专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种子宫肌瘤吸入式旋切粉碎器-CN202223129131.9有效
  • 耿岩;周圆圆;吴滢;杨春月;杨晓文 - 中国人民解放军联勤保障部队第九二〇医院
  • 2022-11-24 - 2023-10-20 - A61B17/42
  • 本实用新型涉及医疗器械技术领域,且公开了一种子宫肌瘤吸入式旋切粉碎器,包括固定把手,所述固定把手一端固定设置有粉碎管,所述粉碎管远离固定把手一侧固定设置有旋切管,所述旋切管与粉碎管同轴设置,所述旋切管远离粉碎管一端固定设置有腹腔镜镜头,所述固定把手上设置有用于便于使用人员拆卸的拆卸机构,所述粉碎管内部设置有用于对子宫肌瘤进行粉碎的粉碎机构。通过设置拆卸机构,在对一些较小或者较贴合患者非病理区的子宫肌瘤进行切割时,使用人员可通过拆卸机构,将固定把手脱离固定状态,通过手持对其进行切除粉碎,从而达到便于医护人员使用的效果。
  • 一种子宫肌瘤吸入式旋切粉碎
  • [实用新型]一种自粘胶膜防水卷材-CN202320874483.2有效
  • 张德波;张德聪;杨晓文;庄友家 - 福建省隆明建材科技有限公司
  • 2023-04-18 - 2023-10-13 - C09J7/29
  • 本实用新型涉及防水卷材技术领域,具体公开了一种自粘胶膜防水卷材,包括卷材本体,所述卷材本体缠绕在卷轴上,在卷轴的两端设置有限位片;所述卷材本体包括高分子防水材料层、加强层、隔热层、保温层、阻燃层、上隔离层、下隔离层,所述加强层、保温层、上隔离层由内向外依次设置在高分子防水材料层的一侧,隔热层、阻燃层、下隔离层由内向外依次设置在高分子防水材料层的另一侧;所述高分子防水材料层、加强层、隔热层、保温层、阻燃层、上隔离层、下隔离层相互之间通过压敏胶粘结复合成整体;本实用新型所提供的卷材结构,整体结构强度高,除了具有良好的防水性能之外,还具有耐热保温阻燃的特性;整体结构简单,设计合理,成本造价低廉。
  • 一种粘胶防水卷材
  • [实用新型]一种自粘胶膜卷材防水处治结构-CN202320889382.2有效
  • 张德波;张德聪;杨晓文;庄友家 - 福建省隆明建材科技有限公司
  • 2023-04-20 - 2023-10-13 - E02D31/02
  • 本实用新型属于建筑防水领域,具体公开了一种自粘胶膜卷材防水处治结构,包括卷材本体和紧固件;所述卷材本体表面设置有裁剪区和拼接区;所述裁剪区位于卷材本体表面中部,拼接区位于裁剪区周围,裁剪区表面设置有若干紧固件,所述紧固件包括弧形板、安装板和延伸板;所述裁剪区表面竖直设置有弧形板,所述弧形板底端水平设置有安装板,所述弧形板两端分别固定连接有第一延伸板和第二延伸板,所述第一延伸板表面安装固定有固定杆,两第一延伸板之间套设有弹簧,所述弹簧两端套设于固定杆表面。
  • 一种粘胶卷材防水处治结构
  • [发明专利]一种基于ResNeXt的智能机器人抓取方法-CN202111056444.3有效
  • 韩慧妍;王文俊;张元;杨晓文;薛红新 - 中北大学
  • 2021-09-09 - 2023-09-29 - G06T7/73
  • 本发明属于机器人视觉技术领域,具体涉及一种基于ResNeXt的智能机器人抓取方法。为克服现有抓取技术不能在检测速度和精度取得平衡的缺点,本发明生成真值图时,将标注按角度分类,高斯化的抓取质量图,构建的深度学习网络模型包括两次下采样、堆叠多次ResNeXt组成的的瓶颈层、两次上采样和并行的卷积构成的输出,得到输出后与对应真值图一起送入目标函数计算损失,反向传播调整参数,直至目标函数收敛,将拍摄到的深度图像输入到训练好的深度网络模型得到像素级预测输出,将像素级预测输出转换至机器人坐标抓取,利用机器人操作系统执行抓取。
