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[发明专利]光子器件及其制造方法-CN202310132417.2在审
发明人： 黄渊圣;刘维纲 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-02-17 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： G02B6/136 文献下载
摘要：光子器件和用于形成光子器件的相关方法。在一些实施例中，制造光子器件的方法包括在衬底上方形成层堆叠件。在一些情况下，层堆叠件包括下部包覆层、设置在下部包覆层上方的芯层和设置在芯层上方的上部包覆层。在一些示例中，该方法还包括图案化层堆叠件以形成用于光子器件的波导。在一些情况下，波导包括芯层，并且芯层包括具有凸轮廓的侧表面。
光子器件及其制造方法

[发明专利]使用等离子体刻蚀进行超窄沟道图案化-CN201910744444.9有效
发明人：陈昭瑄;黄渊圣 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-08-13 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本公开涉及使用等离子体刻蚀进行超窄沟道图案化。一种方法包括在图案化光致抗蚀剂上形成聚合物层。聚合物层延伸到图案化光致抗蚀剂的开口中。蚀刻聚合物层以暴露图案化光致抗蚀剂。蚀刻聚合物层和顶部底部抗反射涂层(BARC)以图案化顶部BARC，其中图案化光致抗蚀剂用作蚀刻掩模。顶部BARC用作蚀刻掩模来蚀刻底层。
使用等离子体刻蚀进行沟道图案

[发明专利]半导体结构-CN202210792616.1在审
发明人： 黄渊圣;陈嘉仁 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-05 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：一种半导体结构，包括使用两个单独的氧化层以提高装置的可靠度。相邻鳍片形成第一氧化层，相邻第一氧化层形成虚设栅极，去除虚设栅极，之后相邻第一氧化层形成第二氧化层。在去除虚设栅极时，使用第二氧化层可以通过覆盖可能对第一氧化层造成的任何损坏以提高装置可靠度。
半导体结构

[发明专利]半导体结构、光子器件及其制造方法-CN202111185093.6在审
发明人： 黄渊圣 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-10-12 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： G02F1/225 文献下载
摘要：本公开的各种实施例涉及一种包括波导的半导体结构。波导具有输入区域和输出区域。输入区域配置成接收光。波导包括含有第一掺杂类型的下部掺杂结构和设置于下部掺杂结构内的多个掺杂柱结构。掺杂柱结构包括与第一掺杂类型相对的第二掺杂类型。掺杂柱结构从下部掺杂结构的顶部表面延伸到下部掺杂结构的顶部表面下方的点。
半导体结构光子器件及其制造方法

[发明专利]一种城市道路雨水废水依据实时流量的收集装置-CN202210223991.4在审
发明人：李志学;黄中祥;周炎明;尹华升;冯茂云;黄渊圣;张豪;董景涛 -专利权人：湖南城市学院设计研究院有限公司
申请日： 2022-03-09 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： E03B3/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种城市道路雨水废水依据实时流量的收集装置，包括机体，机体下端设有控制机箱，机体两侧靠近下端的位置设有导水管，机体上端设有顶板，顶板上端一侧固定连接有垃圾暂存板，垃圾暂存板远离顶板的一侧设有太阳能板，顶板靠近垃圾暂存板的一侧内部活动连接有盖板，顶板远离盖板的一侧上端固定连接有固定栓，固定栓内部设有外筒，外筒上端设有喷头，喷头上端设有固定帽，盖板内部靠近固定栓的一侧设有合页，该一种城市道路雨水废水依据实时流量的收集装置通过设置垃圾处理装置以及抽取灌溉装置以及流量检测器，使其达到使用时可以依据雨水废水的流量调节雨水收集以及分离废水中的垃圾以及将雨水利用自动灌溉的目的。
一种城市道路雨水废水依据实时流量收集装置

