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[发明专利]用于制备凹槽栅增强型器件的精准刻蚀装置及其刻蚀方法-CN201910252334.0在审
发明人：李国强;孙佩椰;刘智崑;万利军;陈丁波;阙显沣;姚书南;李润泽 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2019-03-29 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了用于制备凹槽栅增强型器件的精准刻蚀装置及其刻蚀方法。本发明提供的装置包括电感耦合等离子体刻蚀腔、电流检测装置、电感线圈、射频源、机械泵及分子泵；电流检测装置与电感耦合等离子体刻蚀腔连接；电感线圈与电感耦合等离子体刻蚀腔连接；射频源与电感线圈连接；机械泵和分子泵与电感耦合等离子体刻蚀腔连接该装置在制备HEMT器件的过程中，当显示电流为零时，二维电子气沟道被关断，达到刻蚀终点，避免过度刻蚀造成栅极漏电及损伤二维电子气沟道，实现精准刻蚀。本发明仅额外接一个电流检测装置，无需增添额外的操作步骤，即可实现精确刻蚀，操作简便，有利于提高增强型HEMT器件产品良率，具有很高的实用价值。
电感耦合等离子体刻蚀刻蚀电流检测装置电感线圈制备二维电子气沟道增强型器件刻蚀装置分子泵机械泵射频源增强型HEMT器件漏电产品良率过度刻蚀刻蚀终点关断零时损伤

[实用新型]用于制备凹槽栅增强型器件的精准刻蚀装置-CN201920419968.6有效
发明人：李国强;孙佩椰;刘智崑;万利军;陈丁波;阙显沣;姚书南;李润泽 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2019-03-29 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型公开了用于制备凹槽栅增强型器件的精准刻蚀装置。本实用新型提供的装置包括电感耦合等离子体刻蚀腔、电流检测装置、电感线圈、射频源、机械泵及分子泵；电流检测装置与电感耦合等离子体刻蚀腔连接；电感线圈与电感耦合等离子体刻蚀腔连接；射频源与电感线圈连接；机械泵和分子泵与电感耦合等离子体刻蚀腔连接该装置在制备HEMT器件的过程中，当显示电流为零时，二维电子气沟道被关断，达到刻蚀终点，避免过度刻蚀造成栅极漏电及损伤二维电子气沟道，实现精准刻蚀。本实用新型仅额外接一个电流检测装置，无需增添额外的操作步骤，即可实现精确刻蚀，操作简便，有利于提高增强型HEMT器件产品良率，具有很高的实用价值。
电感耦合等离子体刻蚀电流检测装置本实用新型电感线圈二维电子气沟道分子泵机械泵射频源刻蚀制备增强型HEMT器件增强型器件漏电产品良率过度刻蚀刻蚀终点刻蚀装置关断零时损伤

[实用新型]等离子体刻蚀机台-CN201420235205.3有效
发明人：张海洋;张城龙 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2014-05-08 - 公布日： 2014-10-22 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种等离子体刻蚀机台，所述等离子体刻蚀机台包括：反应腔室；设置于所述反应腔室顶部的顶盘；设置于所述顶盘上的径向线槽天线；设置于所述顶盘上的脉冲电感耦合线圈；以及设置于所述反应腔室底部的静电吸盘在本实用新型提供的等离子体刻蚀机台中，通过使用径向线槽天线执行刻蚀工艺能够使得衬底/晶圆表面的损伤程度较低；同时，通过使用脉冲电感耦合线圈能够达到较好的密集区域与稀疏区域的刻蚀控制程度以及较优的线宽粗糙度
等离子体刻蚀机台

