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[发明专利]一种深硅刻蚀方法-CN202210908631.8在审
发明人：田翠霞;王友伟;车洪祥;方合;徐雷军 -专利权人：捷捷微电(南通)科技有限公司
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本申请提供了一种深硅刻蚀方法，涉及半导体工艺技术领域。该方法包括：提供一硅衬底；在刻蚀环境下向硅衬底通入刻蚀气体SF6，以对硅衬底进行刻蚀，并形成沟槽；在预设时间后向硅衬底通入钝化气体O2，以在沟槽表面形成SiO2钝化层；去除沟槽底部的SiO2钝化层；重复执行通入SF6、O2以及去除底部SiO2钝化层的步骤，直至达到预设刻蚀深度；其中，SiO2钝化层的生成速率大于与SF6的反应速率。本申请提供的深硅刻蚀方法具有刻蚀速率更快的优点。
一种刻蚀方法

[发明专利]一种基于氧气等离子体蚀刻的PS小球循环刻蚀工艺-CN202111033626.9有效
发明人：李泽宇;刘向;陶治;郭金宁;凡可;沈中坤;陈玄申;高涵博 -专利权人：南京信息工程大学
申请日： 2021-09-03 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于氧气等离子体蚀刻的PS小球循环刻蚀工艺，包括如下步骤：对衬底进行清洗干燥；在衬底上沉积单层PS小球；将其置于氧气等离子体蚀刻机的真空腔室内，设定相关工艺参数；预设单位蚀刻周期为连续的15秒氧气等离子体激发时间与30秒停止激发时间，使用的单位蚀刻周期的数量为N，蚀刻总时长T=N*15秒；取出衬底，蒸镀金属层，进行有机溶剂清洗和干燥处理，完成模板转移后，可用于微纳结构的制造。本发明解决了传统PS小球蚀刻过程中PS小球易融化所导致的PS小球光刻易失效、模板转移困难、PS小球残留物难以祛除等系列难题，通过实现高质量PS小球蚀刻工艺，来实现更为复杂精细的微纳结构制造。
一种基于氧气等离子体蚀刻 ps 小球循环刻蚀工艺

[发明专利]一种沟槽刻蚀及侧壁粗化方法和发光二极管-CN201911366357.0有效
发明人：邬新根 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供了一种沟槽刻蚀及侧壁粗化方法和发光二极管，包括采用ICP刻蚀机及相应刻蚀气体，且通过开口对待刻蚀外延片进行刻蚀形成沟槽；采用ICP刻蚀机及相应物理溅射气体，对掩膜层背离待刻蚀外延片一侧的表面进行轰击，使部分掩膜层溅射粘附于沟槽的侧壁，而形成散落点状的遮蔽层；采用ICP刻蚀机及相应化学气体，对遮蔽层裸露沟槽的侧壁处进行化学腐蚀。可见，对ICP刻蚀机通入相应刻蚀气体完成待刻蚀外延片的沟槽刻蚀过程；对ICP刻蚀机通入相应化学气体对遮蔽层裸露沟槽的侧壁进行化学腐蚀，完成沟槽侧壁的粗化过程；采用同一ICP刻蚀机完成沟槽刻蚀和沟槽的内壁粗化，提高发光二极管的制作效率，降低发光二极管的制作成本。
一种沟槽刻蚀侧壁方法发光二极管

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN202210505638.5在审
发明人：朱峯庆;李威养;林家彬 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-05-10 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：公开半导体装置与其制造方法。例示性的制造方法包括接收基板，其包含半导体材料堆叠形成其上，其中半导体材料堆叠包括第一半导体材料的第一半导体层与第二半导体材料的第二半导体层，且第二半导体材料不同于第一半导体材料。图案化半导体材料堆叠以形成沟槽。图案化步骤包括以第一蚀刻剂进行第一时间的第一蚀刻工艺；并以第二蚀刻剂进行第二时间的第二蚀刻工艺，其中第二蚀刻剂不同于第一蚀刻剂，且第二时间大于第一时间。重复数次的第一蚀刻工艺与第二蚀刻工艺。接着外延成长第一半导体材料的第三半导体层于沟槽的侧壁上。
半导体结构形成方法

