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[发明专利]一种晶片及其制造方法、电子装置-CN201711192027.5在审
发明人：肖德元 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2017-11-24 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶片及其制造方法、电子装置。所述方法包括：提供硅晶锭并进行切片，以得到晶片；在所述切片之前或者之后，依次执行第一退火步骤和第二退火步骤；其中，所述第一退火步骤的温度低于所述第二退火步骤的温度。根据本发明的晶片的制造方法，在所述硅晶锭进行切割之前或者之后，依次执行第一退火步骤和第二退火步骤；其中，所述第一退火步骤的温度低于所述第二退火步骤的温度。通过所述处理可以从经氮掺杂的硅晶体的不同区域切割后得到的硅晶片的BMD密度的变化降低，其中氮的掺杂浓度也不会在造成不利影响。
退火电子装置硅晶锭晶片切片种晶制造区域切割氮掺杂硅晶片硅晶体切割掺杂

[发明专利]EPI预热环-CN201480048410.1有效
发明人：卡尔蒂克·萨哈;刘树坤 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2014-08-19 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本揭示案的实施方式大体涉及具有用于加热处理气体的预热环的处理室。在一个实施方式中，处理室包含：室主体，所述室主体界定内部处理区域；基板支撑件，所述基板支撑件设置于所述室主体内，所述基板支撑件具有基板支撑表面以支撑基板；及预热环，所述预热环安置于设置于所述室主体内的环支撑件上，其中所述预热环的一部分相对于所述基板支撑表面以预定角度朝向气体排放侧向下倾斜，以促使净化气体流动穿过气体排放侧较气体注射侧更多。
预热环室主体基板支撑件基板支撑表面气体排放侧向加热处理净化气体内部处理气体注射支撑基板环支撑下倾斜界定穿过安置流动

[发明专利]晶圆表面的平坦化方法-CN201811423858.3在审
发明人：魏星;高楠;陈猛;苏鑫;徐洪涛 -专利权人：上海新傲科技股份有限公司
申请日： 2018-11-27 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：一种晶圆表面的平坦化方法，包括如下步骤：提供一晶圆，所述晶圆包括绝缘埋层以及绝缘埋层表面的顶层硅层，所述顶层硅层的边缘厚度大于中心厚度；将所述晶圆在氢气或者氢气和惰性气体的混合气体中退火，退火能促进表面硅原子的重构，从而促进顶层硅的平坦化，并且边缘的重构速率快于中心，从而提高顶层硅层的厚度均匀性。或者对所述顶层硅层采用氢气和HCl的混合气体进行刻蚀，所述刻蚀工艺的边缘的刻蚀速率快于中心，从而提高顶层硅层的厚度均匀性。
顶层硅层氢气平坦化晶圆退火厚度均匀性混合气体绝缘埋层刻蚀重构厚度大于中心表面硅原子惰性气体晶圆表面刻蚀工艺顶层硅圆表面种晶

[发明专利]一种晶圆键合力的提升方法及增强系统-CN201811467425.8在审
发明人：张银;郭万里 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2018-12-03 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种晶圆键合力的提升方法及增强系统，其中，包括：步骤S1，提供一以硅为衬底的键合晶圆；步骤S2，将键合晶圆置于一微波发生室中；步骤S3，通过微波加热使微波发生室的温度上升并维持在一预设阈值；步骤S4，键合晶圆达到一预定温度后，经过一预设时间停止微波；步骤S5，冷却键合晶圆；在对少量的键合晶圆进行加热的情况下也不会产生能源的浪费，且不需要过长的预热过程，快速、高效。
键合晶圆微波预设圆键种晶半导体技术领域微波加热预热过程衬底加热冷却能源

[发明专利]热处理装置及热处理方法-CN201610329548.X有效
发明人：安贤焕;田银秀;柳守烈 -专利权人：系统科技公司
申请日： 2016-05-18 - 公布日： 2019-04-19 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明涉及一种热处理装置及热处理方法，尤其涉及一种旨在实现热处理对象基板的热变形最小化、与此同时可在同一腔室内迅速执行基板的加热处理和冷却处理的热处理装置及热处理方法。为此，本发明的热处理装置包括：腔室，内部形成有基板的热处理空间；加热部，配备于所述腔室的上部而用于加热基板；基板支撑部，可升降地配备于所述腔室的内部，用于安置固定所述基板；冷却部，配备于所述腔室的下部，用于冷却借助于所述加热部而得到热处理的基板和基板支撑部；升降驱动部，用于使所述基板和基板支撑部在加热位置与冷却位置之间升降，所述加热位置靠近所述加热部，所述冷却位置靠近所述冷却部或者接触于所述冷却部。
热处理装置方法

