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[发明专利]等离子体处理装置-CN202080004072.7在审
发明人：明石将司 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2020-04-21 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：在各向同性蚀刻时，控制晶片上的自由基分布，并且防止第二遮挡板上表面的异物飞扬。等离子体处理装置具备：处理室(106)，其对样品进行等离子体处理；高频电源(113)，其供给用于生成等离子体的高频电力；样品台(120)，其载置所述样品；以及第一平板(115)，其配置于所述样品台(120)的上方且具有多个贯通孔(170)，所述等离子体处理装置还具备：第二平板(116)，其配置于所述第一平板(115)与所述样品台(120)之间且与所述第一平板(115)对置；以及气体供给口(150)，其配置于所述第一平板(115)与所述第二平板(116)之间的所述处理室(106)的侧面且供给气体，所述贯通孔(170)配置于从中心离开规定的距离的部位的外侧。
等离子体处理装置

[发明专利]半导体晶圆的加工方法-CN201911032952.0有效
发明人：杨京;卫晶;韦刚;陈国动;李娟娟;魏晓;黄亚辉 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2019-10-28 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：一种半导体晶圆的加工方法，包括：开启射频源，使射频源输出第一射频功率，并将工艺腔室的腔室压力设为第一腔室压力；维持所述射频源开启，将所述射频源的输出功率调节至过渡射频功率；同时，将所述腔室压力调节至第一过渡腔室压力；在预定时间段内，使所述射频源持续输出所述过渡射频功率；同时，将所述腔室压力调节至第二过渡腔室压力；将所述射频源的输出功率调节至第二射频功率；同时，将所述腔室压力调节至所述第二腔室压力；以及，使所述射频源输出所述第二射频功率，并使所述腔室压力保持在所述第二腔室压力本发明在调节工艺条件期间，射频源维持输出射频功率，使得鞘层可维持在工作件(如晶圆)的上方，并借此改善工艺结果及提升良率。
半导体加工方法

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN202210712617.0在审
发明人：林执中;林含谕;李芳苇;林立德;林斌彦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-22 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明的半导体装置的形成方法包括形成鳍状结构，其包括鳍状物底部与堆叠的鳍状物部分于基板上。堆叠的鳍状物部分包括第一半导体层与第二半导体层，其中第一半导体层包括锗。方法更包括蚀刻鳍状结构以形成开口，经由开口输送主要蚀刻剂与含锗气体至鳍状结构；以及以主要蚀刻剂与含锗气体蚀刻开口中的第二半导体层的一部分。
半导体装置形成方法

[发明专利]GaN衬底的刻蚀方法-CN202211034622.7在审
发明人：李萍萍;林源为 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2022-08-26 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaN衬底的刻蚀方法，包括：在GaN衬底的顶面上形成第一掩膜层；在第一掩膜层的表面制作图案化的光刻胶层；刻蚀步骤，利用刻蚀气体连续刻蚀第一掩膜层和GaN衬底，以在GaN衬底形成由刻蚀沟槽相互隔离的多个微结构，微结构具有设定的侧壁倾角；其中，刻蚀气体包括氯基气体、含溴元素的气体以及含硼气体。本发明能够实现避免干法刻蚀高角度GaN微结构产生的微沟槽效应。
gan 衬底刻蚀方法

[发明专利]刻蚀方法和碳化硅电子器件-CN202211042269.7在审
发明人：谭晓宇 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2022-08-29 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本申请涉及刻蚀方法和碳化硅电子器件。该方法包括交替进行的刻蚀阶段和沉积阶段，刻蚀阶段，向腔室内通入含氟气体和含氧气体，并提供激励电源和偏压电源，对碳化硅基板进行刻蚀；沉积阶段，向腔室内通入含氧气体，不通入含氟气体，并提供激励电源和偏压电源，在碳化硅基板上沉积氧硅化合物形成保护膜。根据本申请，可得到侧壁垂直、底部圆滑的碳化硅沟槽。
刻蚀方法碳化硅电子器件

