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[外观设计]山地电助力自行车（JBS1004）-CN202230072432.9有效
发明人：徐勇强;徐纯华;何振江;孙飞 -专利权人：浙江金棒运动器材有限公司
申请日： 2022-02-15 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： 12-11 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：山地电助力自行车（JBS1004）。2.本外观设计产品的用途：用于骑行。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
山地助力自行车 jbs1004

[发明专利]一种提高抗单粒子性能的埋P+SiCJBS结构-CN202211736852.8在审
发明人：程鹏刚;唐磊;王晨霞;王忠芳;刘建军;胡长青;杨晓文;侯斌;李照;王健 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高抗单粒子性能的埋P+SiC JBS结构，包括阴极金属、阳极金属、SiC N+衬底、N型缓冲层、N‑外延层、P+埋层和JBS接触P+，所述SiC N+衬底的上方设置N型缓冲层和N‑外延层，所述N‑外延层的上方连接JBS接触P+，其中，所述JBS接触P+设置在阴极金属和N‑外延层之间，所述N‑外延层和SiC N+衬底之间设置N型缓冲层，所述SiC N+衬底的下方设置阴极金属，所述JBS接触P+的上方连接设置阳极金属，所述N‑外延层和JBS接触P+之间设置P+埋层。通过改进SiC JBS结构，保证原有SiC JBS结构正向压降低、反向漏电小的优点，同时，能够保证在单粒子辐照时，减少空穴向阳极金属的收集和电子向阴极金属的收集，并且防止漏电过大和烧毁。
一种提高粒子性能 sicjbs 结构

[发明专利]SiC JBS器件的高温高湿反偏应力损伤表征方法-CN202010733221.5在审
发明人：游海龙;李文臻;曲程 -专利权人：西安电子科技大学;西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2020-07-27 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种SiC JBS器件的高温高湿反偏应力损伤表征方法，包括：测量第一SiC JBS二极管的初始电学特性参数、初始噪声特性参数；对第一SiC JBS二极管在预设温度、预设湿度、预设反向偏压条件下暴露预设时间得到第二SiC JBS二极管；测量第二SiC JBS二极管的电学特性参数、噪声特性参数；得到电学特性参数漂移程度；得到噪声特性参数漂移程度。本发明可以更加敏感且全面地反映经过高温高湿反偏应力环境下应力后SiC JBS二极管的损伤程度。
sic jbs 器件高温高湿反偏应力损伤表征方法

[发明专利]基于噪声测试表征SiC JBS的抗浪涌能力的方法-CN202010734350.6在审
发明人：李本正;游海龙;李文臻;曲程 -专利权人：西安电子科技大学;西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2020-07-27 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于噪声测试表征SiC JBS的抗浪涌能力的方法，其特征在于，包括：获取第一SiC JBS二极管的初始电流与电压关系曲线、初始噪声特性参数；对第一SiC JBS二极管的电流施加预设次数的半正弦浪涌脉冲得到第二SiC JBS二极管；获取第二SiC JBS二极管的电流与电压关系曲线、噪声特性参数；得到电流与电压关系曲线的漂移程度和噪声特性参数漂移程度。本发明能够更敏感、更准确、更快速地表征SiC JBS二极管的浪涌损伤。
基于噪声测试表征 sic jbs 浪涌能力方法

[发明专利]新型功率半导体集成器件-CN201110261260.0有效
发明人：盛况 -专利权人：盛况
申请日： 2011-09-06 - 公布日： 2011-12-07 - 主分类号： H01L27/07 文献下载
摘要：它将两个分立的半导体器件JFET与JBS集成于一块芯片上，形成一块新型半导体器件，在功能上等同于JFET与JBS并联连接，大大减小模块封装体积及成本。而且利用JFET和JBS工艺的高度兼容性，同时实现这两种器件，在一个单芯片和同一套工艺中实现两种器件。P+的注入工艺同时提供了JFET的栅极结构和JBS的P型电场阻断结构部分；JBS的阳极、JFET的源极和栅极金属电极都可以由一次淀积工艺完成。
新型功率半导体集成器件

