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[发明专利]基于聚焦离子束刻蚀石墨烯纳米带阵列的场效应晶体管及其制备方法-CN202310734611.8在审
发明人：刘玉菲;杜金泽;邵菁菁;方浚安 -专利权人：重庆大学
申请日： 2023-06-20 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于聚焦离子束刻蚀石墨烯纳米带阵列的场效应晶体管制备方法。首先在绝缘衬底上制备栅电极，再制备栅介电层覆盖在栅电极上，之后在栅介电层上制备源电极和漏电极，石墨烯微米带沟道位于源电极和漏电极之间，最后通过聚焦离子束技术在石墨烯微米带沟道上刻蚀纳米带阵列，得到带有石墨烯纳米带阵列的场效应晶体管。该方法制备的场效应晶体管具有高的开关比，其中在30×5μm的石墨烯沟道刻蚀5条宽度为约60nm、长度为约22μm的纳米带阵列的场效应晶体管开关比达到4709。本发明基于聚焦离子束在石墨烯微米带沟道刻蚀纳米带阵列的方法，提高了传统石墨烯场效应晶体管的开关比，因此在数字逻辑领域具有开阔的应用前景。
基于聚焦离子束刻蚀石墨纳米阵列场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]等离子处理方法以及等离子处理装置-CN202010515418.1有效
发明人：寺仓聪志;森政士;荒濑高男;岩濑拓 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2017-01-31 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供等离子处理方法及其处理装置，在对使用了含硼的无定形碳膜的层叠膜进行蚀刻时，通过实现高选择比、高蚀刻速率而能够进行连贯加工，通过简化掩模成膜工序来实现包括前后工序在内的高处理量化，进而具有垂直加工的形状控制性。本发明是通过对具有含硼的无定形碳膜的层叠膜进行等离子蚀刻来形成掩模的等离子处理方法，其特征在于，使用氧气、含氟气体、卤素气体和四氟化硅气体的混合气体或者氧气、含氟气体、卤素气体和四氯化硅气体的混合气体来对所述含硼的无定形碳膜进行等离子蚀刻。
等离子处理方法以及装置

[发明专利]等离子体处理方法以及等离子体处理系统-CN202310136971.8在审
发明人：桥本笃毅;齐藤翔;昆泰光 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2023-02-20 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：提供一种等离子体处理方法。该方法具备(a)向腔室内提供具有蚀刻膜以及掩模膜的基板的工序，基板具备蚀刻膜露出的第一区域和掩模膜露出的第二区域；(b)向腔室内供给包含含碳气体的处理气体，由处理气体生成等离子体，蚀刻蚀刻膜并且在掩模膜上形成保护膜的工序；以及(c)向腔室内供给处理气体，由处理气体生成等离子体，进一步蚀刻蚀刻膜并且去除保护膜的至少一部分的工序。(b)的工序包含第一期间以及第二期间，第一期间的含碳气体的流量比第二期间的含碳气体的流量多，(c)的工序包含第三期间以及第四期间，第三期间的含碳气体的流量比第二期间的含碳气体的流量以及第四期间的含碳气体的流量少。还提供一种等离子体处理系统。
等离子体处理方法以及系统

[发明专利]基板处理方法和基板处理装置-CN202180085064.4在审
发明人：箕浦佑也;榎本隆 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：提供一种基板处理方法，所述基板处理方法包括以下工序：准备形成有层叠膜的基板，所述层叠膜至少具有蚀刻对象膜、配置于所述蚀刻对象膜的下层的基底层以及配置于所述蚀刻对象膜的上层的掩模；通过等离子体借助所述掩模来对所述蚀刻对象膜进行蚀刻；以及在进行蚀刻的所述工序后，以期望的温度对基板进行热处理，其中，所述掩模和所述基底层中的至少一方含有过渡金属。
处理方法装置

[发明专利]产生离子能量分布函数(IEDF)-CN201780073879.4有效
发明人： L·多尔夫;T·高;O·卢艾莱;O·朱伯特;P·A·克劳斯;R·丁德萨;J·H·罗杰斯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-12-11 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本文提供了使用整形脉冲偏压产生任意形状的离子能量分布函数的系统和方法。在一实施例中，一种方法包括以下步骤：向工艺腔室的电极施加正跳变电压以中和晶片表面；向电极施加负跳变电压以设定晶片电压；和调制晶片电压的幅度以产生预定数量的脉冲以确定离子能量分布函数。在另一实施例中，一种方法包括以下步骤：向工艺腔室的电极施加正跳变电压以中和晶片表面；向电极施加负跳变电压以设定晶片电压；和向电极施加对晶片上的离子电流过度补偿的斜坡电压或向电极施加对晶片上的离子电流补偿不足的斜坡电压。
产生离子能量分布函数 iedf

