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- [发明专利]硅基片厚金属刻蚀的前处理工艺-CN201310715286.7有效
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李俊;陈杰;黄蕴;寇春梅
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无锡中微晶园电子有限公司
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2013-12-23
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2017-01-18
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H01L21/02
- 本发明涉及一种硅基片厚金属刻蚀的前处理工艺,其特征是,采用以下工艺步骤(1)在硅基片表面溅射生长4μm厚的金属层;(2)在金属层表面涂光刻胶,曝光、显影得到光刻图形;(3)将硅基片放入等离子体设备中,通入氧气,氧气流量为700~900sccm,控制等离子体处理工艺保证光刻胶的去胶量为100~150nm,等离子体处理功率为100~300W,温度为240~260℃,处理时间为20~40秒。步骤(1)所述金属层为Al/Si或Al/Si/Cu,生长温度为250~350℃。本发明所述硅基片厚金属刻蚀的前处理工艺在硅基片湿法刻蚀前进行处理,采用等离子体去胶设备完成,解决了湿法刻蚀可能存在的刻蚀不干净的情况,保证湿法刻铝的刻蚀容宽。
- 硅基片厚金属刻蚀处理工艺
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