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[发明专利]一种用于沟槽栅IGBT结构的CMP工艺方法-CN201911296255.6有效
发明人：曾琪;罗海辉;罗湘;谭灿健;何逸涛;文高 -专利权人： 株洲中车时代半导体有限公司
申请日： 2019-12-16 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供一种用于沟槽栅IGBT结构的CMP工艺方法，包括如下步骤：S10：在硅衬底上生成终端区氧化层。S20：去除有源区的介质层，保留终端区氧化层，露出硅衬底。S30：在有源区进行沟槽光刻并刻蚀，形成沟槽。S40：在有源区生成氧化层，形成栅氧。S50：在器件表面淀积多晶硅并且将所有沟槽填充满。S60：采用CMP对器件表面的多晶硅和终端区氧化层进行研磨直至表面平坦。本发明提供的用于沟槽栅IGBT结构的CMP工艺方法，采用一道CMP工艺即可实现多晶硅和氧化层的研磨，工艺流程更为紧凑，同时也实现了晶圆表面良好的平坦化。
一种用于沟槽 igbt 结构 cmp 工艺方法

[发明专利]碳化硅MOSFET芯片-CN201911367261.6有效
发明人：王亚飞;陈喜明;刘锐鸣;赵艳黎;李诚瞻;罗海辉 -专利权人： 株洲中车时代半导体有限公司
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本公开提供一种碳化硅MOSFET芯片。该碳化硅MOSFET芯片包括设置于漂移层上的有源区、终端区和过渡区；所述有源区包括若干元胞结构，所述元胞结构包括与所述源区并排设置于所述第一阱区表面内且与所述源区远离所述元胞结构中心的一端接触的第二导电类型第一增强区以及位于所述元胞结构两侧的所述漂移层上方且与所述漂移层形成肖特基接触的第一肖特基金属层；所述过渡区包括所述第二增强区上方设置有与所述第二增强区形成欧姆接触的第二源极金属层，所述漂移层表面上设置有与所述漂移层的未被所述第二增强区覆盖的区域形成肖特基接触的第二肖特基金属层。通过同时在碳化硅MOSFET芯片的有源区和过渡区集成SBD，改善碳化硅芯片的双极退化效应，提高芯片的可靠性。
碳化硅 mosfet 芯片

[发明专利]一种IGBT器件-CN201811277607.9有效
发明人：唐龙谷;吴煜东;戴小平;罗海辉;刘国友;张泉;覃荣震;彭勇殿 -专利权人： 株洲中车时代半导体有限公司
申请日： 2018-10-30 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提出了一种IGBT器件，其包括：从下至上依次设置的集电极金属层、P+区、N′区以及N‑区，N‑区的顶部形成有台阶型的沟槽，沟槽的不同台阶上形成有沟槽栅和平面栅。使用本发明的优点在于，相比于单一结构的沟槽型IGBT器件，本器件结合了沟槽栅和平面栅两种栅极结构，因此具有平面栅IGBT和沟槽栅IGBT两种工作机制。平面栅IGBT部分和沟槽栅IGBT部分的栅极氧化过程可以同时完成，可以具有同样的栅极氧化层厚度。
一种 igbt 器件

[发明专利]一种压接式IGBT模块及功率半导体器件-CN201911381706.6有效
发明人：石廷昌;常桂钦;李寒;彭勇殿;吴义伯;董国忠;康强;张文浩;王玉麒 -专利权人： 株洲中车时代半导体有限公司
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L23/043 文献下载
摘要：本申请提供了一种压接式IGBT模块，包括多个能够相对于管壳上下移动的子模组，子模组包括：并排间隔设置在导电基板上的多个芯片；能够容置在管壳中或者延伸出管壳的下表面的承压件；设置在芯片的上方的旁路母排，且其上部抵接在承压件的上表面；设置在旁路母排和所述导电盖板之间的弹性件；当压装力不大于弹性件的弹力时，导电盖板延伸出所述管壳的上表面，导电基板和承压件均延伸出管壳的下表面，且导电基板的下表面和承压件的下表面齐平，当压装力大于弹性件的弹力时，导电基板的下表面和承压件的下表面与管壳的下表面齐平，导电盖板的上表面与管壳的上表面齐平。本申请的压接式IGBT模块能够保证芯片受力的均匀性。
一种压接式 igbt 模块功率半导体器件

[发明专利]功率二极管及其制造方法-CN202010357947.3有效
发明人：张中华;罗海辉;覃荣震;肖强;谭真华 -专利权人： 株洲中车时代半导体有限公司
申请日： 2020-04-29 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本公开提供一种功率二极管及其制造方法。该功率二极管包括第一导电类型衬底以及设置于所述衬底上的阳极区和终端保护区；所述阳极区包括设置于所述衬底表面内的第二导电类型第一掺杂区和设置于所述第一掺杂区表面内的第二导电类型第二掺杂区；其中，所述第二掺杂区的离子掺杂浓度和深度被选择成使得所述功率二极管在额定电流下能够保持相同的导通压降与关断损耗。通过所述第二掺杂区的引入，实现大电流下更大的阳极注入效率，降低导通损耗，降低浪涌电流下器件发热量，从而提升浪涌电流能力。且通过调控表面面积和形状，还可以实现浪涌电流能力与安全工作区的折中。
功率二极管及其制造方法

