专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种治疗糖尿病的药物组合物及其制备方法和用途-CN201710577168.2有效
  • 杨新洲;黄密;郑思建;赵平;黄蕴 - 中南民族大学
  • 2017-07-14 - 2018-10-26 - A61K31/352
  • 发明提供了一种治疗糖尿病的药物组合物及其制备方法和用途,属于医药领域。这种治疗糖尿病的药物组合物,包括Inoscavin C、7,3’‑二羟基‑5’‑甲氧基异黄酮、7,8‑二羟基香豆素和3,4‑二羟基苄叉丙酮的至少一种,以及药学上可接受的载体或辅料。这种药物组合物的用途广泛,包括:在制备促进葡萄糖摄取的激动剂中的用途、制备一磷酸腺苷激活蛋白激酶的激动剂中的用途、在制备葡萄糖转运蛋白4的激动剂中的用途、以及在制备治疗或预防由代谢异常所致疾病的药物或者保健食品中的用途,为由代谢异常所致疾病的治疗提供新的治疗手段和思路,同时也开发了桑黄新的药用价值。
  • 一种治疗糖尿病药物组合及其制备方法用途
  • [发明专利]硅基片厚金属刻蚀的前处理工艺-CN201310715286.7有效
  • 李俊;陈杰;黄蕴;寇春梅 - 无锡中微晶园电子有限公司
  • 2013-12-23 - 2017-01-18 - H01L21/02
  • 本发明涉及一种硅基片厚金属刻蚀的前处理工艺,其特征是,采用以下工艺步骤(1)在硅基片表面溅射生长4μm厚的金属层;(2)在金属层表面涂光刻胶,曝光、显影得到光刻图形;(3)将硅基片放入等离子体设备中,通入氧气,氧气流量为700~900sccm,控制等离子体处理工艺保证光刻胶的去胶量为100~150nm,等离子体处理功率为100~300W,温度为240~260℃,处理时间为20~40秒。步骤(1)所述金属层为Al/Si或Al/Si/Cu,生长温度为250~350℃。本发明所述硅基片厚金属刻蚀的前处理工艺在硅基片湿法刻蚀前进行处理,采用等离子体去胶设备完成,解决了湿法刻蚀可能存在的刻蚀不干净的情况,保证湿法刻铝的刻蚀容宽。
  • 硅基片厚金属刻蚀处理工艺

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