[发明专利]双波长退火方法及设备-CN201480068815.1有效
发明人：阿伦·缪尔·亨特;约瑟夫·R·约翰逊 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2014-12-17 - 公布日： 2019-04-19 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：描述用于热处理半导体基板的方法与设备。固态辐射发射器用以提供热处理能量场。第二固态辐射发射器用以提供活化能量场。将热处理能量及活化能量导向基板的处理区域，在所述处理区域活化能量增加基板中热处理辐射的吸收，造成由活化能量所照射的区域中基板的热处理。
波长退火方法设备

[发明专利]气体注射单元以及包含所述气体注射单元的热处理设备-CN201410563556.1有效
发明人：梁相熙;李基雄;严泰骏 -专利权人： AP系统股份有限公司
申请日： 2014-10-21 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：提供一种气体注射单元以及一种包含气体注射单元的热处理设备。经配置以将惰性气体注射到衬底上的气体注射单元包含：气体注射块，气体注射块具有气体注射空间，惰性气体穿过气体注射空间，并且气体注射块具有注射狭缝，注射狭缝界定在下侧中、具有在衬底的一个方向上延伸的线形状，并且允许惰性气体穿过注射狭缝，以便朝向衬底引导惰性气体；以及气体供应部件，气体供应部件包含第一储箱，第一储箱在注射狭缝的延伸方向上延伸，并且在第一储箱的中心方向上具有从第一储箱的两个端逐渐地减小的内径，惰性气体是通过两个端被引入，气体供应部件布置在气体注射块内并且连接到气体注射空间，以将惰性气体供应到气体注射空间中。
气体注射惰性气体注射储箱狭缝气体供应部件衬底热处理设备延伸惰性气体供应穿过中心方向线形状减小界定引入配置

[发明专利]负电容结构的形成方法-CN201810671100.5在审
发明人：叶凌彦;威尔曼·蔡;卡罗斯·H·戴尔兹 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-06-26 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：在电路的形成方法中，电路包含金属氧化物半导体场效晶体管区中的金属氧化物半导体场效晶体管，以及负电容场效晶体管区中的负电容场效晶体管。此方法包括形成介电层于金属氧化物半导体场效晶体管区与负电容场效晶体管区中的通道层上。形成第一金属层于金属氧化物半导体场效晶体管区与负电容场效晶体管区中的介电层上。在形成第一金属层之后，只在负电容场效晶体管区中进行退火步骤。在退火步骤之后，自金属氧化物半导体场效晶体管区与负电容场效晶体管区移除第一金属层。退火步骤包括以能量束照射负电容场效晶体管区中的第一金属层与介电层。
电容场晶体管区金属氧化物半导体场效晶体管第一金属层退火介电层电路能量束照射电容结构通道层晶体管移除

[发明专利]硅片的制备方法及装置-CN201811454355.2在审
发明人：闫浩;吴孝哲;林宗贤;吴龙江;熊建锋;刘强 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：一种硅片的制备方法及装置，所述方法包括：在还原性气体的等离子态气氛下，对硅片进行第一步退火，所述第一步退火的过程中，退火温度从起始温度上升至第一预设温度；在还原性气体的等离子态气氛下，对所述硅片进行第二步退火，所述第二步退火的过程中，退火温度保持为所述第一预设温度；其中，所述还原性气体的等离子态气氛为包含有基于还原性气体产生的等离子体的气氛。本发明方案可以提高硅片的品质、降低生产成本，提高生产效率。
硅片退火还原性气体等离子态制备方法及装置一步退火预设等离子体生产效率温度保持

[发明专利]包括生成和退火辐射引起晶体缺陷的制造半导体器件方法-CN201510120441.X有效
发明人： M.耶利内克;J.G.拉文;H-J.舒尔策;W.舒施特雷德 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2015-03-19 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明涉及包括生成和退火辐射引起晶体缺陷的制造半导体器件方法。在半导体衬底中诱导生成辅助晶体缺陷。然后在高于分解温度的温度下对半导体衬底预退火，在所述分解温度下辅助晶体缺陷转变成缺陷复合体，其可以是电惰性的。然后质子可以被注入半导体衬底中以诱导生成辐射引起的主要晶体缺陷。缺陷复合体可以增强基于辐射引起的主要晶体缺陷形成与粒子相关的掺杂剂的效率。
包括生成退火辐射引起晶体缺陷制造半导体器件方法