[发明专利]集成芯片及用于形成沟槽电容器的方法-CN202110362539.1在审
发明人： 黄渊圣;陈怡臻 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-04-02 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L27/08 文献下载
摘要：本公开的各个实施例针对具有用于良品率改进的沟槽图案的沟槽电容器。沟槽电容器位于衬底上并且包括多个电容器段。电容器段根据沟槽图案延伸到衬底中并且在轴线上以间距隔开。多个电容器段包括位于沟槽电容器的边缘处的边缘电容器段和位于沟槽电容器的中心处的中心电容器段。边缘电容器段的宽度大于中心电容器段的宽度和/或边缘电容器段处的间距大于中心电容器段处的间距。更大的宽度可以促进应力吸收，并且更大的间距可以增加沟槽电容器的热膨胀应力最大的边缘处的衬底刚度，从而减少衬底弯曲和沟槽耗竭以改进良品率。本申请的实施例提供了集成芯片及用于形成沟槽电容器的方法。
集成芯片用于形成沟槽电容器方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201610663488.5有效
发明人：李勃学;叶志扬;黄渊圣;叶冠麟;萧君展 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-08-12 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本公开提供半导体装置及其制造方法。在半导体装置的制造方法中，在基底上形成虚设栅极结构，在虚设栅极结构上形成第一绝缘层，移除虚设栅极结构以在第一绝缘层内形成栅极空间，在栅极空间内形成第一导电层以形成缩小的栅极空间，将与第一导电层不同材料制成的第二导电层填入缩小的栅极空间，将填入的第一导电层和第二导电层凹陷以形成第一栅极凹陷，在第一栅极凹陷内的第一导电层和第二导电层上形成第三导电层，在将填入的第一导电层和第二导电层凹陷之后，第二导电层自第一导电层突出。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN201910298155.0在审
发明人：戴铭家;曾主元;江欣哲;黄渊圣;梁春昇 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-04-15 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置的形成方法。本发明提供的方法施加保护层于栅极堆叠的一部分上，接着移除保护层。沉积保护层之后，将等离子体前驱物分离成多个组成。接着采用中性自由基移除保护层。在一些实施例中，移除步骤亦形成保护性的副产物，其有助于保护下方的层状物免于在蚀刻工艺中损伤。
保护层移除等离子体半导体装置中性自由基蚀刻工艺栅极堆叠层状物副产物前驱物沉积损伤施加

[发明专利]工艺室、制备工艺室的方法和操作工艺室的方法-CN201410406169.7有效
发明人：林毓超;张铭庆;黄渊圣;陈瑞铭;陈昭成 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-08-18 - 公布日： 2018-06-08 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了工艺室以及制备和操作工艺室的方法。在一些实施例中，制备用于处理衬底的工艺室的方法包括：在工艺室的腔内设置的元件上方形成第一阻挡层，元件包括排气材料；以及在工艺室内，在第一阻挡层上方形成第二阻挡层。本发明还涉及工艺室、制备工艺室的方法和操作工艺室的方法。
工艺室操作工艺阻挡层制备工艺制备排气材料衬底腔内室内

[发明专利]栅极间隔件及其形成方法-CN201610560440.1在审
发明人： 黄渊圣;陈昭成;李俊鸿;陈华丰;李勃学 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-07-15 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种示例性器件包括在半导体衬底上方延伸的栅极堆叠件，设置在栅极堆叠件的顶面上的硬掩模，位于栅极堆叠件的侧面上的低k介电间隔件。低k介电间隔件的顶部低于硬掩模的上表面。该器件还包括电连接至邻近栅极堆叠件的源极/漏极区的接触件。接触件在低k介电间隔件上方横向地延伸，并且介电材料设置在接触件和低k介电间隔件之间。介电材料比低k介电间隔件对蚀刻具有更高的选择性。本发明还提供了另一种器件和一种方法。
栅极间隔及其形成方法

[实用新型]厚鳍片以及厚鳍片与热管的紧配结构-CN201520749053.3有效
发明人：罗德成;黄渊圣;刘明田;汪银银;胡条 -专利权人：东莞泰硕电子有限公司
申请日： 2015-09-24 - 公布日： 2016-02-17 - 主分类号： F28F1/32 文献下载
摘要：本实用新型涉及连接器技术领域，尤其涉及连接器的厚鳍片以及厚鳍片与热管的紧配结构，厚鳍片，包括厚鳍片本体，厚鳍片本体上开设有若干紧配孔，紧配孔向外延伸有翻边，翻边的厚度介于0.3-0.6mm之间，紧配孔的外角的R值大于或者等于厚鳍片本体的厚度，还提供厚鳍片与热管的紧配结构，包括厚鳍片，还包括热管，所述热管与所述厚鳍片过盈配合。与现有技术相比，本实用新型的厚鳍片的翻边厚度介于0.3-0.6mm之间，紧配孔的外角的R值大于或等于厚鳍片的厚度，减少翻边的强度，在紧配时，热管有足够强度将翻边胀开，顺利穿入厚鳍片，热管的直径保持不变；装配完成后，热管的管径不变，保证厚鳍片与热管有一定保持力，不会松脱，同时也保证了热传导效能。
厚鳍片以及热管结构

