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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]用于基板处理的直流灯驱动器-CN201380021876.8有效
发明人：欧勒格·塞雷布里安诺夫;约瑟夫·M·拉内什;亚历山大·戈尔丁 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2013-04-22 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本文提供用于在处理腔室内加热基板的方法及设备。在一些实施例中，一种用于在处理腔室内加热基板的设备包括灯群组，所述灯群组包含一或更多组灯，用于在基板设置于处理腔室内时提供辐射能来加热所述基板，其中每组灯包含多个串联线接的灯，且其中每组灯相对于所述一或更多组灯中的其他组灯并联线接；交流(AC)电源，所述交流电源用于产生交流输入波形；以及灯驱动器，所述灯驱动器用于为灯群组供电，灯驱动器包括整流器，所述整流器耦接至交流电源以将交流输入波形转换成直流电压；以及直流‑直流(DC/DC)变换器，所述直流‑直流变换器用于降低直流电的电压。
用于处理直流驱动器

[发明专利]电加热器型预处理装置及用于其的电加热器结构体-CN201480080048.6在审
发明人：金炯锡 -专利权人：迪沃克斯株式会社
申请日： 2014-08-29 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明涉及电加热器型预处理装置及用于其的电加热器结构体，上述电加热器型预处理装置包括：反应腔室，在上述反应腔室的内部设置有电加热器结构体，用于从外部接收废气，上述电加热器结构体包括多孔性金属结构体。根据本发明，可使电加热器结构体与废气的接触面积最大化，在短时间内可向废气传递热量，具有高均匀性的热分布度，来激活废气热分解。
加热器预处理装置用于结构

[发明专利]利用顺应性材料的窗冷却-CN201580022912.1在审
发明人：约瑟夫·M·拉内什;保罗·布里尔哈特 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-05-04 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：此述的实施方式一般涉及用于处理基板的设备。该设备大体上包括处理腔室，该处理腔室包括灯壳体，该灯壳体含有多个灯，所述灯定位在邻近透光窗处。灯壳体内的灯提供辐射能至定位于基板支座上的基板。使用灯壳体内的冷却通道，有助于透光窗的温度控制。灯壳体使用顺应性导体热耦接透光窗。所述顺应性导体维持均一的传导长度，而无关透光窗与灯壳体的机械加工公差。均一的传导长度促进准确的温度控制。因为顺应性导体的长度是均一的而无关腔室部件的机械加工公差，所以对不同的处理腔室而言，传导长度相同。因此，多个处理腔室之间的温度控制是均一的，从而减少腔室与腔室间的差异。
利用顺应性材料冷却

[发明专利]快速热处理腔室-CN201280048459.8有效
发明人：柯克·莫里茨;阿伦·缪尔·亨特 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2012-10-22 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明的实施方式大体涉及RTP腔室。该腔室通常包括腔室主体和腔室盖。该腔室主体包括基板支撑件，该基板支撑件具有多个电阻式加热器区域，以加热定位在该基板支撑件上的基板。该腔室主体视情况也包括冷却通道和热绝缘衬里，冷却通道用于缓和热应力，热绝缘衬里设置在该腔室主体中以容纳热处理期间产生的热。该腔室盖包括盖主体和反射板，该盖主体具有穿过该盖主体的开口，该反射板设置在该开口内。多个高温计定位在该反射板内，以在遍及该基板的多个位置处测量与基板支撑件的这些区域对应的基板的温度。每一个区域的温度被调整以响应来自多个高温计的信号。
快速热处理

[发明专利]加热块和衬底处理设备-CN201310176774.5有效
发明人：金昌敎;金圣澈;权昶珉;金奇南 -专利权人： AP系统股份有限公司
申请日： 2013-05-14 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明涉及加热块和衬底处理设备，且更明确地说，涉及对衬底执行热处理的加热块和具有所述加热块的衬底处理设备。根据本发明的实施例，提供一种用于衬底处理设备的加热块，所述加热块在其一侧上具有加热灯以将热传递到经受热处理的目标，所述加热灯在所述一侧上在多个区域中具有不同布置式样。
加热衬底处理设备

