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[发明专利]一种改善SiC Mos界面特性的方法-CN202310065487.0有效
发明人：林政勋;郭轲科 -专利权人：江苏邑文微电子科技有限公司;无锡邑文电子科技有限公司
申请日： 2023-02-06 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种改善SiC Mos界面特性的方法，涉及碳化硅制备领域。该改善SiC Mos界面特性的方法包括碳化硅表面清洗；在碳化硅表面制备阻挡层；利用等离子体对碳化硅表面进行处理，等离子体中的带电离子被阻挡层隔离，等离子体中的中性活性自由基穿过阻挡层到达碳化硅的表面进行修补；去除碳化硅表面的阻挡层；对碳化硅表面进行氧化形成SiC/SiO2。在对碳化硅表面的缺陷进行修复处理之前先在碳化硅的表面制备阻挡层，使得等离子体中的带电离子被阻挡层隔离，等离子体中的中性活性自由基穿过阻挡层到达碳化硅的表面进行修补，降低了到达碳化硅表面的带电离子的数量，缓解带电离子对碳化硅表面造成损伤的问题。
一种改善 sic mos 界面特性方法

[发明专利]使用等离子体刻蚀进行超窄沟道图案化-CN201910744444.9有效
发明人：陈昭瑄;黄渊圣 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-08-13 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本公开涉及使用等离子体刻蚀进行超窄沟道图案化。一种方法包括在图案化光致抗蚀剂上形成聚合物层。聚合物层延伸到图案化光致抗蚀剂的开口中。蚀刻聚合物层以暴露图案化光致抗蚀剂。蚀刻聚合物层和顶部底部抗反射涂层(BARC)以图案化顶部BARC，其中图案化光致抗蚀剂用作蚀刻掩模。顶部BARC用作蚀刻掩模来蚀刻底层。
使用等离子体刻蚀进行沟道图案

[发明专利]反应性离子蚀刻装置-CN201880058001.8有效
发明人：上村隆一郎;长田大和 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2018-12-06 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供一种可在被处理基板的面内整体上得到大致均匀的蚀刻率的低成本且结构简单的反应性离子蚀刻装置。本发明的反应性离子蚀刻装置EM，在台架(4)上设置具有一对电极(42b，42c)的静电卡盘(42)，通过在被处理基板(W)的蚀刻时向该一对电极施加直流电压，使被处理基板静电吸附在静电卡盘上，通过第一输出线(L1)与台架连接并对被处理基板施加偏置电位的高频电源(E2)，其通过第二输出线(L2)与一对电极连接并与直流电压重叠地施加高频电位，在第一输出线和第二输出线上分别夹设第一电容器(C1)和第二电容器(C2)，第一电容器与第二电容器的静电容量比设置在0.25～25的范围内。
反应离子蚀刻装置

[发明专利]基片处理系统、基片处理方法和基片处理装置-CN202211606830.X在审
发明人：木原嘉英;久松亨;本田昌伸 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-05-22 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供基片处理系统、基片处理方法和基片处理装置。基片处理系统的各部分执行：步骤a，利用光学观察装置，对于具有被处理层和形成在被处理层的图案的基片，按照多个区域的每一区域测定图案的槽宽度；步骤b，按照多个区域的每一区域计算图案的槽宽度与基准值的差值；步骤c，基于被处理层的温度与在被处理层上的图案沉积的膜的膜厚的对应，使用与按照多个区域的每一区域计算出的差值对应的膜厚，按照多个区域的每一区域调节被送入处理容器内的基片的被处理层的温度；步骤d，在图案上，形成具有同图案的槽宽度与基准值的差值相当的厚度的膜；和步骤e，使用形成了膜的图案，对被处理层进行蚀刻。
处理系统方法装置

[发明专利]实现离子轰击和电子轰击辅助转换的氧等离子体刻蚀方法-CN202211641268.4在审
发明人：郭美玲;许振涛;赵鹏康;杨振朝;杨明顺;李言 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2022-12-20 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明公开了一种实现离子轰击和电子轰击辅助转换的氧等离子体刻蚀方法，具体包括如下步骤：步骤1，测定氧等离子体基片周围磁镜处的悬浮电位Vf；步骤2，对碳膜进行氧等离子体刻蚀加工；步骤3，根据步骤1测定的悬浮电位Vf进行氧等离子体刻蚀过程中离子轰击和电子轰击的切换。本发明通过调控参数可实现氧等离子体刻蚀过程中将正离子引出或将电子引出轰击碳膜表面对其进行表层改性，解决了现有氧等离子体刻蚀仅能将正离子引出的问题，扩充了氧等离子体加工对碳膜结构和性能的调控作用，丰富了氧等离子体加工方法的使用范围和应用场合。
实现离子轰击电子辅助转换等离子体刻蚀方法