[发明专利]碳化硅高深宽比槽刻蚀工艺优化方法-CN202210543899.6有效
发明人：盛况;任娜;钟浩;柏松;黄润华;李士颜 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心;浙江大学;中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2022-05-19 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明公开了碳化硅高深宽比槽刻蚀工艺优化方法，包括以下步骤：S1、采用镀膜设备镀膜，测量非金属掩膜层膜厚H1、折射率N1；S2、采用加密设备加密，测量其膜厚H2、折射率N2；S3、判断加密工艺有效性；S4、判断S1、S2步骤是否结束；S5、采用光刻工艺制作光刻胶掩膜；S6、采用刻蚀工艺刻蚀非金属掩膜、采用化学腐蚀工艺去除残留光刻胶；S7、采用刻蚀工艺刻蚀碳化硅沟槽；S8、观察碳化硅沟槽刻蚀形貌，计算选择比Selectivity，判定刻蚀完整性。本发明用以解决非金属掩膜作碳化硅刻蚀掩膜刻蚀选择比小于3，碳化硅沟槽线宽损失大的问题。
碳化硅高深刻蚀工艺优化方法

[发明专利]基片处理方法和基片处理系统-CN202180013830.6在审
发明人：斋藤祐介;村松诚;藤井宽之 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-02-05 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明的对基片进行处理的基片处理方法包括：将包含有机金属配合物、溶剂和添加物的涂敷液涂敷于基片，形成上述涂敷液的液膜的步骤；对形成有上述涂敷液的液膜的基片进行加热，形成含有机成分的金属氧化膜的步骤，其中，上述含有机成分的金属氧化膜是包含上述添加物中所含的有机成分的金属氧化膜；将上述含有机成分的金属氧化膜作为掩模进行干蚀刻的步骤；在上述干蚀刻后，将上述含有机成分的金属氧化膜中的上述有机成分除去的步骤；和将从上述含有机成分的金属氧化膜中除去了上述有机成分的膜通过湿蚀刻除去的步骤。
处理方法系统

[发明专利]一种半导体器件制造工艺中多晶硅的分步刻蚀方法-CN202210646047.X在审
发明人：孔令通;易文杰 -专利权人：湖南楚微半导体科技有限公司
申请日： 2022-06-09 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件制造工艺中多晶硅的分步刻蚀方法，采用ICP刻蚀工艺对衬底沟槽表面的多晶硅进行分步刻蚀，包括以下步骤：采用快速刻蚀的方式对衬底沟槽表面的多晶硅进行刻蚀；采用抓终点刻蚀的方式对剩余的多晶硅进行刻蚀，直至栅氧层暴露出来；采用过刻蚀的方式对残余的多晶硅进行刻蚀，完成对衬底沟槽表面多晶硅的刻蚀。本发明方法在有效刻蚀去除多晶硅的同时能够将对栅氧层的损伤降至最低，且损伤很少，在安全范围内，因而能够在保证栅氧层的完整性的前提下快速刻蚀去除多晶硅层，具有刻蚀时间短、刻蚀精度高等优点，使用价值高，应用前景好。
一种半导体器件制造工艺多晶分步刻蚀方法

[发明专利]深硅刻蚀方法、深硅槽结构及半导体器件-CN201811087025.4有效
发明人：林源为 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2018-09-18 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明公开了一种深硅刻蚀方法、深硅槽结极及半导体器件。该方法包括：步骤1、向反应腔室内输入沉积气体，启辉进行沉积；步骤2、开始通入刻蚀气体，以下电极功率P起始进行物理轰击；步骤3、对基片进行化学刻蚀；步骤4、判断当前循环次数是否达到总循环次数，是则结束工艺，否则循环执行所述步骤1至所述步骤3，其中，在循环次数达到初始循环次数之后，将当前沉积时间增大，和/或将当前下电极功率增大；在执行所述步骤3时，保持刻蚀时间不变。本发明通过沉积步中沉积时间的递进以及物理轰击步中下电极功率的递进，能够制造出深度较深、垂直度较高并且底部圆角较小的深硅槽结构，这种深硅槽结构有利于器件加工，能够提高产品良率。
刻蚀方法深硅槽结构半导体器件

[发明专利]用于氧化等离子体后处理以减少光刻中毒的技术及相关结构-CN201480081541.X有效
发明人： J·D·布鲁克斯;S·科萨拉朱;P·S·普列汉诺夫;A·伊克巴勒 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2014-09-26 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本公开内容的实施例描述了用于氧化等离子体后处理以减少光刻中毒的技术。在一个实施例中，一种设备包括具有多个布线特征的电介质层；以及蚀刻停止层，该蚀刻停止层具有与电介质层耦合的第一界面区域以及与第一界面区域相对设置的第二界面区域。第一界面区域具有跨第一界面区域均匀分布的峰值二氧化硅(SiO2)浓度水平，并且第二界面区域具有基本上为零的二氧化硅(SiO2)浓度水平。可以描述和/或要求保护其它实施例。
用于氧化等离子体处理减少光刻中毒技术相关结构