[发明专利]可快速风冷的热处理装置-CN201410058258.7有效
发明人：董金卫;孙少东;徐冬 -专利权人：北京七星华创电子股份有限公司
申请日： 2014-02-20 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明提供了一种可快速风冷的热处理装置，包括炉体，所述炉体设有内壁、外壁、连接板，所述内壁与所述外壁的底部设有入风口，所述连接板用于连接所述内壁及所述外壁，所述连接板上设有若干供气流通过的通孔；所述炉体的顶部设有可拆卸的排风装置，所述排风装置上设有至少一个供气流通过的排风口，所述入风口与所述排风口连通。本发明通过在炉体上设有内外壁用于通风的夹层，内壁与外壁的底部不连接成为风的入口，在炉体的顶部设置可拆卸的排风装置。在炉体降温的过程，向内外壁的夹层中通入冷风，排送至排风口，起到加快炉体降温的效果。
快速风冷热处理装置

[发明专利]具有顶部基板支撑组件的热处理腔室-CN201380004493.X有效
发明人：欧勒格·塞雷布里安诺夫;约瑟夫·M·拉内什;阿伦·缪尔·亨特 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2013-01-14 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明的实施方式提供热处理腔室，所述热处理腔室包括设置在基板支撑组件的相对侧上的加热组件与驱动机构。特定而言，加热组件设置在基板支撑组件下方以处理以器件面朝上的基板且驱动机构设置在基板组件上方。
具有顶部支撑组件热处理

[发明专利]批处理式热处理装置以及适用于该热处理装置的加热器-CN200980122777.2有效
发明人：许官善;康浩荣 -专利权人：泰拉半导体株式会社
申请日： 2009-07-16 - 公布日： 2016-10-19 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明公开了一种能够同时对多个基板进行热处理且各基板通过与所述各基板相对应的多个加热器被加热的批处理式热处理装置以及适用于该批处理式热处理装置的加热器。根据本发明的批处理式热处理装置包括：对多个基板(10)提供热处理空间的腔室(100)、装载多个基板(10)并支承的晶舟(108)以及沿着基板(10)的层叠方向以规定间隔配置的多个主加热单元(120)，其中，该主加热单元(120)包括多个单位主加热器(200)，基板(10)配置在多个主加热单元(120)之间。
批处理热处理装置以及适用于加热器

[发明专利]通过热处理使表面平滑化的工艺-CN201280065068.7有效
发明人： T.朱安诺;Y.伯古米罗维茨 -专利权人：原子能和代替能源委员会
申请日： 2012-10-26 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：用于平滑化由半导体合金制造的第一基板(3)的粗糙表面(4)的工艺，该合金基于选自Ga、As、Al、In、P和N的至少两种元素，其通过放置第二基板(6)面对第一基板(3)使得粗糙表面(4)放置为面对第二基板(6)的表面而实现。第一基板(3)和第二基板(6)分开至少10μm的距离d，两个基板(3、6)的面对部分限定限制空间(5)。第一基板(3)然后被加热以部分地解吸所述合金的一种元素，在限制空间(5)中达到该元素的饱和蒸气压，并且获得足以降低粗糙表面(4)的粗糙度的表面原子迁移率。
通过热处理表面平滑工艺

[发明专利]防止高温工艺制程中掺杂晶圆掺杂物扩散的方法-CN201510095194.2在审
发明人：王亮;李广宁;马孝田 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2015-03-03 - 公布日： 2016-10-05 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明提供了一种防止高温工艺制程中掺杂晶圆掺杂物扩散的方法，先在掺杂晶圆上覆盖一层氧化层，然后进行快速热处理，使得掺杂晶圆中的部分掺杂物扩散至氧化层中，之后去除氧化层再进行高温工艺制程，从而避免在高温工艺制程中掺杂晶圆中的掺杂物扩散至炉管中污染其余的晶圆，避免了晶圆相互污染的问题，提升了高温制程工艺的效率，并且避免了在有掺杂物的高温工艺制程批次之后进行多次挡控片的高温工艺制程，增加了炉管的正常运行时间，降低了生产成本；同时，进行快速热处理也起到了活化掺杂晶圆中掺杂物的作用。
防止高温工艺制程中掺杂扩散方法