[发明专利]等离子体蚀刻方法和等离子体处理装置-CN201980019371.5有效
发明人：泽田石真之;广瀬润 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-07-19 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：在一个例示性的实施方式所涉及的等离子体蚀刻方法中，将基板配置于静电吸盘上且被聚焦环包围的区域内。通过被来自等离子体的离子将基板在被静电吸盘保持的状态下进行蚀刻。静电吸盘具有包括第一电极和第二电极的多个电极。第一电极在基板的中央区域的下方延伸。第二电极在基板的边缘区域的下方延伸。向多个电极分别施加多个电压，所述多个电压被决定为在基板被静电吸盘保持的状态下使来自等离子体的离子大致垂直地入射于中央区域和边缘区域这两方。
等离子体蚀刻方法处理装置

[发明专利]等离子处理装置以及等离子处理方法-CN202180005331.2在审
发明人：江藤宗一郎;冈本翔;中元茂;臼井建人 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2021-03-15 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：等离子处理装置以及方法对配置于真空容器内部的处理室内的处理对象的晶片使用在该处理室内形成的等离子进行处理，在该等离子处理装置以及方法中，在所述处理对象的晶片的处理中的给定的多个时刻从所述晶片表面接受多个波长的光，在使用将表示该接受到多个波长的光的强度的信息和表示预先取得的所述多个波长的光的强度的数据进行比较的结果来检测所述处理对象的晶片的处理中的处理的量的情况下，基于表示预先在多个晶片各自的所述处理中取得的来自各个该晶片的表面的光的所述多个波长的光的强度的数据，将各晶片彼此之间的相似度数值化，将对应于被数值化的所述相似度而选择的至少1个数据和表示在所述处理对象的晶片的处理中得到的所述多个波长的光的强度的数据进行比较，来检测所述处理的量。
等离子处理装置以及方法

[发明专利]无机固体物图案的制造方法及无机固体物图案-CN202180025596.9在审
发明人：鸭川政雄;诹访充史;早坂惇 -专利权人：东丽株式会社
申请日： 2021-03-15 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明的一个实施方式是无机固体物图案的制造方法，其包含在无机固体物上涂布包含聚金属氧烷及有机溶剂的组合物的涂布工序、将通过上述涂布工序得到的涂布膜在100℃以上且1000℃以下的温度下加热而制成热处理膜的工序、形成上述热处理膜的图案的工序、和将上述热处理膜的图案作为掩模，通过蚀刻对上述无机固体物进行图案加工的工序。
无机固体图案制造方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN202110523243.3在审
发明人：黄秋铭 -专利权人：格科微电子（上海）有限公司
申请日： 2021-05-13 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；在衬底内形成开口；对所述开口的侧壁表面和底部表面进行等离子体处理；对所述开口的侧壁表面和底部表面进行等离子体处理之后，在开口内形成填充满所述开口的填充层。所述方法形成的半导体结构性能得到提升。
半导体结构形成方法

[发明专利]一种晶圆的刻蚀方法及系统-CN202210983922.3有效
发明人：董宗谕 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2022-08-17 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆的刻蚀方法及系统，属于半导体制造技术领域。所述晶圆的刻蚀方法包括以下步骤：刻蚀晶圆，并记录刻蚀所述晶圆的批次数量；当所述晶圆的批次数量到达预设值时，获取当前批次所述晶圆的刻蚀速率、关键尺寸和膜层厚度；依据所述晶圆的刻蚀速率、关键尺寸或膜层厚度，判断第一电极和第二电极之间的距离是否在预设范围内：若所述距离在所述预设范围内，则继续蚀刻所述晶圆；若所述距离超过所述预设范围，则调整所述第一电极和所述第二电极之间距离。通过本发明提供的一种晶圆的刻蚀方法及系统，可实时监控调整刻蚀工艺，提高刻蚀良率。
一种刻蚀方法系统