[实用新型]新型功率半导体集成器件-CN201120104613.1无效
发明人：盛况 -专利权人：盛况
申请日： 2011-04-12 - 公布日： 2011-10-05 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：它将两个分立的半导体器件JFET与JBS集成于一块芯片上，形成一块新型半导体器件，在功能上等同于JFET与JBS并联连接，大大减小模块封装体积及成本。而且利用JFET和JBS工艺的高度兼容性，同时实现这两种器件，在一个单芯片和同一套工艺中实现两种器件。P+的注入工艺同时提供了JFET的栅极结构和JBS的P型电场阻断结构部分；JBS的阳极、JFET的源极和栅极金属电极都可以由一次淀积工艺完成。
新型功率半导体集成器件

[发明专利]底部阳极肖特基二极管的结构与形成方法-CN200810214822.4有效
发明人：安荷·叭剌;雷燮光;苏毅 -专利权人：万国半导体股份有限公司
申请日： 2008-08-26 - 公布日： 2010-03-03 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：底部阳极肖特基器件还包含有若干个掺杂JBS区域，该掺杂JBS区域设置在若干侧壁上及位于前述沟槽的底面下方，并与阳极具有相反的导电类型，且这些掺杂JBS区域与设置在掺杂JBS区域之间的磊晶层构成一结势垒肖特基而底部阳极肖特基器件更包含一超浅N型香农植入层，直接设置在前述掺杂JBS区域之间的磊晶层中以及肖特基接触金属下方。
底部阳极肖特基二极管结构形成方法

[发明专利]具有电流浪涌能力的结势垒肖特基二极管-CN200980126014.5有效
发明人：张清纯;柳盛衡 -专利权人：克里公司
申请日： 2009-05-19 - 公布日： 2011-06-01 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：一种电子器件包括具有第一导电类型的碳化硅漂移区，位于所述漂移区上的肖特基接触，以及相邻所述肖特基接触的所述漂移区的表面处的多个结势垒肖特基(JBS)区域。JBS区域具有与第一导电类型相反的第二导电类型以及具有所述JBS区域中的相邻JBS区域之间的第一间隙。所述器件进一步包括具有第二导电类型的多个浪涌保护子区域。
具有电流浪涌能力结势垒肖特基二极管

[发明专利]一种SiC JBS器件的布局方法-CN201811453239.9在审
发明人：杨霏;张文婷;田丽欣;夏经华;吴沛飞 -专利权人：全球能源互联网研究院有限公司
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提供了一种SiC JBS器件的布局方法，包括：在碳化硅衬底的晶面上生长外延层，并在所述外延层上划分矩形结构的有源区；在所述有源区周边布置终端保护区，在所述有源区内布置多个P型区，且所述多个P型区呈多行多列交错排列，将离子注入每个P型区，在各P型区之间布置肖特基接触区；在碳化硅衬底背面淀积欧姆接触金属层生成SiC JBS器件。本发明在SiC JBS器件中布局了多个P型区呈多行多列交错排列，保证了SiC JBS器件的反向击穿特性的同时增加了肖特基势垒区域面积，提高了导通能力。
一种 sic jbs 器件布局方法

[发明专利]一种具有沟槽结构的碳化硅结势垒肖特基二极管-CN201910864537.5有效
发明人：张有润;罗茂久;王帅;陆超;孟繁新;贺晓金;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-09-09 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明的器件在传统JBS器件结构基础上引入肖特基接触区下沟槽结构，减小了JBS区内主结边缘峰值电场大小，平缓了器件击穿时主结边缘电场分布，提高了器件的反向耐压大小，也提高了器件的正向导通电流大小，同时该结构在大电流且器件的肖特基接触区很宽时，可以达到比传统SiC JBS器件更大的击穿电压值，而反向漏电流变化并不明显，解决了JBS器件在大电流下且肖特基接触区很宽时反向击穿电压特性差等问题。
一种具有沟槽结构碳化硅结势垒肖特基二极管