[发明专利]清洁方法-CN201680064740.9有效
发明人：彼得·斯通;克里斯托弗·S·奥尔森;郭塘坊;谢平汉;丁震文 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-12-12 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本公开内容的实现方式一般地涉及用于在基板表面上外延沉积的方法和设备。更具体言之，本公开内容的实现方式一般地涉及用于在外延沉积之前作表面预备(preparation)的方法和设备。在一个实现方式中，提供了一种处理基板的方法。该方法包括以下步骤：通过使用等离子体蚀刻处理来蚀刻含硅基板的表面以形成该含硅基板的经蚀刻的表面，及在该含硅基板的经蚀刻的表面上形成外延层。该等离子体蚀刻处理包括以下步骤：将包含含氟前驱物和含氢前驱物的蚀刻剂气体混合物流入第一处理腔室的基板处理区域，及由流入基板处理区域的该蚀刻剂气体混合物形成等离子体。
清洁方法

[发明专利]无水的蚀刻方法-CN201880036041.2有效
发明人：陈智君;L·徐;王安川;N·英格尔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-05-17 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：示例性清洁或蚀刻方法可包括使含氟前驱物流入半导体处理腔室的远程等离子体区域中。方法可包括在远程等离子体区域内形成等离子体，以产生含氟前驱物的等离子体流出物。方法还可包括使等离子体流出物流入半导体处理腔室的处理区域中。基板可位于处理区域内，且基板可包括暴露的氧化物的区域和暴露的金属的区域。方法还可包括向处理区域提供含氢前驱物。方法可进一步包括移除暴露的氧化物的至少一部分。
无水蚀刻方法

[发明专利]对被处理体进行处理的方法-CN201780042178.4有效
发明人：森北信也;伴濑贵德;濑谷祐太;新妻良祐 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-07-04 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：一实施方式所涉及的方法(MT)提供一种在有机膜等的加工中能够进行图案形状的控制的技术。成为一实施方式的方法(MT)的应用对象的晶片(W)具备被蚀刻层(EL)、有机膜(OL)及掩模(ALM)，有机膜(OL)由第1区域(VL1)与第2区域(VL2)构成，掩模(ALM)设置于第1区域(VL1)上，第1区域(VL1)设置于第2区域(VL2)上，第2区域(VL2)设置于被蚀刻层(EL)上。方法(MT)中，在收容有晶片(W)的处理容器(12)内生成包含氮气的气体的等离子体而对第1区域(VL1)进行蚀刻直至到达第2区域(VL2)，从第1区域(VL1)形成掩模(OLM1)，在掩模(OLM1)的侧面(SF)保形形成保护膜(SX)，且对第2区域(VL2)进行蚀刻直至到达被蚀刻层(EL)，从第2区域(VL2)形成掩模(OLM2)。
处理进行方法

[发明专利]温度控制装置-CN201880048457.6有效
发明人：关笃史 -专利权人：伸和控制工业股份有限公司
申请日： 2018-07-20 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：一种温度控制装置，其遍及多个阶段地控制温度控制对象的控制温度。由第一流量控制用三通阀(103)将从第一供给组件(101)供给的低温侧流体和从第二供给组件(102)供给的高温侧流体混合，作为温度控制用流体向温度控制对象输送，由第二流量控制用三通阀(108)分配从温度控制对象返回的温度控制用流体，使之返回第一及第二供给组件。由第三流量控制用三通阀(112)使从第一供给组件不向第一流量控制用三通阀供给的低温侧流体经旁通流路与由第二流量控制用三通阀分配的温度控制用流体一起向第一供给组件回流。另一方面，由第四流量控制用三通阀(116)使从第二供给组件不向第一流量控制用三通阀供给的高温侧流体经旁通流路与由第二流量控制用三通阀分配的温度控制用流体一起向第二供给组件回流。
温度控制装置

[发明专利]用于改良的半导体蚀刻及部件保护的系统与方法-CN201780030527.0有效
发明人：陈天发;L·K·罗;D·卢博米尔斯基;S·郑;M·Y·崔;S·朴 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-05-18 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：半导体系统及方法可包括具有气箱的半导体处理腔室，此气箱提供至所述半导体处理腔室的入口。所述腔室可包括第一环形支撑件，在第一环形支撑件的第一表面处接触气箱，其中第一环形支撑件和气箱各自界定第一通道的一部分，第一通道位于气箱与第一环形支撑件的界面处；以及第一气体分配板，安装在第一通道内。腔室还可包括第二环形支撑件，在第一环形支撑件的第二表面处接触第一环形支撑件，第一环形支撑件的第二表面在第一环形支撑件的第一表面的对面，其中第二环形支撑件至少部分地界定第二通道，第二通道位于半导体处理腔室的内部区域周围；以及第二气体分配板，安装在第二通道内，其中第一气体分配板和第二气体分配板包含石英。
用于改良半导体蚀刻部件保护系统方法