[发明专利]一种利用热处理减小微电子器件表面粗糙度的方法-CN201610163339.2在审
发明人：陈宜方;徐晨;陆冰睿 -专利权人：复旦大学
申请日： 2016-03-19 - 公布日： 2016-07-20 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明属于微电子器件表面处理技术领域，具体为一种利用热处理减小微电子器件表面粗糙度的方法。本发明利用高功率热源迅速提升样品表面温度，样品另一侧用恒温平台控制在室温；由于样品衬底位导热率极其高的硅片，温度梯度主要集中在几百纳米到几微米的光刻胶内，从而形成一个很大的温度梯度，使只有样品表面很薄的一层超过玻璃化温度，这一部分发生融化、回流现象，减小了粗糙度，而样品整体形貌则并没有发生改变。该方法简便、有效、兼容性好、适用度广，对于在某一特定温度能够熔融的几乎所有材料都有很好的效果。
一种利用热处理减小微电子器件表面粗糙方法

[发明专利]用于改善器件电学性能的方法以及半导体制造方法-CN201610307743.2在审
发明人：董碧云;李志国;黄冲;朱云 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2016-05-11 - 公布日： 2016-07-13 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于改善器件电学性能的方法以及半导体制造方法。根据本发明的用于改善器件电学性能的方法包括：第一步骤：将快速热处理设备的所有灯泡划分成多个温度区；第二步骤：为所述多个温度区内的灯泡分别设置各自的辐射温度；第三步骤：在设置的各个辐射温度下，利用快速热处理设备对快速热处理设备中布置的硅片进行加热。
用于改善器件电学性能方法以及半导体制造

[发明专利]热处理方法及热处理装置-CN201610006808.X在审
发明人：河原崎光 -专利权人：株式会社思可林集团
申请日： 2016-01-05 - 公布日： 2016-07-13 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供一种能够一边抑制界面层膜的氮化，一边促进高介电常数膜的氮化的热处理方法及热处理装置。将在硅基材上夹入界面层膜并成膜着高介电常数栅极绝缘膜的基板(W)收容在腔室(6)内。对腔室(6)供给氨气与氮气的混合气体而形成氨气氛围，在氨气氛围中从闪光灯(FL)以0.2毫秒以上且1秒以下的照射时间对基板(W)的表面照射闪光。由此，在氨气氛围中将高介电常数栅极绝缘膜加热而进行高介电常数栅极绝缘膜的氮化处理。另外，由于闪光照射时间极短，所以氮气不会到达形成在高介电常数栅极绝缘膜的底层的界面层膜而使其氮化。
热处理方法装置

[发明专利]使用红外线摄影机的低温快速热处理控制-CN201480060466.9在审
发明人：金·韦洛尔;迪内士·卡纳瓦德;列昂尼德·M·特蒂特斯特;诺曼·L·塔姆;阿伦·缪尔·亨特 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2014-10-17 - 公布日： 2016-06-22 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明的实施方式一般关于用在处理腔室(诸如RTP腔室)中监控基板温度均匀性的方法及装置。基板温度的监控利用耦合至具有广角透镜的探头的红外线摄影机。所述广角透镜被定位于所述探头中并利用弹簧固定，且所述广角透镜能够承受高温处理。所述广角透镜促成了在单一图像中观察所述基板的实质上整个表面。所述基板的所述图像可与参考图像比较，以促成灯调整，若必要的话，以产生所述基板的均匀加热。
使用红外线摄影机低温快速热处理控制

[发明专利]一种晶圆托环及具有该晶圆托环的反应腔室-CN201610107767.3在审
发明人：董琪琪;赖朝荣;苏俊铭 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-02-26 - 公布日： 2016-05-11 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：一种晶圆托环，呈立体状设置，且待工艺处理之晶圆的面积小于所述晶圆托环之晶圆置入方向的上端开口面积，并在所述晶圆托环内形成用以承载所述待工艺处理之晶圆的卡合部。本发明晶圆托环呈立体状设置，并通过在所述晶圆托环内形成用以承载所述待工艺处理之晶圆的卡合部，不仅使得所述晶圆仅其外边缘与所述晶圆托环接触，最大限度减少热量损失，而且稳定固定所述晶圆，提高晶圆工艺处理之转速，使其受热更均匀，工艺稳定性更强。
一种晶圆托环具有反应

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