  • 一种基于resnext智能机器人抓取方法
  • [实用新型]一种小直径无缝毛细不锈钢管-CN202223494077.8有效
  • 吴化清;王伯海;王兵兵;杨晓文 - 江苏钟兴镍合金材料有限公司
  • 2022-12-27 - 2023-09-05 - H02G3/04
  • 本实用新型公开了一种小直径无缝毛细不锈钢管,包括不锈钢毛细管和连接筒,不锈钢毛细管一端插设在连接筒内,连接筒内部固定连接有抵块,抵块靠近不锈钢毛细管的一侧固定连接有密封垫,密封垫与不锈钢毛细管端部接触,抵块和密封垫均为环状;不锈钢毛细管外侧设有环槽,连接筒外侧固定连接有侧块,侧块与不锈钢毛细管之间设有夹持机构,夹持机构上端一侧设有限位杆,限位杆与侧块之间设有复位机构,本实用新型通过夹块对不锈钢毛细管进行夹持定位,保证不锈钢毛细管与连接筒之间的连接稳定性,同时,也方便后期的安装和拆卸,不会出现类似卡死现象,更加方便。
  • 一种直径无缝不锈钢管
  • [发明专利]一种按压式尾气制热扶手装置-CN201810136552.3有效
  • 王斅;于凤梅;杨晓文;彩丽美格;王月超;唐学雷;余宗宝 - 辽宁石油化工大学
  • 2018-02-09 - 2023-09-01 - B60N3/02
  • 一种按压式尾气制热扶手装置,它是由管道1号,尾气气泵,管道2号,尾气处理装置,管道3号,集气罐,管道4号,温度控制器,温控开关1号,温控开关2号,管道5号,管道6号,管道7号,单向气体通过瓣膜,管道8号,扶手,压力开关,管道9号,太阳能电池板,控制箱,蓄电池,汽车尾气加热器,自动调温器组成。本装置实现了尾气的再次利用,通过按压扶手上的压力开关,可以使达到36℃的净化尾气进入相应管道对扶手制热,同时能够提高车内温度,对于寒冷季节车辆扶手能够制热提供了技术参考和理论依据,装置节能环保,具有较好的应用价值。
  • 一种按压尾气制热扶手装置
  • [实用新型]一种耐腐蚀高强度奥氏体不锈钢无缝管-CN202320221019.3有效
  • 顾士清;杨晓文;吴化清;王伯海 - 江苏钟兴镍合金材料有限公司
  • 2023-02-15 - 2023-08-25 - F16L9/14
  • 本实用新型公开了一种耐腐蚀高强度奥氏体不锈钢无缝管,包括管体,所述管体的两端均固定套接有一个固定环,两个所述固定环上均贯穿开设有若干个固定孔,每两个相对应的所述固定孔之间共同滑动连接有一根固定杆,且若干根所述固定杆的两端均贯穿延伸至两个固定环外且均固定连接有一根螺纹杆,在使用时,可以通过安装座固定环上的若干根固定杆对管体进行防护,从而在外部设备磕碰时对其进行格挡,并通过固定杆对内部的橡胶筒进行多方位夹持,此时通过橡胶筒对内部管体进行防护,且在橡胶筒磕碰受损时也不会随意脱落且保持大部分的防护功能,从而可以避免管体受到外部的腐蚀以及磕碰,从而避免管体表层的防腐蚀涂层破损造成管体使用寿命的下降。
  • 一种腐蚀强度奥氏体不锈钢无缝
  • [发明专利]一种沟槽肖特基二极管及其制作方法-CN202110187110.3有效
  • 侯斌;李照;杨晓文;王健;鲁红玲 - 西安微电子技术研究所
  • 2021-02-07 - 2023-08-15 - H01L21/329
