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[发明专利]一种IGBT硅片背面退火方法-CN201610379104.7有效
发明人：周炯 -专利权人：上海微电子装备(集团)股份有限公司
申请日： 2016-05-31 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明提出一种IGBT硅片背面退火方法，包括下列步骤：完成IGBT硅片的正面工艺；对所述硅片背面进行减薄工艺，将其研磨至所需厚度；将减薄后硅片的器件面与基底进行有机胶临时键合；对所述硅片进行离子注入；对所述硅片背面进行退火处理；进行临时解键合工艺，将硅片与基底分离；所述基底的的材料为玻璃基底，厚度为100～500μm。本发明提出的IGBT硅片背面退火方法，采用808nm+双527nm激光波长组合，利用键合基底对底部硅片的热量起到阻热作用，间接提供了底部预热功能，同样可以实现大结深IGBT退火工艺需求。
一种 igbt 硅片背面退火方法

[实用新型]晶圆加热装置-CN201920528620.0有效
发明人：孔志能 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-04-16 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本实用新型实施例涉及半导体制造领域，公开了一种晶圆加热装置，所述晶圆加热装置包括用于加热晶圆的热板、设置在所述热板上且用于固定晶圆的承载结构，所述承载结构远离所述热板的一端端面与所述热板表面形成的夹角可调节、所述承载结构在所述热板的轴向方向上可伸缩。本实用新型提供的晶圆加热装置能够使晶圆表面各区域的受热温度不同，为在晶圆上形成厚度不一的光刻胶膜创造工艺条件。
热板承载结构晶圆晶圆加热装置本实用新型半导体制造领域工艺条件光刻胶膜加热装置晶圆表面热板表面轴向方向受热可调节可伸缩种晶加热

[发明专利]一种LTCC基板组件及其共晶烧结工艺方法-CN201510919650.0有效
发明人：张群力;宋云乾;刘侨 -专利权人：中国航空工业集团公司雷华电子技术研究所
申请日： 2015-12-11 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明涉及一种LTCC基板组件及其共晶烧结工艺方法，LTCC基板组件包括LTCC基板(2)、0.08mm厚预成型银锡焊片(3)、毛纽扣安装孔(即CNA8高温保护阻焊胶涂覆位置)(4)、LTCC基板结构件(5)，LTCC基板组件放入至弹性定位工装(1)中构成产品件。本发明适合多尺寸的专用弹力工装，可将基板空洞率由80％以下提高到90％以上；设计毛纽扣安装孔的保护工艺，实现对不同连接器安装孔的焊接过程的精确保护，不会对后续连接器进行安装产生影响。同时采用银锡焊片作为焊接材料，可实现焊料量的高精度控制，提高产品的一致性。
一种 ltcc 组件及其烧结工艺方法

[发明专利]使用快速热加工形成异质外延层以除去晶格位错-CN201480038172.6有效
发明人： A·M·霍雷卢克;G·森达拉姆;R·巴蒂亚 -专利权人：雅达公司
申请日： 2014-06-25 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明公开了用于通过使用原子层沉积(ALD)然后快速热退火来在硅基底上生长氮化镓层的氮化镓装置的装置生产的方法和装置。氮化镓直接在硅上生长或在生长在硅基底上的氮化铝阻挡层上生长。一个层或者两个层都通过快速热退火进行热加工。优选地，ALD法使用低于550℃且优选低于350℃的反应温度。该快速热退火步骤使涂布表面的温度在少于12msec内提高到550至1500℃的温度。
使用快速热加工形成外延除去晶格

[发明专利]有沟槽引导式光纤加热的温度控制设备、基板温度控制系统、电子器件处理系统及处理方法-CN201580032721.3有效
发明人：马修·巴斯彻;小温德尔·博伊德;德米特里·A·季利诺;维贾伊·D·帕克赫;迈克尔·R·赖斯;利昂·沃尔福夫斯基 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-06-12 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：包括沟槽引导式光纤的基板温度控制设备。基板温度控制设备包括上部和下部构件(其中一者或两者包括沟槽)及多个在沟槽中被引导的光纤。在一个实施方式中，这些光纤适于提供基于光的像素化加热。在另一个实施方式中，嵌入式光温度传感器适于提供温度测量。描述了基板温度控制系统、电子器件处理系统、及包括沟槽引导式光纤温度控制和测量的方法作为许多其它的构想。
沟槽引导光纤加热温度控制设备控制系统电子器件处理系统方法