[发明专利]晶片的温度调节装置-CN202180050554.0在审
发明人：小林敦;小室亘 -专利权人： KELK株式会社
申请日： 2021-09-01 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：晶片的温度调节装置(1A)具备温度调节片(2A)、以及顶板(3)。温度调节片(2A)具有多个温度调节部(21)。多个温度调节部(21)在同一面内经由分割区域(22)而相互分割。多个温度调节部(21)能够分别独立地进行温度调节。顶板(3)具有层叠于温度调节片(2A)的板主体(31)。板主体(31)的与温度调节片(2A)相反一侧的面成为半导体晶片的载置面(31f)。顶板(3)具有隔热部(32)。隔热部(32)从温度调节片(2A)与顶板(3)的层叠方向(Ds)观察，在板主体(31)中配置于与分割区域(22)对应的位置。在隔热部(32)中，热传导率比板主体(31)小。
晶片温度调节装置

[发明专利]蚀刻方法-CN201711068815.3有效
发明人：久保卓也;康松润 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-11-03 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供能够抑制磁阻效应元件的磁特性的劣化的蚀刻方法。蚀刻方法包括如下工序：蚀刻包含磁隧道结的第1多层膜的工序；为了在等离子体处理装置的腔室内蚀刻包含钉扎层的第2多层膜而在腔室内生成包含烃气和稀有气体的第1气体的等离子体的工序；以及(iii)为了除去在生成第1气体的等离子体的工序中形成的含碳堆积物而在腔室内生成包含含有碳和氧的气体、氧气和稀有气体且不含氢的第2气体的等离子体的工序。
蚀刻方法

[发明专利]基板处理方法以及基板处理装置-CN202180052467.9在审
发明人：熊谷圭惠;高桥基;须田隆太郎;户村幕树;木原嘉英;大类贵俊 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-05-07 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：一个示例性实施方式提供一种基板处理方法。基板处理方法包含以下工序：在腔室内的基板支撑器上准备具有电介质膜的基板的工序；和由包含HF气体和选自C4H2F6气体、C4H2F8气体、C3H2F4气体以及C3H2F6气体中的至少1种CxHyFz气体的反应气体生成等离子体，对电介质膜进行蚀刻的工序，在进行蚀刻的工序中，将基板支撑器的温度设定为0℃以下，HF气体的流量比所述CxHyFz气体的流量多。
处理方法以及装置

[发明专利]等离子体干法刻蚀工艺的控制方法-CN202011130351.6有效
发明人：李光磊;林永顺;吴庆仁 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2020-10-21 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明公开了一种等离子体干法刻蚀工艺的控制方法，包括步骤：步骤一、选定用于对当前批次晶圆进行等离子体干法刻蚀的反应腔，确定晶圆支撑环随射频时间的消耗而产生的边界逐渐降低区域对晶圆边缘的刻蚀速率的影响；步骤二、将当前批次晶圆放置到反应腔中进行等离子体干法刻蚀工艺，根据步骤一中确定的边界逐渐降低区域对所述晶圆边缘的刻蚀速率的影响，调节等离子体干法刻蚀工艺的工艺参数，以补偿边界逐渐降低区域对晶圆边缘的刻蚀速率的影响。本发明能使晶圆边缘刻蚀深度维持稳定，并能提高反应腔的部件的使用寿命以及增加两次开腔之间的工艺时间，从而降低工艺成本以及提高机台产能。
等离子体刻蚀工艺控制方法

[发明专利]等离子体处理装置和控制方法-CN201810331134.X有效
发明人：池田太郎;长田勇辉 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-04-13 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明的等离子体处理装置和控制方法的目的在于，监视等离子体生成空间中的多个区域各自的等离子体点火的状态。提供一种等离子体处理装置，具有将从微波输出部输出的微波向处理容器的内部辐射的微波辐射机构，其中，所述微波辐射机构具有：天线，其用于辐射微波；电介质构件，其使从所述天线辐射的微波透过，且形成用于通过该微波来生成表面波等离子体的电场；传感器，其设置于所述微波辐射机构或者该微波辐射机构的附近，且监视生成的等离子体的电子温度；以及控制部，其基于由所述传感器监视到的等离子体的电子温度，来判定等离子体点火的状态。
等离子体处理装置控制方法

