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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]低介电常数材料层的去除方法-CN202310288066.4在审
发明人：孙冉 -专利权人：格科半导体（上海）有限公司
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：一种低介电常数材料层的去除方法，所述方法包括：提供待清洗晶圆，所述待清洗晶圆的表面具有低介电常数材料层；采用氧等离子体对所述待清洗晶圆进行干法刻蚀，以降低所述低介电常数材料层中的甲基含量；采用第一浓度的刻蚀溶液，对所述待清洗晶圆进行第一时长的第一次各向同性刻蚀；采用第二浓度的所述刻蚀溶液，对所述待清洗晶圆进行第二时长的第二次各向同性刻蚀；其中，所述第二浓度小于所述第一浓度，所述第二时长小于第一时长。采用上述方案，既可以快速、有效地去除晶圆表面的低介电常数材料层，又可以大幅减少清洗后的晶圆表面的颗粒数量，使晶圆满足再次使用要求，从而达到提高效率、降低成本的目的。
介电常数材料去除方法

[发明专利]蚀刻方法-CN201780034555.X有效
发明人：畑崎芳成;石田和香子;谷口谦介 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-05-16 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明的蚀刻方法，通过对被处理体进行等离子体处理，相对于由氮化硅形成的第2区域(R2)，有选择地蚀刻由氧化硅形成的第1区域(R1)，其中，被处理体具有划成凹部的第2区域(R2)、填埋该凹部的第1区域(R1)、和设置在第1区域(R1)上的掩模(MK)，该蚀刻方法包括：生成包含碳氟化合物气体的处理气体的等离子体的第1步骤；和利用沉积物中所含的碳氟化合物的自由基对第1区域进行蚀刻的第2步骤，在第2步骤中脉冲波状地施加有助于等离子体的形成的高频电功率，反复执行第1步骤和第2步骤。
蚀刻方法

[发明专利]一种氮化镓材料侧壁刻蚀角度的方法-CN202310349486.9在审
发明人：杨帆;李军帅;孔玮 -专利权人：西湖烟山科技（杭州）有限公司
申请日： 2023-04-04 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明涉及半导体材料工艺刻蚀技术领域，尤其涉及一种氮化镓材料侧壁刻蚀角度的方法，分别通过在氮化镓材料上制备光刻胶后进行ICP刻蚀、在氮化镓材料上制备金属硬掩膜后进行ICP刻蚀，以及对氮化镓样品材料使用碱性溶液进行化学刻蚀，来实现氮化镓材料在三个角度区域的侧壁刻蚀；其中，三个角度区域分别为：低角度区域即为低于70°角度区域，高角度区域即为高于70°角度区域，以及垂直角度即90°角度；则所述侧壁刻蚀，具体包括：与水平面呈低角度的侧壁刻蚀，与水平面呈高角度的侧壁刻蚀，以及与水平面呈垂直角度的侧壁刻蚀。本发明可以实现不同氮化镓器件刻蚀侧壁的角度，满足各种氮化镓器件对侧壁倾斜角度的需求。
一种氮化材料侧壁刻蚀角度方法

[发明专利]等离子处理方法-CN202180009904.9在审
发明人：中谷侑亮;园田靖;田中基裕 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2021-10-22 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：将HfO2向侧方且相对于SiGe选择性地进行蚀刻。为了GAA等下一代三维构造器件制造，在使用能进行自由基蚀刻的真空处理装置将HfO2向侧方蚀刻的等离子处理方法中，特征在于，在BCl3气体中添加SiCl4气体，通过使得这时的SiCl4气体的流量比例比BCl3气体的流量比例低，并设为与HfO2相比而沉积于SiGe上的SiClx沉积物更多的流量比例，能将HfO2相对于SiGe选择性地进行蚀刻。
等离子处理方法

[发明专利]等离子处理方法以及等离子处理装置-CN201880002792.2有效
发明人：松井都;臼井建人;伊泽胜;桑原谦一 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2018-01-31 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：在重复进行沉积工序和蚀刻工序的循环蚀刻中，高精度地控制图案上的沉积膜厚来长时间稳定地蚀刻成所期望的形状。具备：沉积工序(S1)，将具有堆积性的反应性气体导入处理室，在被蚀刻基板的被蚀刻图案的表面形成堆积层；蚀刻工序(S2)，将堆积层与被蚀刻图案表面的反应生成物除去；和工序(S3)，在交替实施两个工序来加工微细图案的循环蚀刻的、形成堆积层的沉积工序时，将光照射到被蚀刻图案，根据由被蚀刻图案反射的特定波长的干涉光的变化来监视堆积层的膜厚的变化量，决定形成循环蚀刻的下一次循环以后的堆积层的工序的处理条件，以使得根据监视到的堆积层的膜厚的变化量算出的沉积膜厚的指标与参考数据比较收入给定的范围内。
等离子处理方法以及装置