[发明专利]易取灯头-CN201480063229.8有效
发明人：约瑟夫·M·拉内什;欧勒格·V·塞雷布里安诺夫 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2014-10-06 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本文所描述的实施方式大体涉及一种用于热处理腔室中的灯头组件的改良的功率分配组件。在一个实施方式中，灯头组件包括用于半导体基板的热处理的多个灯和具有多个开口的功率分配组件，所述功率分配组件向多个灯提供功率且各个开口被调整尺寸以允许灯从中通过。
灯头

[发明专利]用于使预热构件自定中心的装置-CN201480065524.7有效
发明人：凯文·约瑟夫·鲍蒂斯塔;理查德·O·柯林斯;尼欧·谬 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2014-10-09 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：在此所描述的具体实施方式一般地涉及用于对准预热构件的装置。在一个具体实施方式中，提供对准组件用于处理腔室。所述对准组件包括：下衬垫；预热构件；在所述预热构件的底表面上形成的对准机构；以及在所述下衬垫的顶表面内形成且经配置以与所述对准机构啮合的拉长的槽。
用于预热构件中心装置

[发明专利]在激光处理系统中的周围层气流分布-CN201610621466.2有效
发明人：斯蒂芬·莫法特;阿伦·缪尔·亨特 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2011-07-29 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明公开一种用于使半导体基板退火的方法及设备。设备具有退火能量源及基板支撑件以及遮蔽构件，所述遮蔽构件设置于退火能量源与基板支撑件之间。遮蔽构件为实质平坦构件，所述实质平坦构件具有比在基板支撑件上处理的基板大的尺寸，窗覆盖所述实质平坦构件中的中心开口。中心开口具有气体入口门及气体出口门，所述气体入口门及气体出口门各自分别与气体入口气室及气体出口气室流体连通。连接构件设置于中心开口附近，且所述连接构件将窗固持于中心开口上方。连接构件中的连接开口分别经由气体入口导管及气体出口导管与气体入口气室及气体出口气室流体连通，所述气体入口导管及气体出口导管穿过连接构件形成。
激光处理系统中的周围气流分布

[发明专利]非晶碳膜的形成方法以及微机电系统器件的制作方法-CN201610885979.4有效
发明人：吴建荣;叶滋婧 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2016-10-10 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明公开了一种非晶碳膜的形成方法以及微机电系统器件的制作方法，所述非晶碳膜的形成方法包括：提供一基底；在所述基底上沉积一非晶碳膜；对所述非晶碳膜进行一热处理工艺。本发明通过对所述非晶碳膜进行一热处理工艺，能够完全去除所述非晶碳膜表面的水汽，同时使所述非晶碳膜的材质更加致密，所述微机电系统器件的制作方法采用所述非晶碳膜作为牺牲层，增强后续后层结构与所述非晶碳膜之间的粘合性，防止后层结构的滑动或脱落，从而提高相应器件的性能。
非晶碳膜形成方法以及微机系统器件制作方法

[发明专利]高温计的背景消除-CN201480061109.4有效
发明人：托德·B·帕特森 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2014-10-23 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：在此揭示的多个具体实施方式提供了一种用于处理基板的快速热处理(RTP)系统。RTP腔室具有辐射源，所述辐射源经配置以供应辐射至安置于处理空间中的基板。一个或多个高温计耦接至所述腔室主体，与所述辐射源相对。在一个范例中，所述辐射源安置于所述基板下方，并且所述高温计安置于所述基板上方。在另一个范例中，所述辐射源安置于所述基板上方并且所述高温计安置于所述基板下方。所述基板可以以各种方式支撑，所述方式经配置以减少所述基板支座与所述基板之间的物理接触。边缘环与屏蔽件安置于所述处理空间之中，并经配置以降低或消除背景辐射对所述高温计的干扰。此外，吸收表面可以耦接至所述腔室主体，以进一步降低背景辐射干扰。
高温背景消除

