级管组成，其中一层设置n+1个子级发光二极管为底层，底层各子级发光二极管处于同一平面，另一层设置n个子级发光二极管为顶层，顶层各子级发光二极管处于同一平面，底层与顶层相邻的子级发光二极管设置于两个不同水平面上；各子级发光二级管具有独立发光结构，各子级发光二级管串联连接。本发明将各子级发光二极管串联连接，构成立体的至少双层发光结构，明显地增加单位面积发光的功率，且使得同样电压的高压芯片模块的面积缩小近一倍，有效地降低高压芯片模块的封装成本。
一种具有立体发光结构高压发光二极管制作方法

[实用新型]一种二极管引脚的弯折装置-CN202223314683.7有效
发明人：洪永斌;保贵;魏娇娇;黄勇富 -专利权人：四川营之星电子科技有限公司
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： B21F1/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及二极管制作领域，具体一种二极管引脚的弯折装置，包括下压驱动、驱动架、操作台和二极管固定座，在下压驱动的下端固定有下压板，在下压板的下方固定有可拆卸的下压块，在操作台上安装有弹性压紧部件，弹性压紧部件与上下位置固定的下压板和下压块保持相互平行，弹性压紧部件对着二极管的极管体，下压块对着二极管的引脚，下压驱动带着下压块下压时，贴着弹性压紧部件的边壁下滑，用以二极管的引脚向下折弯。以上设计的下压驱动负责带动下压块对极管的引脚进行压弯处理，弹性压紧部件和二极管固定座负责压紧固定二极管的极管体，两者配合，一次性对多个二极管进行弯折处理，达到了效率高、折弯长度都能保证的良好效果。
一种二极管引脚装置

[发明专利]一种材料结构倒置型异质衬底肖特基二极管电路制作方法-CN201911111024.3在审
发明人：牛斌;范道雨;戴家赟 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2019-11-14 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明公开了一种材料结构倒置型异质衬底肖特基二极管电路制作方法，包括在原衬底材料外延生长腐蚀停止层、n‑掺杂层，n+掺杂层，在通过光刻、金属化并退火形成正面欧姆接触,然后将材料正面与异质衬底键合，再完全去除原材料衬底及腐蚀停止层，然后翻转晶圆，以异质衬底为器件底部制作连接欧姆接触与n‑掺杂层表面的垂直互联金属，再在n‑掺杂层表面制作肖特基接触、空气桥等结构，完成肖特基二极管制作，最后在异质衬底上制作微波传输线、空气桥等结构，并减薄异质衬底，完成材料结构倒置型异质衬底肖特基二极管电路制作。本发明肖特基二极管为准垂直结构，便于减小串联电阻，提高了器件截止频率。
一种材料结构倒置型异质衬底肖特基二极管电路制作方法

[发明专利]发光二极管的制造方法-CN200810067587.2无效
发明人：张家寿 -专利权人：富准精密工业(深圳)有限公司;鸿准精密工业股份有限公司
申请日： 2008-06-04 - 公布日： 2009-12-09 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：一种发光二极管制造方法，包括以下步骤：将发光二极管晶片固定于第一粘着层上；形成若干发光二极管晶粒；将该若干发光二极管晶粒固定于第二粘着层上；该若干发光二极管晶粒与第一粘着层分离；将第二粘着层平贴于基座上；把该若干发光二极管晶粒固定于与其相对应的凹座内，利用导线把每一发光二极管晶粒电连接于基座上，并向基座的凹座内填充透光材料，该透光材料分别包覆每一发光二极管晶粒。本发明的发光二极管制造方法中取放发光二极管晶粒动作采用平行方式，即把若干发光二极管晶粒一体组装于基座中，无须逐一将发光二极管晶粒置入基座中，提高了组装速度。
发光二极管制造方法

[发明专利]发光二极管制造方法-CN200810303127.5无效
发明人：张家寿 -专利权人：富准精密工业（深圳）有限公司;鸿准精密工业股份有限公司
申请日： 2008-07-28 - 公布日： 2010-02-03 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种发光二极管制造方法，包括以下步骤：提供一发光二极管晶片，于该发光二极管晶片的衬底上形成若干发光二极管晶粒；于发光二极管晶粒的周围形成一保护层；于保护层上沉积一电极层；去除发光二极管晶片的衬底，并于每一发光二极管晶粒上形成第二电极；去除每一发光二极管晶粒周围的保护层；于每一发光二极管晶粒的外围开设一通槽；提供一基座，将该基座组装于该电极层上；打线、密封及切割。与现有技术相比较，本发明的发光二极管制造方法无须导电架，也无须逐个取放发光二极管晶粒，采用晶片结合法及剥离法使得多个发光二极管晶粒一体式同步封装，制造方法简便且成本较低。
发光二极管制造方法