[实用新型]电感耦合等离子体刻蚀装置-CN201821343813.0有效
发明人：陈杰;盖晨光;刘家桦;叶日铨 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-08-20 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本实用新型提供的电感耦合等离子体刻蚀装置，包括用于产生等离子体的腔室以及用于密封所述腔室的盖板，还包括线圈组件；所述线圈组件包括在所述盖板背离所述腔室的表面均匀分布的若干子线圈，用于在所述腔室内部产生均匀分布的感应电场，以提高所述腔室内部等离子体分布的均匀性。本实用新型能够提高所述腔室内等离子体密度分布的均匀性，改善等离子体刻蚀效果，确保半导体器件的性能。
腔室电感耦合等离子体刻蚀本实用新型腔室内部线圈组件盖板均匀性等离子体等离子体分布等离子体刻蚀室内等离子体半导体器件感应电场密度分布子线圈密封背离

[发明专利]等离子体硅刻蚀方法以及半导体器件-CN201810505007.7有效
发明人：陈国动;姚立明 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2018-05-23 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本公开提供一种等离子体硅刻蚀方法以及半导体器件。其中等离子体刻蚀方法包括以电感耦合的方式激励工艺气体产生等离子体，在脉冲波射频电源的作用下所述等离子体对所述硅基体进行刻蚀，其中，所述工艺气体包括CHF3。本公开的刻蚀方法通过使用含CHF3的工艺气体结合脉冲等离子体进行硅刻蚀，不仅可以有效的降低硅刻蚀工艺中的深度微负载效应，还能够实现深度微负载效应的消除甚至反转。
等离子体刻蚀方法以及半导体器件

[发明专利]一种改善晶圆环状颗粒缺陷的方法-CN202310539340.0在审
发明人：冯奇艳;邱兰兰;陈敏杰;许进 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2023-05-12 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种改善晶圆环状颗粒缺陷的方法，提供等离子体刻蚀腔体，等离子体刻蚀腔体设有用于覆盖晶圆边缘的底部环；提供待刻蚀晶圆，将晶圆置于所述等离子体刻蚀腔体内进行作业，待作业完成后，将所述晶圆传出所述等离子体刻蚀腔体；对所述等离子刻蚀腔体进行无晶圆自动清洁；利用高压惰性气体对等离子体刻蚀腔体进行清扫，使得等离子体刻蚀腔体内形成扰流，使附着在底部环上的刻蚀后的残留物脱落；利用低压惰性气体，在等离子体刻蚀腔体的阀门全打开的状态下，对等离子体刻蚀腔体进行清扫，使得刻蚀后的残留物抽离等离子体刻蚀腔体；重复循环进行直到等离子体刻蚀腔体内的残留物清除干净为止。
一种改善圆环颗粒缺陷方法

[发明专利]一种用于温室薄膜的超疏水改性方法-CN202110309075.8有效
发明人：平建峰;张琪;应义斌 -专利权人：浙江大学
申请日： 2021-03-23 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： C23C14/02 文献下载
摘要：将PE膜置于感应耦合等离子体刻蚀仪中；通过感应耦合等离子体刻蚀仪对PE膜的上表面进行刻蚀处理一段时间，使得在PE膜上表面形成纳米纹理化结构；通过感应耦合等离子体刻蚀仪对PE膜的上表面进行沉积处理一段时间本发明是通过感应耦合等离子体刻蚀的两步处理法，在薄膜表面构建纳米纹理结构以及覆盖一层低表面能的物质，赋予薄膜优异的超疏水特性以及自清洁能力。
一种用于温室薄膜疏水改性方法

[发明专利]一种高性能硼掺杂金刚石纳米线的制备方法-CN202010193984.5有效
发明人：刘金龙;刘彦辉;李成明;原晓芦;魏俊俊;陈良贤;安康 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2020-03-19 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： C01B32/26 文献下载
摘要：步骤如下：a.利用高本底真空微波等离子体化学气相沉积装置，通过等离子体中引入低浓度硼源实现金刚石膜P型半导体的生长；b.制备态硼掺杂金刚石膜经精细研磨获得低于500nm粗糙度的表面；c.使用电感耦合等离子氧等离子体和氯等离子体对研磨后的金刚石膜进行无掩模刻蚀，制备出硼掺杂金刚石纳米线阵列；d.采用氢等离子体刻蚀处理的方式进行氢化，使硼掺杂金刚石纳米线阵列表面导电；e.对硼掺杂金刚石纳米线阵列进行超声分散并使单根金刚石纳米线吸附在绝缘衬底上，实现单根硼掺杂金刚石纳米线的制备本发明通过电感耦合等离子体刻蚀制备了金刚石纳米线，提高了比表面积和载流子浓度，提升了金刚石导电性。
一种性能掺杂金刚石纳米制备方法