[发明专利]一种沟槽栅IGBT器件-CN201811276601.X有效
发明人：唐龙谷;罗海辉;戴小平;吴煜东;刘国友;张泉;覃荣震 -专利权人： 株洲中车时代半导体有限公司
申请日： 2018-10-30 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供的一种沟槽栅IGBT器件，该沟槽栅IGBT器件包括第一关断通路和第二关断通路，第一关断通路和第二关断通路均为IGBT关断过程中载流子抽取的通道，相对于现有技术新增了一条额外的关断通路，新增的关断通路和原关断通路同时工作能够加快对漂移区的载流子的抽取，使载流子快速复合，提高了抗闩锁能力，缩短了关断时间，同时也增大了可关断电流。
一种沟槽 igbt 器件

[发明专利]平面栅IGBT器件-CN201811277094.1有效
发明人：唐龙谷;戴小平;罗海辉;吴煜东;刘国友;张泉;覃荣震 -专利权人： 株洲中车时代半导体有限公司
申请日： 2018-10-30 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及一种平面栅IGBT器件，涉及半导体功率器件技术领域，用于解决现有技术中关断损耗较大的技术问题。本发明的平面栅IGBT器件，包括第一关断通路和第二关断通路，由于第一关断通路和第二关断通路是IGBT关断过程中载流子抽取的通道，因此通过增加一条额外的关断通路，从而提高了抗闩锁能力，因此既可缩短关断时间，也可增大可关断电流，从而减少关断损耗。
平面 igbt 器件

[发明专利]一种沟槽栅IGBT器件及其制作方法-CN202011450568.5有效
发明人：唐云;罗海辉;何逸涛;罗湘;谭灿健;孙小虎;杜龙欢 -专利权人： 株洲中车时代半导体有限公司
申请日： 2020-12-09 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种沟槽栅IGBT器件及其制作方法，所述方法包括以下步骤：在衬底上表面形成阻挡层；通过图形化阻挡层显露部分衬底的上表面，在显露的部分衬底的上表面刻蚀形成沟槽；形成第一栅氧层；填充第一掺杂的第一多晶硅层，以填满沟槽；刻蚀第一多晶硅层直至保留所述沟槽底部的第一多晶硅层，第一多晶硅层形成第一栅极；移除阻挡层；形成预设第一厚度的氧化层；磨去部分氧化层直至保留预设第二厚度的氧化层，再刻蚀预设第二厚度的氧化层直至保留预设第三厚度的氧化层；形成第二栅氧层；填充第二掺杂的第二多晶硅层，以填满沟槽；刻蚀第二多晶硅层形成第二栅极。所述方法克服了IGBT器件中沟槽的氧化层下凹的缺陷，提高了IGBT器件的可靠性。
一种沟槽 igbt 器件及其制作方法

[发明专利]沟槽栅MOS功率器件及其栅极制作方法-CN201910002574.5有效
发明人：姚尧;罗海辉;肖强;何逸涛;刘葳;罗湘 -专利权人： 株洲中车时代半导体有限公司
申请日： 2019-01-02 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明提供的一种沟槽栅MOS功率器件及其栅极制作方法，通过两次热氧化工艺在不同的位置处形成了厚薄不同的两种栅极氧化层，薄氧化层的设置使得阀值电压能够满足沟槽栅MOS功率器件的正常工作要求，保证MOS功率器件正常的开关动作，厚氧化层能够降低米勒电容，解决了开关行为难以调控的问题并降低了开关损耗，且厚氧化层耐载流子轰击能力较强，提高了整个器件的长程可靠性。本发明在保证MOS功率器件正常的开关动作的同时，降低了米勒电容，解决了开关行为难以调控的问题并降低了开关损耗，且提高了长程可靠性，不受阀值电压限制。
沟槽 mos 功率器件及其栅极制作方法

[发明专利]一种碳化硅功率模块的封装结构-CN202310524487.2在审
发明人：常桂钦;李想;罗海辉;秦光远;王彦刚;肖强;彭勇殿 -专利权人： 株洲中车时代半导体有限公司
申请日： 2023-05-10 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅功率模块的封装结构，包括基板以及均布在所述基板上的多个衬板，所述衬板上具有多个金属层。多个所述衬板形成在所述基板上并列分布且彼此并联的多个功能单元，每个所述功能单元均包括两个相对设置的所述衬板，同一个所述功能单元中的两个所述衬板上的所述金属层的布局结构关于所述功能单元的中心中心对称，多个所述功能单元的所述金属层的布局结构以及相对所述基板的布局方位相同。本发明通过设计封装结构中的衬板、芯片的布局，以及改进键合结构和功率端子的结构，能够实现各种功率容量的低电感封装。
一种碳化硅功率模块封装结构