[发明专利]监测和控制晶片衬底形变的方法和系统-CN201710798257.X有效
发明人：海尤玛·阿什拉夫;凯文·里德尔;罗兰·芒福德;格兰特·鲍德温 -专利权人： SPTS科技有限公司
申请日： 2017-09-06 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明公开了在等离子蚀刻晶片衬底的过程中监测和控制所述晶片衬底的形变的方法和系统。所述方法包括以下步骤：将晶片衬底布置在工艺腔室内的台板组件上，以使晶片的整个上表面暴露；使工艺气体通入所述工艺腔室中；向所述台板组件施加射频偏置电压；在所述工艺腔室内生成等离子体；在蚀刻工艺期间，监测所述台板组件和所述工艺腔室之间的电压差；一旦达到阈值监测电压，就减少或消除所述等离子体以阻止进一步蚀刻。
监测控制晶片衬底形变方法系统

[发明专利]刻蚀方法-CN202210984917.4在审
发明人：王启飞;朱海云;王京 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2022-08-17 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本申请公开一种刻蚀方法，用以刻蚀被刻蚀件，所述刻蚀方法包括：将所述被刻蚀件传入工艺腔室；将工艺气体和稀释气体通入所述工艺腔室，其中，所述工艺气体包括含有氟元素的第一气体，以及含有氢元素的第二气体，通入的所述工艺气体中氢原子和氟原子的比例大于或等于3：2，所述稀释气体在所述工艺腔室内的体积分数大于或等于80％；将所述工艺气体和所述稀释气体形成等离子体，以刻蚀所述被刻蚀件。采用上述刻蚀方法可以被刻蚀件，可以尽量防止在刻蚀过程中形成沉积物，简化膜层结构的刻蚀过程。
刻蚀方法

[发明专利]一种用于ICP腔室的晶圆均一性优化方法-CN202210835710.0在审
发明人：尹格华;刘海洋;杨宇新;郭磊;李浩;刘小波;胡冬冬;许开东 -专利权人：江苏鲁汶仪器有限公司
申请日： 2022-07-15 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于ICP腔室的晶圆均一性优化方法，包括：S1，对累计射频时间进行持续监控，通过累计射频时间判断聚焦环的消耗量；当累计射频时间超过预先设定的射频时间阈值时，进入步骤S2；S2，针对不同的刻蚀工艺参数，通过调节源射频的功率分配，改变电感耦合线圈的外线圈和内线圈的功率，使晶圆的边缘区域和中心区域获得不同的等离子体密度分布，补偿因聚焦环被消耗而引起的晶圆边缘区域的等离子体鞘层的变化。本发明能够自主调节工艺菜单设定的I/O功率分配，补偿由聚焦环消耗而带来的晶圆边缘区域等离子体鞘层分布和形态的变化，维持均一性稳定。
一种用于 icp 均一优化方法

[发明专利]环栅结构刻蚀方法、半导体器件的制备方法及半导体器件-CN202210962646.2在审
发明人：马一鸣;杨光;王京 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2022-08-11 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明公开了一种环栅结构刻蚀方法、半导体器件的制备方法，方法包括：提供待刻蚀对象，待刻蚀对象包括形成于基底上的叠层结构，叠层结构包括交叠设置的应变层与牺牲层；对待刻蚀对象的侧壁执行循环刻蚀步，循环刻蚀步中依次循环执行设定循环次数的氧化保护步和第一刻蚀步；其中，氧化保护步用于在应变层和牺牲层的侧壁上形成氧化保护层；对待刻蚀对象的侧壁执行第二刻蚀步，直到牺牲层被刻蚀到设定的横向深度；第二刻蚀步的等离子体密度大于第一刻蚀步的等离子体密度。本发明能够实现在刻蚀环栅结构中牺牲层被高选择性地去除，而应变层得到有效的保护。
结构刻蚀方法半导体器件制备

[发明专利]制造集成电路的方法及系统-CN202210249504.1在审
发明人：何昀芮;廖志腾 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-14 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本申请提供制造集成电路的方法及系统，制造集成电路的方法包括多晶硅蚀刻制程，其中将具有蚀刻多晶图案的晶圆装载进反应器腔室中并暴露于一种活化蚀刻剂，以及在此蚀刻制程期间调整反应器腔室内的温度条件以增加晶圆的上表面上的聚合物沉积。
制造集成电路方法系统