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[发明专利]一种提高器件性能均一性的方法-CN201510591338.3有效
发明人：罗飞 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2015-09-17 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明提供一种提高器件性能均一性的方法，用于在半导体器件工艺流程完成后，晶圆背面留下有在各种炉管工艺后形成且也没有被后续清洗工艺去除掉的薄膜，和/或存在于栅极两侧侧墙的情况；即其在源漏极离子注入完成后和高温快速热退火之前，首先对晶圆背面的氮化硅厚度进行量测；然后根据该厚度与对应的晶圆吸热能力进行计算，动态地确定一个适合这片晶圆的热退火温度值；最后自动控制系统根据该热退火温度值，自动选择特定温度的退火工艺条件，以消除晶圆由于背面氮化硅厚度过大或过小带来的吸热偏差，最终实现不同晶圆之间的器件性能趋于一致的目的。
一种提高器件性能均一方法

[发明专利]具有气体馈送的石英窗及包含该石英窗的处理设备-CN201080018151.X有效
发明人： T·J·金;M·里普利 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2010-04-15 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本文揭露将工艺气体提供到处理系统中衬底的方法与设备。在一些实施例中，该衬底处理系统可以包括工艺腔室，其具有衬底支撑件设置在其中；光源，其设置在该工艺腔室上方以将能量导向该衬底支撑件；以及窗组件，其设置在该光源与该衬底支撑件之间，以容许该光源提供的光能朝向该衬底支撑件进入该工艺腔室，其中该窗组件包括入口以及一个或多个出口，该入口用以接收工艺气体，该一个或多个出口用以将该工艺气体分布到该工艺腔室内。
具有气体馈送石英包含处理设备

[发明专利]一种H2处理的非晶IGZO透明氧化物薄膜及其制备方法-CN201510604284.X有效
发明人：宋忠孝;李雁淮;李怡雪;张丹 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2015-09-21 - 公布日： 2018-01-19 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：一种H2处理的非晶IGZO透明氧化物薄膜及其制备方法，该制备方法包括1)在生长有SiO2的Si基片上溅射IGZO非晶薄膜，得到生长有IGZO非晶薄膜的硅基片；2)将生长有IGZO非晶薄膜的硅基片利用气氛保护退火管式炉在N2气氛下350‑450℃保温45‑75分钟，得到非晶IGZO透明氧化物薄膜。本发明制备的非晶IGZO透明氧化物薄膜包括In、Ga、Zn及O四种成分；其中，In的原子数百分含量为18～21％，Ga的原子数百分含量为18～21％，Zn的原子数百分含量为8～10％，O的原子数百分含量为48～56％。本发明由于改变了退火温度，一方面减少薄膜内部缺陷，提高其稳定性；另一方面提高了氧空位的浓度，进而提高载流子浓度，降低器件电阻，提高了IGZO透明薄膜的导电能力。进而在一定程度上提升了器件的运作速度，抗干扰能力。
一种 sub 处理 igzo 透明氧化物薄膜及其制备方法

[发明专利]基板处理单元、烘焙装置及基板处理方法-CN201710481475.0在审
发明人：金性洙;徐钟锡 -专利权人：细美事有限公司
申请日： 2017-06-22 - 公布日： 2018-01-05 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：公开了一种加热基板的加热单元。该加热单元包括壳体，其在其内部提供处理空间；加热板，其在处理空间中支撑基板；加热构件，其设置在加热板中并且被配置为对由加热板支撑的基板进行加热处理；排气构件，其被配置为将在壳体的内部空间中的气体排出；和外部气体供给部件，其安装在壳体中并且被配置为将外部气体供给到处理空间中，其中外部气体供给部件包括多个入口，其设置在壳体中；和多个流速调节构件，其分别安装在入口中并且被配置为调节被引入到入口中的外部气体的流速。
处理单元烘焙装置方法

[发明专利]加热灯组件-CN201480011595.9有效
发明人：理查德·O·柯林斯;尼欧·谬 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2014-03-04 - 公布日： 2017-12-08 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本文公开加热灯及加热灯组件的实施方式。在一些实施方式中，加热灯可包括灯泡；反射体，所述反射体在所述灯泡的第一端附近限制所述灯泡；基座，所述基座耦接至所述反射体的与灯泡相对的侧面上；柄，所述柄耦接至所述基座的与所述反射体相对的侧面上，其中所述柄包含主体，所述主体具有耦接至基座的第一端及与所述第一端相对的第二端；第一导体，所述第一导体自所述灯泡延伸，且以与所述灯泡相反的方向穿过所述基座及所述柄；以及第二导体，所述第二导体自所述灯泡延伸，且以与所述灯泡相反的方向穿过所述基座及所述柄。
加热组件