[实用新型]一种用发光二极管制作的吸顶灯-CN201820297455.8有效
发明人：齐振伟 -专利权人：杭州晟瑞光电科技有限公司
申请日： 2018-03-02 - 公布日： 2018-10-30 - 主分类号： F21S8/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用发光二极管制作的吸顶灯，包括装置主体和灯罩，装置主体的下端设有灯罩，灯罩嵌入设置在装置主体中，灯罩的上端设有基座，基座的底部嵌套设置在灯罩中，基座的上端设有卡槽，卡槽的底部固定连接在基座中该用发光二极管制作的吸顶灯，使得大功率发光二极面管可以配合塞片改变发光角度，并以此提高光源板对于电力的耐压性，同时也起到了在发光二极管数目减少的情况下仍然保证了LED吸顶灯的照明效果，解决了以往的吸顶灯存在的对于电力耐压性不足的问题
灯罩发光二极管装置主体吸顶灯光源板上端卡槽耐压性制作嵌套本实用新型安全性能发光二极配合塞片嵌入设置驱动电源数目减少照明效果面管下端发光保证

[发明专利]一种发光二极管的封装方法-CN201610167672.0有效
发明人：王群;郭炳磊;董彬忠;孙玉芹;李鹏;王江波 -专利权人：华灿光电(苏州）有限公司
申请日： 2016-03-23 - 公布日： 2018-04-24 - 主分类号： H01L33/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管的封装方法，属于发光二极管制作技术领域。该封装方法包括在发光二极管芯片的外表面上设置复合树脂层，所述复合树脂层包括树脂、石墨烯和荧光粉；对涂设有所述复合树脂层的发光二极管芯片进行固化干燥。本发明通过在封装发光二极管芯片时，在发光二极管芯片的外表面上设置复合树脂层，该复合树脂层包括树脂、石墨烯和荧光粉，由于石墨烯具有良好的导热性，且包括石墨烯的复合树脂层设置在发光二极管芯片的外表面，所以使得发光二极管芯片发出的热量能够通过复合树脂层散发出去，从而使得发光二极管能够具有良好的散热性能。
一种发光二极管封装方法

[实用新型]带有多个发射面的二极管-CN200620155214.7无效
发明人：黄东福 -专利权人：黄东福
申请日： 2006-12-19 - 公布日： 2008-09-10 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本实用新型带有多个发射面的二极管，它是将普通管状二极管制成多面体形状的二极管，多面体形状的二极管使光线沿多个发射面发射，同时发生折射和反射，提高了其装饰效果。
带有发射二极管

[发明专利]一种优化芯片与封装制程匹配的肖特基二极管-CN201510094260.4在审
发明人：王杨;陶春晓 -专利权人：上海格好电子科技有限公司
申请日： 2015-03-03 - 公布日： 2015-05-20 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种肖特基二极管；该肖特基二极管是一种将肖特基势垒芯片、切割、封装制程匹配整合优化的肖特基二极管，较传统的肖特基二极管，整体制程优化，整合了肖特基二极管制造的前、后道制程，降低了加工成本，使本发明的肖特基二极管具有竞争优势
一种优化芯片封装匹配肖特基二极管

[实用新型]一种优化芯片与封装制程匹配的肖特基二极管-CN201520124570.1有效
发明人：王杨;陶春晓 -专利权人：上海格好电子科技有限公司
申请日： 2015-03-03 - 公布日： 2015-07-29 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种肖特基二极管；该肖特基二极管是一种将肖特基势垒芯片、切割、封装制程匹配整合优化的肖特基二极管，较传统的肖特基二极管，整体制程优化，整合了肖特基二极管制造的前、后道制程，降低了加工成本，使本实用新型的肖特基二极管具有竞争优势。
一种优化芯片封装匹配肖特基二极管