[发明专利]退火方法和半导体器件的制造方法-CN201910652395.6在审
发明人：冯晨萁;洪纪伦;吴宗祐;林宗贤 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-07-19 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本公开涉及一种退火方法和半导体器件的制造方法。其中，退火方法包括：在形成有图案化结构的衬底上沉积石墨烯层，其中所述石墨烯层至少部分覆盖所述图案化结构；以及对所述衬底退火。
退火半导体器件图案化结构石墨烯层衬底沉积制造覆盖

[发明专利]用于低压热处理的光导管结构窗-CN201580022142.0有效
发明人：保罗·布里尔哈特;约瑟夫·M·拉内什;阿伦·缪尔·亨特;埃德里克·唐;詹姆斯·弗朗西斯·麦克;劳建邦;埃罗尔·安东尼奥·C·桑切斯;叶祉渊;常安忠 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-04-07 - 公布日： 2019-10-15 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明公开的实施方式涉及用于半导体基板的热处理的光导管结构。在一个实施方式中，用于热处理腔室的光导管窗结构包括透明板及多个光导管结构，多个光导管结构形成在与透明板耦接的透明材料中，多个光导管结构的各个包含反射表面且具有纵轴，该纵轴以与透明板的平面有实质垂直关系的方式设置。
用于低压热处理导管结构

[发明专利]用于使用嵌入光纤光学器件及环氧树脂光学散射器的基板温度控制的装置、系统与方法-CN201580034345.1有效
发明人：马修·巴斯彻;小温德尔·博伊德;托德·J·伊根;格雷戈里·L·柯克;维贾伊·D·帕克赫;迈克尔·R·赖斯;利昂·沃尔福夫斯基 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-06-12 - 公布日： 2019-10-15 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：基板温度控制装置与电子器件制造系统提供像素型光式加热至处理腔室中的基板。处理腔室中的基板固持件可包括底板。底板具有顶表面，顶表面可具有多个空腔与连接至空腔的多个槽。光纤可接收在槽中，使得每一个空腔具有终止于空腔中的各自的光纤，以传送光至每一个空腔。一些或所有空腔可具有设置在空腔中的环氧树脂光学散射器，以散射由光纤所提供的光。上面可以放置基板的陶瓷板可接合至底板。可选地提供散热板于底板与陶瓷板之间。正如其它方面，还提供于电子器件制造系统中控制跨基板固持件的温度。
用于使用嵌入光纤光学器件环氧树脂散射温度控制装置系统方法

[发明专利]可压缩发泡热界面材料及其制备方法-CN201880012560.5在审
发明人： V·拉佳格鲍尔;E·A·普拉斯;理查德·F·希尔 -专利权人：莱尔德技术股份有限公司
申请日： 2018-01-17 - 公布日： 2019-10-08 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：公开了可压缩发泡热界面材料的示例性实施方式。还公开了制备和使用可压缩发泡热界面材料的方法。
热界面材料可压缩发泡制备

[发明专利]用于可替换的灯的适配器-CN201480068623.0有效
发明人：约瑟夫·M·拉内什;欧勒格·V·塞雷布里安诺夫 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2014-11-18 - 公布日： 2019-10-01 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明的实施方式大体关于一种改进的适配器，所述适配器用于在快速热处理(RTP)腔室中用作热辐射源的简化灯。在一个实施方式中，提供有灯组件。灯元件包含具有灯丝设在所述舱体中的舱体；按压密封件，耦接至舱体；及适配器，具有插座，所述插座经调整轮廓以接收所述按压密封件的至少一部分，其中所述按压密封件可移除地与所述适配器啮合。
用于替换适配器