[发明专利]一种退火系统-CN201210141445.2有效
发明人：熊文娟;王大海;蒋浩杰;李俊峰 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-05-08 - 公布日： 2017-11-14 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种退火系统，包括混合气体源与退火炉，所述混合气体源通过炉外进气管与所述退火炉的后端相连，所述混合气体源与所述炉外进气管之间设置有阀门，所述阀门与所述炉外进气管之间设置有流量计；其中，所述退火炉包括炉体和炉盖，所述炉体为圆柱体型结构，所述炉盖设置在所述退火炉的前端；所述混合气体源用于向所述退火系统提供氮气与氢气的混合气体，其中，所述氮气与氢气的比例在90%10%~95%5%之间。采用用于向退火系统提供氮气与氢气的混合气体源，在退火过程中，向退火炉中通入一定比例的氮气与氢气的混合气体，避免了由于退火系统发生故障导致退火炉中氢气含量过高的危险，能够极大地提高退火系统的安全性。
一种退火系统

[发明专利]一种脉冲式快速热处理半导体薄膜表面的方法-CN201710511722.7在审
发明人：毕金莲;敖建平;高青;张照景;孙国忠;周志强;何青;张毅;孙云 -专利权人：南开大学
申请日： 2017-06-27 - 公布日： 2017-11-07 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：一种脉冲式快速热处理半导体薄膜表面的方法。表面处理是指在含S、Se、O、H等气氛中对半导体薄膜表面进行硫化、硒化、钝化或元素掺杂的过程。目的是提高半导体薄膜表面带隙，消除半导体薄膜表面悬挂键，钝化半导体薄膜表面缺陷，提高半导体薄膜导电能力。本发明提供的脉冲式快速热处理方法是在较低衬底温度下，采用高温或超高温度热处理半导体薄膜表面，处理温度500℃～1000℃，热处理时间60s以内。瞬间高温或超高温热处理可促进半导体薄膜表面化学反应发生，脉冲式快速热处理以及低衬底温度可实现半导体薄膜表面100nm厚度内的处理。
一种脉冲快速热处理半导体薄膜表面方法

[发明专利]微波氢化热处理方法-CN201710206175.1在审
发明人：金熙昶;赵元珠 -专利权人： CM科技21株式会社
申请日： 2017-03-31 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明提供了在显示器件薄膜晶体管(TFT)制作工艺中进行的，一种低温、低电力微波氢化热处理方法。所述微波氢化热处理方法包括把需要氢化热处理的器件加载到腔室的加载阶段，及加载上述器件的上述腔室内照射ISM频段(Industrial Scientific Medical band)频率微波的热处理阶段。为电子迁移率很大的氧化物半导体TFT或LTPS，利用微波在低温进行氢化热处理，通过微波把集成能量传送到器件中，使得原有只在高温进行的氢原子重组在低温也得到实现。
微波氢化热处理方法

[发明专利]一种提高三极管K值的磷硅玻璃退火工艺-CN201710341853.5有效
发明人：李本想;周莲莲;顾秀陶;刘美蓉 -专利权人：扬州晶新微电子有限公司
申请日： 2017-05-16 - 公布日： 2017-10-17 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明公开一种提高三极管K值的磷硅玻璃退火工艺，包括以下步骤，S1：将芯片均匀间隔放置在石英舟上；S2：将石英舟送入扩散炉中；S3：对扩散炉进行先升温、然后保温和最后降温操作，然后将石英舟从扩散炉中拉出，本发明解决了现有技术中芯片应力对半导体三极管性能产生不利影响的技术问题。
一种提高三极管玻璃退火工艺

[发明专利]一种提高锗薄膜张应变的制备方法-CN201510081779.9有效
发明人：黄诗浩;陈佳新;谢文明;林抒毅;聂明星;邵明;林承华;蒋新华 -专利权人：福建工程学院
申请日： 2015-02-15 - 公布日： 2017-09-29 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高锗薄膜张应变的制备方法，包括如下步骤步骤一)准备材料；步骤二)退火；步骤三)冷却处理；步骤四)取出锗薄膜综合材料。本发明对锗材料进行退火和冷却处理，就能获得一定量的张应变，对锗薄膜的厚度没有限制，具有工艺简单，容易实现，制备成本低，适合大批量生产等特点。所述制备方法可以用于锗沟道MOSFET器件和锗光电子器件制备工艺流程中，与硅基CMOS工艺相兼容。
一种提高薄膜应变制备方法