[发明专利]制造半导体器件的方法与含氧相关热施主的半导体器件-CN201610294432.7有效
发明人： J·G·拉文;M·杰里纳克;H-J·舒尔策;W·舒斯特德;M·斯塔特穆勒 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2016-05-05 - 公布日： 2019-03-26 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明涉及制造半导体器件的方法与含氧相关热施主的半导体器件。一种制造半导体器件的方法包括确定表示半导体晶圆(100)中的非本征掺杂剂浓度(Dext)和本征氧浓度(Doi)的信息。基于与非本征掺杂剂浓度(Dext)和本征氧浓度(Doi)有关的信息以及与半导体晶圆(100)中的氧相关热施主的生成速率或分解速率有关的信息，确定用于生成或分解氧相关热施主的处理温度梯度(Tproc(t))以补偿目标掺杂剂浓度(Dtarg)与非本征掺杂剂浓度(Dext)之差。
制造半导体器件方法相关施主

[发明专利]用于半导体处理腔室的吸收反射体-CN201610052005.8有效
发明人：劳建邦;保罗·布里尔哈特;巴拉苏布拉马尼恩·拉马钱德雷;萨瑟施·库珀奥;丹尼尔·雷德菲尔德;约瑟夫·M·拉内什;詹姆斯·弗朗西斯·麦克;凯拉什·基兰·帕塔雷;迈克尔·奥尔森;埃迪·菲热尔;理查德·哈尔平;布雷特·韦托尔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2014-04-23 - 公布日： 2019-03-22 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本公开内容的实施方式大致关于一种用于在热处理腔室中使用的反射体。在一个实施方式中，所述热处理腔室大致包含上圆顶；下圆顶，所述下圆顶与上圆顶相对，上圆顶及下圆顶界定处理腔室的内部空间；基板支撑件，所述基板支撑件设置在内部空间内；以及反射体，所述反射体安置在上圆顶上方并邻近所述上圆顶，其中反射体具有吸热涂层，所述吸热涂层沉积在反射体的面向基板支撑件的侧面上。
用于半导体处理吸收反射

[发明专利]用于热腔室应用及处理的光管窗结构-CN201480032197.5有效
发明人：约瑟夫·M·拉内什;阿伦·缪尔·亨特 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2014-06-11 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：描述了一种处理腔室。该处理腔室包括：腔室，该腔室具有内部空间；光管窗结构，该光管窗结构耦接到该腔室，该光管窗结构具有第一透明板，该第一透明板设置在该腔室的该内部空间内；及辐射热源，该辐射热源在该腔室的该内部空间外面的位置耦接到该光管窗结构的第二透明板，其中该光管窗结构包括设置在该第一透明板与该第二透明板之间的多个光管结构。
用于热腔室应用处理光管窗结构

[发明专利]碳化硅MOS栅氧化层退火方法-CN201811027430.7在审
发明人：吴明晃;廖奇泊;陈本昌 -专利权人：北京绿能芯创电子科技有限公司
申请日： 2018-09-04 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳化硅(SiC)MOS栅氧化层退火方法，包括栅极氧化物成长步骤、栅区晶硅形成步骤、源区形成步骤、P型形成步骤、介电层形成步骤以及防护层形成步骤。所述P型形成步骤包括P层形成步骤；在所述P层形成步骤中：在N型外延层(10)上形成P层(9)，并构成P阱区。本发明可以改善SiC与SiO₂界面的悬挂键(Dangling bond)或残留的碳原子之特性，并使碳化硅(SiC)MOS组件电性行为模式与理论组件特性一致，进而改善碳化硅MOS栅氧中的缺陷，提高产品的击穿电荷量，以及对电场应力的耐受能力,改善了碳化硅MOS栅氧的饱和电压特性及可靠性，并提供可信及稳定的电源模块应用设计。
碳化硅退火氧化层饱和电压特性栅极氧化物电场应力电源模块耐受能力应用设计组件特性性行为电荷量防护层介电层碳原子悬挂键击穿晶硅源区栅区残留可信

[发明专利]一种提升钙钛矿结晶性的方法-CN201610575139.8有效
发明人：郭小伟;柳邦;周勇;李绍荣 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-07-21 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明公开了一种提升钙钛矿薄膜结晶性能的方法，它是在钙钛矿制备过程中，在二甲基亚砜溶剂气氛下进行退火，提高钙钛矿结晶性的一种方法。在退火的过程中将钙钛矿样品置于二甲基亚砜气氛下可以促进晶粒生长，生成薄膜结晶性优异、缺陷密度降低的钙钛矿薄膜。这种薄膜可以减少钙钛矿太阳能电池的载流子复合并提升钙钛矿太阳能电池的性能。相对于常用的水蒸气和二甲基甲酰胺等溶剂退火，二甲基亚砜拥有更低的蒸汽压和更高的沸点，在增强钙钛矿结晶性方面有着更大的优势。
一种提升钙钛矿结晶方法