[实用新型]一种厚鳍片以及厚鳍片与热管的紧配结构-CN201520752517.6有效
发明人：罗德成;黄渊圣;刘明田;王玲玲 -专利权人：东莞泰硕电子有限公司
申请日： 2015-09-24 - 公布日： 2016-02-17 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：本实用新型涉及连接器技术领域，尤其涉及连接器的一种厚鳍片以及厚鳍片与热管的紧配结构，厚鳍片，包括厚鳍片本体，厚鳍片本体上开设有若干紧配孔，紧配孔向外延伸有翻边，翻边的厚度介于0.3-0.6mm之间，紧配孔的外角设有避空位,厚鳍片本体在避空位的避空保留壁厚介于0.4-0.6mm之间。与现有技术相比，翻边厚度介于0.3-0.6mm之间，紧配孔的外角设有避空位,厚鳍片本体在避空位的避空保留壁厚介于0.4-0.6mm之间，减少翻边的强度，在紧配时，热管有足够强度将翻边胀开，顺利穿入厚鳍片，热管的直径保持不变；还提供厚鳍片与热管的紧配结构，包括厚鳍片，还包括热管，热管与厚鳍片过盈配合，装配完成后，保证厚鳍片与热管有一定保持力，不会松脱，同时也保证了热传导效能。
一种厚鳍片以及热管结构

[实用新型]一种短距离组合散热器-CN201520346925.1有效
发明人：罗德成;刘明田;黄渊圣 -专利权人：东莞泰硕电子有限公司
申请日： 2015-05-26 - 公布日： 2015-10-07 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种短距离组合散热器，包括至少两个散热器，相邻所述散热器之间通过热管连接，所述热管在相邻所述散热器的相接部位设有一弧形的折弯，与现有技术相比，本实用新型的短距离组合散热器，在连接的热管上增加一个弧形的折弯，让热管不但拥有柔性变形，还拥有一定的延展性，能更好的保证两热源平面贴平，达到最佳的散热效能。
一种短距离组合散热器

[发明专利]云端管理方法-CN201410698184.3在审
发明人： 黄渊圣 -专利权人：英业达科技有限公司;英业达股份有限公司
申请日： 2014-11-27 - 公布日： 2015-03-04 - 主分类号： H04L29/08 文献下载
摘要：本发明提供一种云端管理方法，运用于使用者行动装置上，包括定义一个行动装置对应的工作账号与工作权限。当行动装置取得一个关联于实际地理位置的位置信号时，所述云端管理办法将依据取得的位置信号、工作账号与工作权限，提供使用者至少一种对应于实际地理位置的工作接口。所述云端管理方法，藉由云端服务及定义使用者工作权限，达到减少人力资源的目的，并提升使用者使用的方便性。
云端管理方法

[发明专利]具有金属栅极的半导体集成电路-CN201210495541.7有效
发明人： 黄渊圣;张铭庆;陈昭成 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-11-28 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种制造半导体集成电路(IC)的方法。该方法包括：提供半导体衬底并在其中形成栅极沟槽。该方法还包括：用功函数(WF)金属堆叠件部分地填充该栅极沟槽，并用伪填充材料(DFM)在该WF金属堆叠件上方填充剩余的栅极沟槽。子栅极沟槽通过在该栅极沟槽中回蚀该WF金属堆叠件形成，并用绝缘保护层填充，从而在该栅极沟槽中形成绝缘区。DFM被完全去除，从而在该栅极沟槽中形成MG中心沟槽(MGCT)，其用填充金属填充。本发明提供具有金属栅极的半导体集成电路。
具有金属栅极半导体集成电路

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