[发明专利]基于神经网络的GaN JBS二极管器件性能预测方法-CN202210258348.5在审
发明人：段小玲;马浩;王树龙;张进成;张金风;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-03-16 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： G06F30/27 文献下载
摘要：本发明涉及微电子器件技术与人工智能技术领域，具体涉及基于神经网络的GaN JBS二极管器件性能预测方法。本发明充分利用神经网络深度学习根据数据自动提取特征的特点，将其应用于GaN JBS二极管器件性能的预测，从而快速预测器件性能，并根据预测结果调整输入结构来优化器件特性；弥补了传统器件仿真和实验测试方法周期长、效率低、耗时耗力的不足，快速便捷地建立起由GaN JBS二极管器件结构与性能指标之间的关联，能够加速GaN JBS二极管性能预测的研究，降低预期性能指标下器件结构的设计难度。
基于神经网络 gan jbs 二极管器件性能预测方法

[发明专利]一种多沟槽型碳化硅JBS器件及其制备方法-CN202210454383.4有效
发明人：张益鸣;刘杰 -专利权人：深圳芯能半导体技术有限公司
申请日： 2022-04-24 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明属于功率器件技术领域，提供了一种多沟槽型碳化硅JBS器件及其制备方法，多沟槽型碳化硅JBS器件包括：碳化硅衬底、碳化硅外延层、肖特基沟槽、注入沟槽、PN结注入掺杂区以及金属层，其中，注入沟槽和肖特基沟槽设置于碳化硅外延层上，肖特基沟槽设于相邻的注入沟槽之间，且注入沟槽的深度大于肖特基沟槽的深度；PN结注入掺杂区设于注入沟槽内，金属层在肖特基沟槽内与碳化硅外延层之间形成肖特基接触，该多沟槽型碳化硅JBS器件在横向尺寸不变的情况下提升肖特基结面积，有效提升了电流密度，同时降低了器件的漏电流，解决现有的沟槽结构多沟槽型碳化硅JBS器件存在的稳定性较差的问题。
一种沟槽碳化硅 jbs 器件及其制备方法

[发明专利]一种二次外延结构的GaN基JBS二极管及其制备方法-CN202310151871.2在审
发明人：张苇杭;文钰;张进成;冯欣;刘志宏;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学广州研究院
申请日： 2023-02-22 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提供了一种二次外延结构的GaN基JBS二极管及其制备方法，主要解决GaN基JBS二极管中难以制备高质量p型GaN导致的低耐压、高导通电阻等问题。通过二次外延p‑InGaN/i‑InGaN/i‑GaN材料，极化产生高浓度的二维空穴气，获得高质量的p型三族氮化物材料，实现高性能的GaN基JBS二极管。本发明可显著提升GaN基JBS二极管的反向击穿电压，同时降低器件的正向导通电阻，可广泛应用于功率开关和整流。
一种二次外延结构 gan jbs 二极管及其制备方法

[实用新型]一种高速雷达装置-CN202123456763.1有效
发明人：马凌超;张佳一;王建军 -专利权人：杭州瑞盟科技股份有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： G01S17/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种高速雷达装置，包括：FPGA1和与所述FPGA1连接的MS1004芯片组2；所述MS1004芯片组2中的每个MS1004芯片通过SPI接口与所述FPGA1连接，所述MS1004芯片的EN_START管脚与所述FPGA1连接；所述FPGA1的脉冲输出端与所述MS1004芯片的START管脚、STOP1管脚和STOP2管脚连接；所述MS1004芯片的RSTN管脚与所述FPGA1连接，用于接收FPGA1发送的接收复位信号；所述MS1004芯片的INTN管脚与所述FPGA1连接，以便FPGA1根据INTN管脚的信号进行读操作；所述MS1004芯片的SSN管脚、SCK管脚、MISO管脚和MOSI管脚作为四线中断与所述本申请利用MS1004配合FPGA1搭建雷达装置，利用MS1004精度高、速度快和测量范围大等特点，构建了具备精度高、速度快和测量范围大等特点的雷达装置。
一种高速雷达装置

[发明专利]一种高势垒SiC JBS器件及其制备方法-CN201910693031.2在审
发明人：罗烨辉;周正东;李诚瞻 -专利权人：株洲中车时代半导体有限公司
申请日： 2019-07-30 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明公开了一种高势垒SiC JBS器件及其制备方法，该器件包括由上至下设置的第一电极层、SiC衬底、N‑SiC外延层、第二电极层、介质层和PI层。本发明的SiC器件通过在外延层形成JBS结构和表层低浓度结构，提升了器件势垒高度，同时减小器件漏电特性。
一种高势垒 sic jbs 器件及其制备方法

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