[发明专利]一种串扰抑制的控制电路和控制方法-CN202310166948.3在审
发明人：王旭;卢圣文;曾宏;陈彦;彭鹏;李诚;禹辉;王锦源 -专利权人： 株洲中车时代半导体有限公司
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：本发明涉及半导体领域，公开了一种串扰抑制的控制电路和控制方法，控制电路包括检测模块、电平翻转模块、上桥臂串扰抑制模块及下桥臂串扰抑制模块；检测PWM控制信号的下降沿产生翻转信号，对次级控制信号进行电平翻转，使能翻转后的次级控制信号交替导通上桥臂串扰抑制模块及下桥臂串扰抑制模块，在上下桥臂发生串扰之前提前吸收掉上下桥臂导通至关断时刻产生的串扰应力，从而实现对上下桥臂的串扰现象主动抑制，在不牺牲上下桥臂开关器件的开关速度、开关损耗的前提下，可高效可靠的实现对上桥臂和下桥臂的串扰现象的主动抑制，提高开关器件的可靠性，且电路结构易于实现，成本低。
一种抑制控制电路控制方法

[发明专利]压接式IGBT子模组及压接式IGBT模块-CN202011474379.1有效
发明人：张文浩;石廷昌;常桂钦;李寒;李亮星;董国忠 -专利权人： 株洲中车时代半导体有限公司
申请日： 2020-12-14 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本公开提供一种压接式IGBT子模组及压接式IGBT模块，该压接式IGBT子模组包括间隔设置于所述下电极板上方的若干IGBT芯片和若干FRD芯片。该压接式IGBT模块包括若干压接式IGBT子模组；管壳，包括管盖和管座；其中，所述管座为镂空结构，所述管座包括若干第五开孔和位于所述第五开孔周围的第三裙边结构；所述第五开孔用于裸露出各个所述压接式IGBT子模组的下电极板；所述第三裙边结构与所述下电极板的第一裙边结构接触，以实现密封封装。该压接式IGBT模块采用镂空结构的管座，降低了热流路径上的热阻，在这种结构下，可采用冷压焊或氩弧焊的方式实现模块密封，简化生产流程。
压接式 igbt 模组模块

[发明专利]一种沟槽型器件沉积碳膜的方法和沟槽型器件-CN202310112837.4在审
发明人：张东华;朱奇伟;刘芹;王志成;程银华;赵艳黎;潘昭海 -专利权人： 株洲中车时代半导体有限公司
申请日： 2023-02-14 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造领域，公开了一种沟槽型器件沉积碳膜的方法和沟槽型器件，所述方法包括在所述沟槽型器件的晶圆表面旋涂一光刻胶层，形成第一晶圆；将所述第一晶圆进行厚度为T1的第一次碳膜沉积，形成第二晶圆；去除所述第二晶圆表面沉积的光刻胶层和碳膜层，形成第三晶圆；将所述第三晶圆进行厚度为T2的第二次碳膜沉积，形成目标晶圆，其中，c为所述沟槽型器件的台阶覆盖率。通过上述两次碳膜沉积，使得沟槽型器件的晶圆表面、沟槽侧壁和沟槽底部的碳膜厚度相同，具有相同的碳保护能力，确保了碳膜对沟槽型器件不同位置的碳保护能力的一致性。
一种沟槽器件沉积方法

[发明专利]一种SiC功率器件背面光刻的对准方法和SiC功率器件-CN202310186382.0在审
发明人：曾亮;程银华;王惠珍;张乐;龚芷玉;赵艳黎;潘昭海 -专利权人： 株洲中车时代半导体有限公司
申请日： 2023-03-01 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造领域，公开了一种SiC功率器件背面光刻的对准方法和SiC功率器件，利用SiC晶圆的透明的特性，背面光刻中使用正面的标记进行对准。在正面光刻中在晶圆表面沉积特定的不透光或者明显颜色差异的膜层，因膜层特性，经过刻蚀后可以得到对准所需的标记，在背面光刻时可选择合适波段的探测光，当扫描到该标记时会得到更强的对准信号，和其他区域形成一个信号差，通过这个的信号差可以获取正面标记的位置，实现和正面标记对准的目的，再经过多个位置的对准后，提升对准精度。
一种 sic 功率器件背面光刻对准方法

[发明专利]一种转模塑封双面散热器件的芯片开封方法及夹具-CN202310137212.3在审
发明人：檀浩浩;周望君;杨方;傅程;李儒贵 -专利权人： 株洲中车时代半导体有限公司
申请日： 2023-02-20 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明涉及半导体结构失效分析技术领域，公开了一种转模塑封双面散热器件的芯片开封方法及夹具，所述方法包括对上衬板采用平面研磨，直至转模塑封双面散热器件内部的环氧模塑料显现；采用激光蚀刻气化原理去除所述器件内部的环氧模塑料，直至所述器件内部的键合引线显现；采用第一混酸溶液对所述器件进行化学湿法蚀刻，直至所述器件内部的键合引线完全裸露；加热重融芯片与垫块之间的焊锡，移除所述垫块；采用第二混酸溶液对移除了垫块的器件，进行化学湿法蚀刻，直至所述芯片完整显现。实现转模塑封双面散热器件的芯片无损开封，以便于后续芯片级微观分析。
一种塑封双面散热器件芯片开封方法夹具

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