[发明专利]基板处理设备和基板处理方法-CN202210814754.5在审
发明人：朱润钟;李城吉;金宰焕;朴玩哉;吉惠晙;朴志焄;严永堤 -专利权人：细美事有限公司
申请日： 2022-07-11 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理方法，包括：通过使用通过激发第一气体而产生的第一等离子体来处理所述基板的第一处理操作；以及通过使用通过激发不同于所述第一气体的第二气体而产生的第二等离子体来处理所述基板的第二处理操作。
处理设备方法

[发明专利]对被处理物进行处理的方法-CN201780020009.0有效
发明人：木原嘉英;久松亨 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-03-27 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：一实施方式中晶片(W)具备被蚀刻层(EL)和设置在被蚀刻层(EL)上的掩膜(MK4)，一实施方式的方法(MT)通过重复执行序列(SQ3)，并对每个原子层除去被蚀刻层(EL)来对被蚀刻层(EL)进行蚀刻，该序列(SQ3)包括：工序(ST9a)，通过产生等离子体并对平行平板电极的上部电极(30)施加直流电压来照射二次电子、并且用氧化硅化合物覆盖掩膜(MK4)；工序(ST9b)，生成氟碳系气体的等离子体并在被蚀刻层(EL)的表面的原子层形成含有自由基的混合层(MX2)；及(ST9d)，生成Ar气体的等离子体并施加偏置电压来除去混合层(MX2)。
处理进行方法

[发明专利]对被处理物进行处理的方法-CN201780020010.3有效
发明人：木原嘉英;久松亨;大石智之 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-03-27 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：一实施方式中，晶片(W)具备被蚀刻层(EL)、有机膜(OL)、防反射膜(AL)及掩膜(MK1)，一实施方式的方法MT具备如下工序：在收容有该晶片(W)的等离子体处理装置(10)的处理容器(12)内，通过在处理容器(12)内产生的等离子体并使用掩膜(MK1)对防反射膜(AL)进行蚀刻处理，该工序具备：在掩膜(MK1)的表面保形地形成保护膜(SX)的工序(ST3a)～工序(ST4)；及通过使用形成有保护膜(SX)的掩膜(MK1)按原子层去除防反射膜(AL)而对防反射膜(AL)进行蚀刻的工序(ST6a)～工序(ST7)。
处理进行方法

[发明专利]一种晶圆的表面处理工艺-CN202310326326.2在审
发明人：叶斌;李哲;丁科允 -专利权人：江苏天芯微半导体设备有限公司
申请日： 2023-03-29 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆的表面处理工艺，所述表面处理工艺包含以下步骤：S1，提供一预清洁腔，将晶圆传入预清洁腔内；S2，向所述预清洁腔内通入预清洁气体对所述晶圆进行预清洁，去除晶圆表面的氧化层；S3，将预清洁后的晶圆传入外延反应腔内，通入表面再处理气体对晶圆进行再处理，以去除晶圆表面的多晶含硅物和/或起伏，其中，所述再处理的工艺温度为600～950℃。本发明通过在再处理工艺去除晶圆表面的多晶和/或起伏，且再处理和外延工艺均在同一个腔室，避免了晶圆发生翘曲变形，晶圆出腔再次暴露产生氧化层，保证了表面处理的质量，且大大缩短工艺时间，减少了再处理过程中的能量损耗。
一种表面处理工艺

[发明专利]减小表面粗糙度的方法-CN202211375182.1在审
发明人：罗兰·芒福德;克里斯托弗·乔纳森·W·博尔顿 -专利权人： SPTS科技有限公司
申请日： 2022-11-04 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本申请案的实施例涉及一种减小表面粗糙度的方法。一种减小包括直立及/或凹陷特征的硅衬底的非平面表面上的表面粗糙度的方法，所述方法包括以下步骤：提供具有非平面表面的硅衬底，所述非平面表面包括具有相关联表面粗糙度的直立及/或凹陷特征；在所述硅衬底上执行第一序列的等离子体处理步骤；及在所述硅衬底上执行第二序列的等离子体处理步骤。
减小表面粗糙方法

