[发明专利]无衬底支撑的悬空厚金波带片透镜的制备方法有效
| 申请号： | 201811075983.X | 申请日： | 2018-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN109243662B | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 陈宜方;李欣;徐晨;张思超;朱静远;谢珊珊;陆冰睿 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | G21K1/06 | 分类号： | G21K1/06 |
| 代理公司： | 31200 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 陆飞;陆尤<国际申请>=<国际公布>=< |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于电感耦合等离子体刻蚀技术领域，具体为一种无衬底支撑的悬空厚金波带片透镜的制备方法。其步骤包括：在Si衬底上旋涂HSQ光刻胶，利用电子束光刻的方法在光刻胶上形成波带片透镜的设计图形作为波带片硅模板的刻蚀掩蔽层，然后在电感耦合等离子体刻蚀系统中进行深反应离子刻蚀形成大高宽比的波带片硅模板，并结合金电镀的工艺在硅模板上电镀具有一定厚度的金，最后去除残余光刻胶掩膜以及去除衬底硅和Au波带片中残余的硅结构，从而得到应用于硬X射线成像领域的大高宽比的悬空金波带片。本发明方法可控性好、工艺稳定，并适用于大高宽比的金属结构的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 波带片 透镜 高宽比 硅模板 制备 电感耦合等离子体刻蚀 悬空 衬底支撑 光刻胶 电镀 厚金 去除 深反应离子刻蚀 电子束光刻 光刻胶掩膜 刻蚀掩蔽层 成像领域 工艺稳定 金属结构 设计图形 硬X射线 残余的 衬底硅 硅结构 结合金 可控性 波带 衬底 上旋 应用 | ||
【主权项】：
1.一种无衬底支撑的悬空厚金波带片透镜的制备方法，其特征在于，具体步骤如下：/n（1）在硅衬底上旋涂HSQ光刻胶，利用电子束光刻的方法在光刻胶上形成波带片透镜的光刻胶图形；/n（2）在电感耦合等离子体刻蚀系统中进行深反应离子刻蚀，形成大高宽比的波带片硅模板；高宽比>30:1；/n（3）在步骤（2）得到的样品上制备一金属导电层，材料为Cr/Au复合膜，作为种子层；/n（4）在步骤（3）得到的样品反面生长Si3N4隔膜；/n（5）将步骤（4）得到的样品正反面旋涂PMMA光刻胶，然后进行套刻标记曝光，并在正面开波带片窗口；/n（6）对步骤（5）得到的样品进行电镀Au；/n（7）对步骤（6）得到的样品反面采用热蒸发生长一Cr/Au复合膜，作为金标记；/n（8）对步骤（7）得到的样品用丙酮去掉正反面光刻胶；/n（9）对步骤（8）得到的样品反面再次旋涂PMMA光刻胶，再在反面光学套刻形成波带片通光窗口；/n（10）对步骤（9）得到的样品，用反应离子刻蚀去除反面的波带片通光窗口露出的Si3N4隔膜，并用丙酮去掉反面光刻胶；/n（11）KOH溶液湿法刻蚀去除衬底硅材料；/n（12）HF溶液湿法刻蚀去除HSQ残余掩膜，然后再在正面进行电感耦合等离子体刻蚀去除波带片缝隙中的硅材料。/n
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