[发明专利]半导体结构及其制作方法、存储器

权利要求书

1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，所述半导体结构的制作方法包括：

提供衬底；

在所述衬底中形成沿第一方向延伸的若干相互平行的第一沟槽以及填充所述第一沟槽的第一隔离结构；所述第一方向平行于所述衬底表面；

在所述衬底和所述第一隔离结构中形成沿第二方向延伸的若干相互平行的第二沟槽，所述第一沟槽与所述第二沟槽将所述衬底切割形成多个有源柱；所述第二方向平行于所述衬底表面且与所述第一方向垂直；所述第二沟槽的深度小于所述第一沟槽的深度；

在所述第二沟槽的底部形成在所述第二方向上与所述第一隔离结构交替排列的第二隔离结构；所述第二隔离结构的顶面低于所述第二沟槽中位于所述第一隔离结构处的底面；

在所述第二隔离结构上方形成沿所述第一方向延伸的若干相互平行的位线结构；所述位线结构在所述第一方向上贯穿多个所述有源柱；

在所述位线结构上方形成沿所述第二方向延伸的若干相互平行的字线结构。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述衬底和所述第一隔离结构中形成沿第二方向延伸的若干相互平行的第二沟槽，包括：

在所述衬底和所述第一隔离结构中形成沿第二方向延伸，且在所述第二方向上具有交替排列的第一部分和第二部分的第二沟槽；所述第一部分的深度大于所述第二部分的深度；所述第一部分的深度小于所述第一隔离结构的深度；

其中，所述第一部分为所述第二沟槽中位于所述衬底处的部分；所述第二部分为所述第二沟槽中位于所述第一隔离结构中的部分。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述第二沟槽的底部形成在所述第二方向上与所述第一隔离结构交替排列的第二隔离结构，包括：

在所述第一部分中形成第二隔离结构；所述第二隔离结构的顶面低于所述第二部分的底面；

其中，所述第二隔离结构与所述第一隔离结构在所述第二方向上交替排列。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述在所述第一部分中形成第二隔离结构，包括：

在所述第一部分中形成初始第二隔离结构；所述初始第二隔离结构的顶面与所述第二部分的底面平齐；

去除部分所述初始第二隔离结构，形成所述第二隔离结构。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，还包括：

在形成所述初始第二隔离结构之后，在所述第二沟槽的侧壁上形成保护层；在去除部分所述初始第二隔离结构形成所述第二隔离结构的同时，在所述第一部分中暴露出未被所述保护层覆盖的所述有源柱的部分表面。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述在所述第二隔离结构上方形成沿所述第一方向延伸的若干相互平行的位线结构，包括：

对未被所述保护层覆盖的所述有源柱的部分表面进行侧蚀，以在所述第二隔离结构上方形成凹槽，在所述第一方向上所述凹槽的宽度尺寸大于所述第一部分的宽度尺寸；

在所述凹槽处形成在所述第一方向上贯穿多个所述有源柱的位线结构。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述在所述凹槽处形成在所述第一方向上贯穿多个所述有源柱的位线结构，包括：

对所述凹槽侧壁进行金属硅化处理，使相邻所述凹槽之间且与所述凹槽处于同一水平位置的所述有源柱转变为金属硅化物；

在所述凹槽内填充导电材料，所述导电材料与所述金属硅化物共同形成在所述第一方向上导通的所述位线结构，所述位线结构的顶面与所述第二部分的底面平齐。