[发明专利]硅晶圆的热处理方法-CN201480034727.X有效
发明人：曲伟峰;田原史夫 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2014-06-26 - 公布日： 2017-09-29 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明是一种硅晶圆的热处理方法，具有将硅晶圆载置于SiC夹具上，放入热处理炉内的工序；在热处理炉内，在第一非氧化性气氛下，对硅晶圆进行热处理的工序；降温到能将硅晶圆从热处理炉内搬出的温度的工序；以及，将硅晶圆从热处理炉内搬出的工序；在降温工序中，在降温到能搬出的温度后，将第一非氧化性气氛切换成含氧气氛，在含氧气氛下，在SiC夹具的表面上形成厚度1～10nm的氧化膜，之后再将含氧气氛切换成第二非氧化性气氛。由此，能提供一种硅晶圆的热处理方法，该热处理方法能防止在热处理工序中来自于夹具和环境的碳污染。
硅晶圆热处理方法

[发明专利]用于可调整光源的设备-CN201680009716.5在审
发明人：纳夫乔特·库马尔;尼欧·O·谬;舒伯特·S·楚;卡迈什·吉里德哈;帕拉姆拉里·贾金德拉 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-01-20 - 公布日： 2017-09-26 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本文公开用于调整处理腔室的照明器模块位置的设备。实现方式一般包括处理腔室，该处理腔室包括界定内容积的封闭体；基板支撑件，该基板支撑件设置于该处理腔室的该内容积中；以及多个可调整照明器模块。各可调整照明器模块可包括辐射源；与辐射源连接的照明器连接器；可调整安装支架，该可调整安装支架连接至该照明器连接器，可调整安装支架可枢转地连接至处理腔室；以及可调整施力装置，该可调整力装置被安装成与该可调整安装支架连接。
用于可调整光源设备

[发明专利]一种对外延片进行快速退火合金的方法及设备-CN201210071424.8有效
发明人：熊传兵;江风益;方文卿;章少华;陈鹏 -专利权人：晶能光电(江西)有限公司
申请日： 2012-03-19 - 公布日： 2017-09-19 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明公开了一种对外延片进行快速退火合金的方法及设备，涉及半导体外延片的退火合金工艺及其设备，用于解决现有技术存在的效率低、产品质量差的问题，本发明的技术方案。包括以下步骤使导热板与加热板处于分离状态，将外延片放置在导热板上；使加热板的温度达到预设的温度，使导热板和加热板发生相向运动，并相接触，进行热交换；当达到工艺所需的温度和时间后，使导热板与加热板分离，导热板降温；当外延片降到所需温度后，将其取下。本发明可以实现外延片的快速降温，提高效率，并提高外延片的质量。本发明的方法和设备适合于半导体外延片的退火、合金等工艺。
一种外延进行快速退火合金方法设备

[发明专利]对外延片进行退火合金的装置及方法-CN201210072122.2有效
发明人：熊传兵;江风益;方文卿;章少华;陈鹏 -专利权人：晶能光电(江西)有限公司
申请日： 2012-03-19 - 公布日： 2017-08-22 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明公开了一种对外延片进行退火合金的装置及方法，涉及半导体外延片的退火合金技术，用于解决现有技术存在的效率低、退火合金后产品质量劣化的问题，本发明的技术方案为在所述导热板上包括供介质通过的通道，导热板上的通道包括介质的进口和出口；两端均设有阀门的介质加热装置与两端均设有阀门的介质冷却装置的两端并接，它们与介质泵串接连通，介质泵与导热板上的通道串接连通；当介质加热装置关闭与介质冷却装置之一开启，介质泵推动介质流动，形成介质闭路循环。本发明可以实现外延片的快速降温，提高效率，并提高外延片的质量。本发明的方法和设备适合于半导体外延片的退火、合金等工艺。
外延进行退火合金装置方法

[发明专利]用于改善工件温度均匀性的设备-CN201580062884.6在审
发明人：史蒂芬·M·恩尔拉;麦可·A·斯库拉么尔 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2015-11-23 - 公布日： 2017-08-18 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：揭示一种用于在处理期间改善工件温度均匀性的设备和方法。设备包含沿着平台的外周安置的环形加热器组合件。环形加热器组合件包含安置于其中或其上的加热元件，其中这些加热元件产生用以加温工件的外边缘的热量。在一些实施例中，环形加热器组合件伸出工件的边缘并且可以暴露于离子束中。
用于改善工件温度均匀设备