[发明专利]一种微波等离子体刻蚀装置及方法-CN202110133205.7有效
发明人：陈特超;杨彬;杨志权;赵忠;张威 -专利权人：湖南红太阳光电科技有限公司
申请日： 2021-02-01 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种微波等离子体刻蚀装置，包括：真空反应腔室、耦合窗、屏蔽罩和微波传导组件；耦合窗的一侧与真空反应腔室密封连接，耦合窗的另一侧与屏蔽罩密封连接；微波传导组件包括长度可调的同轴天线，同轴天线伸入屏蔽罩内，且同轴天线在屏蔽罩内的长度大于或等于真空反应腔室中刻蚀基体的总高度；通过同轴天线传输微波，以激发真空反应腔室内的反应气体转化为活性等离子体，实现对刻蚀基体的刻蚀。本发明的微波等离子体刻蚀装置具有结构紧凑、等离子体浓度高、设备产能高等优点。同时，本发明还公开了利用上述微波等离子体刻蚀装置进行刻蚀的方法，大大提高了待刻蚀基体的刻蚀效率，并且保证了刻蚀质量。
一种微波等离子体刻蚀装置方法

[发明专利]用于精确判定等离子体刻蚀机刻蚀芯片终点的监测方法-CN201811042338.8在审
发明人：刘波;单书珊;李建强;乔彦彬 -专利权人：北京智芯微电子科技有限公司;国网信息通信产业集团有限公司
申请日： 2018-09-07 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于精确判定等离子体刻蚀机刻蚀芯片终点的监测方法，其基于等离子体刻蚀机，且等离子体刻蚀机的反应仓的顶部开设有观察窗，且观察窗的上方设置有显微镜，用于精确判定等离子体刻蚀机刻蚀芯片终点的监测方法包括以下步骤：步骤一：将芯片放入等离子体刻蚀机的反应仓中；步骤二：等离子体刻蚀机的控制系统进行常规设置刻蚀芯片；步骤三：完成刻蚀流程后暂不取出芯片，通过显微镜透过观察窗实时观察芯片的刻蚀进度；以及步骤四：根据芯片的刻蚀进度确定是否为芯片的刻蚀终点借此，本发明的用于精确判定等离子体刻蚀机刻蚀芯片终点的监测方法，实时观察刻蚀进度，可以精确判定等离子体刻蚀机刻蚀芯片的终点。
等离子体刻蚀机刻蚀芯片判定观察窗监测实时观察反应仓进度显微镜刻蚀流程刻蚀终点控制系统放入取出

[发明专利]碲锌镉晶体的电感耦合等离子体刻蚀工艺方法-CN201910551761.9有效
发明人：黄健;黄柘源;胡艳;邹天宇;唐可;尚艺;别佳瑛;王林军 -专利权人：上海大学
申请日： 2019-06-25 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L21/465 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲锌镉晶体的电感耦合等离子体刻蚀工艺方法，在刻蚀前采用碲锌镉晶体的结构采用衬底‑半导体的组合形式。本发明用SF6和Ar作为电感耦合等离子刻蚀的刻蚀气体，与传统的反应离子刻蚀方式相比，电感耦合等离子刻蚀的离子密度高，刻蚀速率更快，让刻蚀后的碲锌镉晶体的刻蚀形貌有更高的精度，更高的选择比并且刻蚀表面平整光滑。本发明刻蚀的晶体材料对于公共安全、军事、核工业、核医学、科学研究以及航空航天等领域安全监控、辐射防护方面具有重要意义和应用前景。
碲锌镉晶体电感耦合等离子体刻蚀工艺方法