[发明专利]一种半导体器件制造方法-CN202110254790.6在审
发明人：金建澔;慎寿范;周娜;李俊杰;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2021-03-08 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体器件制造方法，涉及半导体制造技术领域，用于解决铝金属配线刻蚀过程中出现的顶部侵蚀与底部桥接的问题。所述半导体器件制造方法包括：提供一基底，基底包括自下而上层叠设置的衬底、层间介质层、铝导电层以及抗反射层。在抗反射层上形成光刻胶图案；以光刻胶图案为掩模，对抗反射层进行图案化处理，其中，抗反射层刻蚀气体至少包括氯化硼与氯气；抗反射层刻蚀气体条件为氯化硼流量为150sccm‑300sccm，氯气流量为75sccm‑125sccm。以光刻胶图案为掩模，依次对铝导电层，以及部分层间介质层进行图案化处理。
一种半导体器件制造方法

[发明专利]一种碳化硅纳米多孔刻蚀方法及刻蚀装置-CN202210545351.5在审
发明人：赵永华;詹顺达 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2022-05-19 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅纳米多孔刻蚀方法及刻蚀装置，属于半导体加工技术领域。本发明的刻蚀方式，包括如下步骤：通过工具电极产生的电解等离子体，在电解液中刻蚀碳化硅；所述工具电极与脉冲电场之间电连接；刻蚀完成后，碳化硅表面形成纳米多孔层。本发明的刻蚀方法，通过脉冲电场在工具电极表面诱导产生电解等离子体，基于电解等离子体的活性、电化学氧化和等离子体热氧化来促进碳化硅氧化。进一步的，电解液作为刻蚀液，加以电解等离子体活性，实现氧化物刻蚀，最终在碳化硅表面得到纳米多孔结构。同时，电解等离子体激发带来的热流体动力和碳化硅表面能带弯曲能强化电化学反应效率，从而提高碳化硅表面纳米多孔结构刻蚀效率。
一种碳化硅纳米多孔刻蚀方法装置

[发明专利]等离子处理方法-CN202080004094.3在审
发明人：广田侯然;角屋诚浩;永德宏文;中司孝则 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2020-02-10 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：能够实现批次处理第一片中的工艺变动的减少的等离子处理方法具有：第一工序，向所述处理室供给气体；以及第二工序，在所述第一工序后，使用等离子对所述试样进行蚀刻，所述气体是含有碳元素和氢元素的气体、含有氯元素的气体或包含在所述第二工序中所用的全部气体的混合气体。
等离子处理方法

[发明专利]图案化的方法-CN202210535376.7在审
发明人：赛门·罗芙尔;约翰·哈塔拉;亚当·普兰德;戴辉雄 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2016-06-02 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：一种图案化的方法。所述方法可包括：在衬底上提供层，所述层具有多个孔；以及沿轨迹引导多个离子以沿第一方向拉长所述多个孔，所述第一方向在由所述衬底的前表面界定的衬底平面内延伸。本发明可减小用于产生特征图案的掩模的数目的能力，其中所述特征可分隔开比由单一掩模可实现的临限间隔小的距离。
图案方法

[发明专利]等离子处理装置以及等离子处理方法-CN202080054480.3在审
发明人：松井都;臼井建人;桑原谦一 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2020-12-16 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明所涉及的等离子处理装置具备：对样品进行等离子处理的处理室；供给用于生成等离子的高频电力的高频电源；和载置样品的样品台。等离子处理装置进一步具备控制装置，其使用通过对样品照射紫外线而从样品反射的干涉光，来测量在样品的所期望的材料上选择性地形成的保护膜的厚度，或者使用通过对样品照射紫外线而从样品反射的干涉光，来判断保护膜的选择性。
等离子处理装置以及方法

[发明专利]半导体装置及蚀刻方法-CN202080093564.8在审
发明人：平田瑛子;深沢正永 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2020-06-15 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：提供了一种蚀刻方法，该蚀刻方法能够改善在半导体装置中加工接触孔时由蚀刻引起的缺陷。该蚀刻方法包括：通过使用第一气体的等离子体将第一聚合膜接合至绝缘膜上，该绝缘膜设置在包含硅的半导体层上；使用第二气体的等离子体，在移除第一聚合膜的同时，通过氧化绝缘膜的上表面形成变质层；通过使用第三气体的等离子体将第二聚合膜接合至变质层上；以及通过使用第四气体的等离子体移除第二聚合膜和变质层。
半导体装置蚀刻方法