[发明专利]一种InP基衬底的刻蚀方法-CN202310864394.4在审
发明人：朱开放;任舟逸;任华;郭春祥;许开东 -专利权人：江苏鲁汶仪器股份有限公司
申请日： 2023-07-14 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本申请提供了一种InP基衬底的刻蚀方法，该InP基衬底的刻蚀方法，包括：提供一InP基衬底；对所述InP基衬底刻蚀，形成凹槽以及侧壁保护层；在所述凹槽底部形成第一底部保护层；去除所述侧壁保护层和第一底部保护层，以提高所述凹槽的表面光滑度。在刻蚀凹槽过程中会在凹槽的侧壁同步形成侧壁保护层，降低在刻蚀凹槽过程中对侧壁造成的损伤，提高了侧壁的光滑度。还能简化工艺流程，减少工艺时间。通过在凹槽底部表面形成第一底部保护层，并去除第一底部保护层能提高底部的光滑度。基于该种方法形成的InP基衬底的凹槽内表面光滑度较高，基于该InP基衬底制备的半导体器件的性能更优异，可靠性更强，更加稳定。
一种 inp 衬底刻蚀方法

[发明专利]半导体结构的制造方法-CN202310738765.4在审
发明人：冯大伟;高展;张瑜;刘海龙 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2023-06-19 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种半导体结构的制造方法，包括：提供基底，基底横跨相邻接的阵列区和外围区；在阵列区以及外围区的基底上形成第一掩膜层，其中，位于阵列区的第一掩膜层内具有多个开口，开口贯穿第一掩膜层；形成填充层，填充层覆盖第一掩膜层的顶面，且填充满开口；形成第二掩膜层，第二掩膜层位于外围区的填充层上；采用第一刻蚀工艺，在第一偏置功率条件下，去除阵列区中高于第一掩膜层顶面的填充层；采用第二刻蚀工艺，在第二偏置功率条件下，去除阵列区中剩余的填充层；其中，第一偏置功率大于第二偏置功率。本公开实施例至少有利于提高形成的半导体结构的性能及良率。
半导体结构制造方法

[发明专利]等离子体蚀刻方法-CN201811317005.1有效
发明人：胜沼隆幸 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-11-07 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明所要解决的课题在于：避免由于从含金属掩模飞散的金属引起的蚀刻停止。解决课题的方法在于：等离子体蚀刻方法包括：保护膜形成工序，其利用第一处理气体，对形成于蚀刻对象膜上的具有规定的开口图案的含金属膜形成保护膜；和蚀刻工序，其将形成有保护膜的含金属膜作为掩模，利用第二处理气体的等离子体对蚀刻对象膜进行蚀刻。
等离子体蚀刻方法

[发明专利]干式蚀刻装置的控制方法-CN201780024534.X有效
发明人：崔相俊;姜智声;李炅珍 -专利权人：库库创作股份有限公司
申请日： 2017-04-18 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：与材质无关地能够适用的干式蚀刻装置的控制方法。本发明的一实施例公开的干式蚀刻装置的控制方法包括：将加工对象物紧贴于所述阴极部的下侧面的加工对象物放置步骤；将随着时间而极性为阳的电压和阴的电压交替的电压施加给阴极部的双向电压电源施加步骤；利用在施加于所述阴极部的双向电压电源的作用下产生的等离子而对加工对象物进行蚀刻的蚀刻步骤。
蚀刻装置控制方法

[发明专利]等离子蚀刻方法及等离子蚀刻系统-CN202310620821.4有效
发明人：毛昌海;帅小锋;祖全先 -专利权人：艾瑞森表面技术（苏州）股份有限公司
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本申请涉及一种等离子蚀刻方法及等离子蚀刻系统，用于蚀刻至少一个工件的表面，方法包括如下步骤：利用电场发生装置生成电场；利用等离子体发生装置生成氩离子和电子，氩离子在电场的作用下轰击工件的表面，电子被辅助阳极接收并回流到等离子体发生装置；获取任一所述工件的状态信息，状态信息用于指示工件是否遮挡等离子体发生装置和辅助阳极之间的空间；当至少一个工件的状态信息指示工件遮挡等离子体发生装置和辅助阳极之间的空间时，利用磁场生成装置产生磁场，磁场用于引导电子以偏离工件的运动轨迹运动，被辅助阳极接收，并回流到等离子体发生装置。本申请通过磁场的引导，电子能顺利的回流，避免了潜在的风险。
等离子蚀刻方法系统