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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]基板处理方法-CN201680076251.5有效
发明人： 长仓幸一;森本保;宇田秀一郎;齐藤刚 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2016-11-21 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供一种如下的技术：能够抑制对基板进行等离子体处理时暴露在等离子体中的硅或者金属的氧化膜的特性的劣化，且能够提高在等离子体处理中能够设定的处理条件的自由度。进行如下工序：等离子体处理工序，使用将由卤化物构成的处理气体等离子体化而得到的等离子体，对形成有硅或者金属的氧化膜的基板进行等离子体处理；以及加热处理工序，接着，在暴露在所述等离子体中的所述氧化膜露出的状态下，在非活性气体气氛或者真空气氛中将所述基板加热至450℃以上。由此，使因等离子体处理而劣化的所述氧化膜的特性恢复。
处理方法

[发明专利]基板处理装置-CN202010342111.6在审
发明人：羽田敬子;清水昭贵;长仓幸一;立花光博 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-01-05 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种以简单的结构、不使生产率降低就能够将残留的氟去除的基板处理装置。其中，该基板处理装置包括：处理室，其被维持为大气压气氛；载物台，其被配置于所述处理室内，并载置被实施了使用含有氟的气体的处理的基板；温度调节部，其将所述载物台上载置的基板的温度维持在10℃～80℃；以及供给机构，其向所述处理室内供给水蒸气，以使所述载物台上载置的基板暴露于含有550g/m3以上的水分量的水分含有气氛中。
处理装置

[发明专利]基板处理方法、基板处理装置以及基板处理系统-CN201710007284.0有效
发明人：羽田敬子;清水昭贵;长仓幸一;立花光博 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-01-05 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：本发明提供一种以简单的结构、不使生产率降低就能够将残留的氟去除的基板处理方法、基板处理装置以及基板处理系统。在工艺模块(13)中被实施了COR处理和PHT处理的晶圆(W)在冷藏部(20)的处理室(28)的内部暴露于湿度被调整成所含有的水分量是50g/m3以上的气氛。
处理方法装置以及系统

[发明专利]蚀刻方法和蚀刻装置-CN201910694304.5在审
发明人：阿部拓也;三好秀典;清水昭贵;长仓幸一 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-07-30 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供蚀刻方法和蚀刻装置，能够对形成于微细凹部的内表面的SiN或Si均匀地进行蚀刻。蚀刻方法包括以下工序：将具有凹部且在凹部的内表面存在由SiN或Si构成的蚀刻对象部的基板设置在处理容器内；在处理容器内对基板进行含氧等离子体处理，优先地使所述凹部的顶部的蚀刻对象部的表面改性；接着，对蚀刻对象部进行各向同性的干蚀刻。
蚀刻凹部处理容器内表面含氧等离子体表面改性基板设置蚀刻装置微细对基板干蚀刻

[发明专利]半导体装置的制造方法以及存储介质-CN200810145897.1有效
发明人：成重和树;长仓幸一 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2008-08-18 - 公布日： 2009-02-18 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置的制造方法以及存储介质，能够每次在对基板上形成的有机膜进行蚀刻时得到良好的蚀刻形状。该半导体装置的制造方法包括：利用等离子体对含硅膜进行蚀刻，转印该含硅膜上的图案掩模的图案的工序；除去所述图案掩模使所述含硅膜的表面露出的工序；利用等离子体中的氧活性种通过所述含硅膜的图案对所述有机膜的表面进行蚀刻，由此形成凹部的工序；之后溅射所述含硅膜从而在所述凹部的内壁上形成由含硅物构成的保护膜的工序；和利用等离子体中的氧活性种通过所述含硅膜的图案沿更深方向对凹部进行蚀刻，从而形成孔或者槽的工序，通过这样，因为能够从氧活性种保护凹部侧壁的同时进行蚀刻，所以能够得到良好的图案形状。
半导体装置制造方法以及存储介质

[发明专利]等离子体处理装置、聚焦环和基座-CN200810001388.1有效
发明人：远藤升佐;岩渕纪之;加藤茂昭;大久保智也;广瀬润;长仓幸一;輿水地盐;传宝一树 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2004-04-23 - 公布日： 2008-11-12 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本发明设置一种具有聚焦环的等离子体处理装置，使聚焦环的冷却效果得到极大的提高，同时防止费用的增加。等离子体处理装置包括一个具有静电卡盘的基座和聚焦环。要进行等离子体处理的晶片W被载置于静电卡盘上。聚焦环具有介电材料部分和导体材料部分。介电材料部分形成了与静电卡盘接触的接触部分。导体材料部分与静电卡盘相面对并有介电材料部分存在于其间。
等离子体处理装置聚焦基座

[发明专利]等离子体处理装置、聚焦环和基座-CN200810001389.6有效
发明人：远藤升佐;岩渕纪之;加藤茂昭;大久保智也;广瀬润;长仓幸一;輿水地盐;传宝一树 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2004-04-23 - 公布日： 2008-11-12 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本发明设置一种具有聚焦环的等离子体处理装置，使聚焦环的冷却效果得到极大的提高，同时防止费用的增加。等离子体处理装置包括一个具有静电卡盘的基座和聚焦环。要进行等离子体处理的晶片W被载置于静电卡盘上。聚焦环具有介电材料部分和导体材料部分。介电材料部分形成了与静电卡盘接触的接触部分。导体材料部分与静电卡盘相面对并有介电材料部分存在于其间。
等离子体处理装置聚焦基座

[发明专利]等离子体处理装置、聚焦环和基座-CN200410034165.7有效
发明人：远藤升佐;岩渕纪之;加藤茂昭;大久保智也;广濑润;长仓幸一;輿水地盐;传宝一树 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2004-04-23 - 公布日： 2004-10-27 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本发明设置一种具有聚焦环的等离子体处理装置，使聚焦环的冷却效果得到极大的提高，同时防止费用的增加。等离子体处理装置包括一个具有静电卡盘的基座和聚焦环。要进行等离子体处理的晶片W被载置于静电卡盘上。聚焦环具有介电材料部分和导体材料部分。介电材料部分形成了与静电卡盘接触的接触部分。导体材料部分与静电卡盘相面对并有介电材料部分存在于其间。
等离子体处理装置聚焦基座

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