  • 本发明提供一种沟槽肖特基二极管及其制作方法,先对硅外延层氧化,在氧化层上涂覆光刻胶,并按照设计版图光刻,再去除刻蚀区域的氧化层,对硅衬底采用C4F8和SF6交替刻蚀的方式刻蚀,得到硅槽;之后去掉剩余的光刻胶和氧化层,对硅槽和硅衬底氧化,生长厚度栅氧化层,对栅氧化层的上端进行退火,栅氧化层的一部分厚度形成氮氧化硅层;在沟槽多晶硅淀积,之后进行光刻和刻蚀,在光刻后的多晶硅表面和氮氧化硅层表面淀积场氧化层,最后采用沟槽肖特基二极管的制作工艺对场氧化层进行后续的处理,可以形成厚度较薄的场氧化层,也减少由于场氧化层腐蚀速率快造成沟槽侧壁的栅氧化层的过腐蚀问题。
  • 一种沟槽肖特基二极管及其制作方法
  • [发明专利]一种SiC JBS元胞结构及制备方法-CN202111277167.9有效
  • 侯斌;杨晓文;杨鹏翮;鲁红玲;李照;黄山圃;胡长青 - 西安微电子技术研究所
  • 2021-10-29 - 2023-07-28 - H01L29/06
  • 一种SiC JBS元胞结构,包括第一元胞和第二元胞;第二元胞的周边排列有若干个第一元胞;第一元胞的填充区域的横截面由内向外依次为第三图形,第二图形,第一图形;区域类型依次对应为SBD区、P+区、SBD区或依次为P+区、SBD区、P+区;第二元胞的填充区域的横截面为第四图形,区域类型为P型掺杂区;第一图形为正六边形,第二图形为正六边形,第三图形为圆形或正六边形,第四图形为正六边形。本发明的通过控制元胞结构的图形的几何尺寸以及各元胞间的相对距离以控制SiC‑JBS痛电流的大小,通过合理分布P+区,达到提高浪涌电流的目的。
  • 一种sicjbs结构制备方法
  • [发明专利]一种抗辐照结型场效应晶体管的制作方法-CN202110663133.7有效
  • 杨晓文;王健;王忠芳;侯斌;李照;胡长青;王英民 - 西安微电子技术研究所
  • 2021-06-15 - 2023-06-30 - H01L21/28
  • 本发明公开了一种抗辐照结型场效应晶体管的制作方法,包括以下过程,在P型硅衬底形成P型外延层,在P型外延层形成第一介质层;在第一介质层上进行光刻形成保护环区;对保护环区进行P型注入,形成P型掺杂区;在P型外延层的第一介质层上进行光刻形成漂移区,在漂移区上进行N型注入,形成N型掺杂区;在漂移区上通过光刻形成源漏区,再进行N型注入,形成N型掺杂区;在漂移区上进行光刻形成栅区;所述栅区贯穿漂移区,并延伸至P型外延层,在栅区中进行多次P型注入并退火,形成P型掺杂区;在漂移区内形成源极电极和漏极电极;在表面形成钝化层;在P型硅衬底的背面形成栅极电极后,完成抗辐照结型场效应晶体管。
  • 一种辐照场效应晶体管制作方法
  • [发明专利]一种低漏电SiC肖特基二极管及其制作方法-CN202110663146.4有效
  • 侯斌;李照;王晨霞;王忠芳;杨晓文;胡长青 - 西安微电子技术研究所
  • 2021-06-15 - 2023-06-30 - H01L21/329
  • 本发明提供一种低漏电SiC肖特基二极管及其制作方法,目的是减少SiC肖特基二极管反向漏电流,降低反向阻断损耗,提高电路效率,包括以下步骤:位于碳化硅晶圆正面N+衬底上的碳化硅外延层进行光刻胶涂覆,并光刻出对版标记;在碳化硅外延层的表面淀积氧化层,通过光刻形成保护环和划片道,在保护环和划片道内进行P型离子注入,再高温退火;在保护环和划片道内淀积场氧化层,并对划片道氧化层进行腐蚀保留;在碳化硅晶圆背面退火完成欧姆接触电极;在碳化硅晶圆正面退火完成肖特基接触电极;在碳化硅晶圆正面淀积或涂覆钝化层,覆盖肖特基接触电极与场氧化层接触的边缘;在碳化硅晶圆背面进行电极金属蒸发,低漏电碳化硅肖特基二极管制作完成。
  • 一种漏电sic肖特基二极管及其制作方法

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