[发明专利]基板处理方法以及基板处理装置-CN202180052466.4在审
发明人：高桥基;须田隆太郎;户村幕树;大类贵俊;木原嘉英 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-05-07 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：一个示例性实施方式提供一种基板处理方法。基板处理方法包含以下工序：在腔室内准备具有含硅膜的基板的工序；和将包含选自C4H2F6气体、C4H2F8气体、C3H2F4气体及C3H2F6气体中的至少1种气体、HF气体以及卤化磷气体的处理气体导入至腔室内生成等离子体，对基板的含硅膜进行蚀刻的工序。
处理方法以及装置

[发明专利]使用氢氟酸和臭氧气体的选择性刻蚀工艺-CN202211722978.X在审
发明人：张祺;杨海春;仲華;谢挺;杨晓晅 -专利权人：玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技股份有限公司
申请日： 2020-10-16 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供一种用于刻蚀工件上的含钛层的方法。在一个示例中，该方法包括将工件放置在处理腔室中的工件支撑件上。工件包括第一层和第二层。第一层是含钛层。该方法包括将工艺气体引入到处理腔室中。工艺气体包括臭氧气体和含氟气体。该方法包括将工件上的第一层和第二层暴露于工艺气体，以相对于第二层以更大的刻蚀速率至少部分地刻蚀第一层。
使用氢氟酸臭氧气体选择性刻蚀工艺

[发明专利]基板处理方法-CN201680076251.5有效
发明人：长仓幸一;森本保;宇田秀一郎;齐藤刚 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2016-11-21 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供一种如下的技术：能够抑制对基板进行等离子体处理时暴露在等离子体中的硅或者金属的氧化膜的特性的劣化，且能够提高在等离子体处理中能够设定的处理条件的自由度。进行如下工序：等离子体处理工序，使用将由卤化物构成的处理气体等离子体化而得到的等离子体，对形成有硅或者金属的氧化膜的基板进行等离子体处理；以及加热处理工序，接着，在暴露在所述等离子体中的所述氧化膜露出的状态下，在非活性气体气氛或者真空气氛中将所述基板加热至450℃以上。由此，使因等离子体处理而劣化的所述氧化膜的特性恢复。
处理方法

[发明专利]等离子体蚀刻方法-CN201780047429.8有效
发明人：樱井隆觉;乾裕俊 -专利权人：日本瑞翁株式会社
申请日： 2017-07-21 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明涉及一种等离子体蚀刻方法，其为对氧化硅膜和氮化硅膜层叠而成的多层层叠体进行蚀刻的等离子体蚀刻方法，包含并用能够由组成式C3H2BrF3表示的含溴的碳氟化合物的气体和不含溴的碳氟化合物的气体，对氧化硅膜和氮化硅膜进行等离子体蚀刻的蚀刻工序。
等离子体蚀刻方法

[发明专利]用于3D NAND和DRAM应用的含有-NH2官能团的氢氟烃-CN201880070762.5有效
发明人：孙卉;法布里齐奥·马切吉亚尼;詹姆斯·罗耶;南森·斯塔福德;拉胡尔·古普塔 -专利权人：乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
申请日： 2018-10-31 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：一种方法，该方法用于使用选自由以下各项组成的组的氢氟烃蚀刻化合物：2,2,2‑三氟乙胺(C2H4F3N)、1,1,2‑三氟乙‑1‑胺(异‑C2H4F3N)、2,2,3,3,3‑五氟丙胺(C3H4F5N)、1,1,1,3,3‑五氟‑2‑丙胺(异‑C3H4F5N)、1,1,1,3,3‑五氟‑(2R)‑2‑丙胺(异‑2R‑C3H4F5N)和1,1,1,3,3‑五氟‑(2R)‑2‑丙胺(异‑2S‑C3H4F5N)、1,1,1,3,3,3‑六氟异丙胺(C3H3F6N)和1,1,2,3,3,3‑六氟‑1‑丙胺(异‑C3H3F6N)，或选自由以下各项组成的组的氢氟烃蚀刻化合物：1,1,1,3,3,3‑六氟异丙胺(C3H3F6N)和1,1,2,3,3,3‑六氟‑1‑丙胺(异‑C3H3F6N)相对于图案化光致抗蚀剂层选择性地等离子蚀刻介电减反射涂层(DARC)从而在该DARC层中产生孔。
用于 nand dram 应用含有 nh2 官能团氢氟烃