[实用新型]等离子体刻蚀机反应腔的内衬及等离子体刻蚀机反应腔-CN201621426926.8有效
发明人：李娜;胡冬冬;程实然;许开东 -专利权人：江苏鲁汶仪器有限公司
申请日： 2016-12-23 - 公布日： 2017-08-22 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本实用新型公开一种等离子体刻蚀机反应腔的内衬和具有其的等离子体刻蚀机反应腔。等离子体刻蚀机反应腔的内衬以可拆卸的方式固定于所述等离子体刻蚀机反应腔的内壁，包括与等离子体刻蚀机反应腔的内壁相贴合的柱形侧壁，所述柱形侧壁设有与等离子体刻蚀机反应腔基片进出口位置对应的开口、以及与等离子体刻蚀机反应腔的抽气孔位置对应的匀流通路本实用新型可以在保护反应腔体内壁不受污染的同时，大幅度的提高反应腔获得高真空度的速率，提高刻蚀效率。
等离子体刻蚀反应内衬

[发明专利]显示面板及薄膜晶体管的栅极绝缘层的重工方法-CN200910207142.4有效
发明人：张嘉旭;陈姵伃 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2009-10-27 - 公布日： 2010-04-07 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种显示面板及薄膜晶体管的栅极绝缘层的重工方法，该方法包括：提供一基板，该基板包括一作为栅极绝缘层的氮化硅层位于该基板的一表面上；进行一第一脱膜工艺，以移除该基板上的该氮化硅层，包括进行一感应耦合等离子体刻蚀工艺以刻蚀该氮化硅层，其中该感应耦合等离子体刻蚀工艺的通入气体包括六氟化硫气体与氧气，六氟化硫的流量大体上介于300sccm至500sccm之间，氧气的流量大体上介于150sccm至350sccm之间，该感应耦合等离子体刻蚀工艺的工艺压力大体上介于80mtorr至160mtorr之间，且该感应耦合等离子体刻蚀工艺的工艺功率大体上介于2000W至3000W之间。
显示面板薄膜晶体管栅极绝缘重工方法

[发明专利]一种形成螺丝帽状硅通孔的刻蚀方法-CN201610878031.6在审
发明人：李全宝 -专利权人：苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司
申请日： 2016-10-09 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明涉及一种形成螺丝帽状硅通孔的刻蚀方法，根据待形成的螺丝帽状硅通孔获取第一刻蚀阶段和第二刻蚀阶段，在第一刻蚀阶段，采用反应离子刻蚀工艺在硅基底的上端形成坡度为60‑85°的开口；在第二刻蚀阶段，采用抗反射涂层反刻和电感耦合等离子体深硅刻蚀工艺沿开口的底端往下形成垂直的通孔本发明采用反应离子刻蚀和电感耦合等离子体刻蚀两步体硅刻蚀法，和叠加工艺流程形成所需要的螺丝帽状结构，刻蚀方法简单，可操作性强。
一种形成螺丝帽状硅通孔刻蚀方法

[发明专利]非等离子体刻蚀方法及刻蚀设备-CN201810769894.9在审
发明人：王晓娟;郑波;马振国;吴鑫;王春;史晶 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2018-07-13 - 公布日： 2020-01-21 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供一种非等离子体刻蚀方法及刻蚀设备，该非等离子体刻蚀方法包括：向反应腔室内通入刻蚀气体和还原性气体；其中，刻蚀气体用于与基片反应，以实现对基片的刻蚀；还原性气体用于抑制刻蚀气体的刻蚀速率。本发明提供的非等离子体刻蚀方法，其可以实现非等离子体刻蚀，同时可以提高刻蚀选择比。
刻蚀非等离子体刻蚀气体还原性气体刻蚀选择比还原性气刻蚀设备反应腔室内

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