[发明专利]深硅刻蚀优化方法-CN202310159497.0有效
发明人：王宇;陈勇树 -专利权人：粤芯半导体技术股份有限公司
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本申请涉及半导体技术领域，公开了一种深硅刻蚀优化方法，在等离子反应腔室内对目标硅片进行第一次沟槽刻蚀以在所述目标硅片上生成初沟槽；在所述等离子反应腔室的第一优化条件下，循环输出钝化和刻蚀等离子体至所述初沟槽，得到以所述初沟槽为基础的深沟槽，所述深沟槽的侧壁具有波纹结构；在所述等离子反应腔室的第二优化条件下，输出消波等离子体至所述深沟槽，得到消除所述波纹结构的目标沟槽。本申请在不影响刻蚀速率的前提下，降低了消除驻波的工艺复杂度及工艺成本，优化了深硅刻蚀的沟槽结构。
刻蚀优化方法

[发明专利]等离子体处理方法和等离子体处理装置-CN201810644337.4有效
发明人：谷川雄洋;河田进二;瀬本贵之 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-06-21 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供在腔室内的构件的表面更均匀地形成致密的保护膜的等离子体处理方法和等离子体处理装置。等离子体处理方法包括供给工序和成膜工序。在供给工序中，向腔室内供给混合气体，所述混合气体包含：含有硅元素和卤元素的化合物气体、含氧气体、以及包含与化合物气体中包含的卤元素相同种类的卤元素且不包含硅元素的添加气体。在成膜工序中，利用混合气体的等离子体，在腔室内的构件的表面形成保护膜。
等离子体处理方法装置

[发明专利]凹槽刻蚀方法及鳍式场效应晶体管的制造方法-CN202310211699.5在审
发明人：王启飞;朱海云 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2023-02-27 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明公开了一种鳍式场效应晶体管中的凹槽刻蚀方法，包括：提供衬底，衬底表面具有多个栅极和位于栅极之间的鳍形结构；刻蚀相邻栅极之间的鳍形结构，形成初始凹槽，初始凹槽的内壁表面附着有刻蚀过程中产生的副产物；去除初始凹槽内壁表面上的副产物；再次对初始凹槽进行刻蚀，形成内壁表面光滑的凹槽。本发明能够实现在Fin‑FET的鳍形结构的凹槽刻蚀中降低凹槽表面的粗糙度和缺陷态密度，形成光滑表面的凹槽。
凹槽刻蚀方法场效应晶体管制造

[发明专利]一种等离子体刻蚀晶圆倒角的方法及等离子体刻蚀设备-CN202310392905.7在审
发明人：宣丽英;王明华 -专利权人：杭州乾晶半导体有限公司
申请日： 2023-04-12 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明涉及等离子体刻蚀技术领域，特别涉及一种等离子体刻蚀晶圆倒角的方法及等离子体刻蚀设备。包括：提供碳化硅晶圆；在碳化硅晶圆表面形成倒角区域和掩膜区域；将形成倒角区域和掩膜区域后的碳化硅晶圆置于等离体设备内部，对碳化硅晶圆进行等离子体刻蚀，在碳化硅晶圆的倒角区域形成倒角；取出刻蚀后的碳化硅晶圆，并去除碳化硅晶圆表面的掩膜。本发明碳化硅晶圆置于等离子体的刻蚀环境中，控制刻蚀环境的压力、反应气体的流量、射频频率和射频功率使得反应气体转化为等离子体，由于等离子具有能量高，粒子速率高，化学活性高的特点，使得碳化硅晶圆的倒角区域的在等离子体环境中被刻蚀，最终获得具有钝圆光滑倒角的碳化硅晶圆。
一种等离子体刻蚀倒角方法设备

[发明专利]蚀刻气体及其制造方法、以及蚀刻方法、半导体元件的制造方法-CN202180069821.9在审
发明人：铃木淳 -专利权人：株式会社力森诺科
申请日： 2021-10-08 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：提供一种能够与非蚀刻对象物相比选择性地蚀刻含有硅的蚀刻对象物的蚀刻气体和蚀刻方法。蚀刻气体含有由通式C4HxFy表示并且通式中的x为1以上7以下、y为1以上7以下且x+y为8的氟丁烯。并且，蚀刻气体含有碳酰氟作为杂质，碳酰氟的浓度为100质量ppm以下。蚀刻方法具备蚀刻工序，蚀刻工序使蚀刻气体与具有蚀刻对象物和非蚀刻对象物的被蚀刻构件(12)接触，与非蚀刻对象物相比选择性地蚀刻蚀刻对象物，蚀刻对象物是蚀刻气体的蚀刻对象，非蚀刻对象物不是蚀刻气体的蚀刻对象。蚀刻对象物含有硅。
蚀刻气体及其制造方法以及半导体元件

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