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[发明专利]鳍式场效晶体管与其制备方法-CN201510323753.0在审
发明人：吴孝哲 -专利权人：宁波时代全芯科技有限公司;英属维京群岛商时代全芯科技有限公司
申请日： 2015-06-12 - 公布日： 2015-12-23 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明揭露一种鳍式场效晶体管及其制备方法。鳍式场效晶体管包含一基层与一栅极结构。基层具有呈大致平行排列的两第一鳍状部分，而栅极结构位于这些第一鳍状部分上并垂直横跨这些第一鳍状部分，且栅极结构接触这些第一鳍状部分之间的基层。
鳍式场效晶体管与其制备方法

[发明专利]鳍式FET及其形成方法-CN201010148509.2有效
发明人：许育荣;余振华;叶震南 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-04-14 - 公布日： 2010-12-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种鳍式FET及其制造方法。鳍式场效应晶体管包括设置在衬底上方的鳍。栅极设置在鳍的沟道部分上方。源极区域设置在鳍的第一端。漏极区域设置在鳍的第二端。
鳍式 fet 及其形成方法

[发明专利]鳍式场效应管的形成方法-CN201410504671.1有效
发明人：何有丰 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2014-09-26 - 公布日： 2018-08-10 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种鳍式场效应管的形成方法，包括：提供衬底；在衬底上形成鳍；在衬底上形成栅极结构，栅极结构横跨至少一个鳍，并覆盖鳍的侧壁与顶部；在鳍的侧壁形成侧墙；对栅极结构两侧的部分鳍进行刻蚀，以在鳍中形成第一凹槽；使构成第一凹槽的侧壁转变为氧化物；去除氧化物，剩余的鳍与侧墙形成第二凹槽；分别在栅极结构两侧的第二凹槽中形成源极或漏极。本发明的有益效果在于，形成的第二凹槽的底面较为平坦，有利于后续形成鳍式场效应管的源极与漏极，进而有利于提升鳍式场效应管的性能。
栅极结构效应管鳍式场衬底侧壁侧墙漏极源极去除氧化物侧壁转变氧化物底面刻蚀横跨平坦覆盖

[发明专利]基于齿轮传动的推挽式全航速减摇鳍-CN202110718832.7在审
发明人：蒋衡捷;康义星;杨万富;杨春云 -专利权人：上海衡拓船舶设备有限公司
申请日： 2021-06-28 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： B63B39/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于齿轮传动的推挽式全航速减摇鳍，由大展弦比鳍、水下支撑段、鳍轴组、转鳍机构、扫略机构组成，所述大展弦比鳍通过鳍轴组中的鳍轴安装于水下支撑段安装空间内，所述鳍轴连接转鳍机构，在常规航速工况时，由转鳍机构驱动大展弦比鳍旋转，实现常规航速减摇；所述水下支撑段连接扫略机构，在零航速工况下，由扫略机构驱动大展弦比鳍扫略，实现零航速减摇。本发明的基于齿轮传动的推挽式全航速减摇鳍能够保持在原有常规航速减摇能力、功率、重量、占舱尺寸基本不变的前提下，提升零航速减摇能力40％以上，有助于实现新型全航速减摇鳍装置的性能。
基于齿轮传动推挽式全航速减摇鳍

[发明专利]鳍式场效应晶体管的制作方法-CN201711325799.1有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：深圳市物芯智能科技有限公司
申请日： 2017-12-12 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种鳍式场效应晶体管的制作方法，包括：提供SOI基底，并在所述SOI基底形成台阶部；基于所述SOI基底的台阶部形成高度不同的鳍部；在所述鳍部表面形成栅介质层，并在所述栅介质层表面形成栅极；采用倾斜角度注入的方式分别对所述鳍部两侧进行离子注入，以在所述鳍部形成源区和漏区。本发明提供的鳍式场效应晶体管的制作方法可以解决相邻鳍式场效应晶体管的鳍部的阴影效应。
场效应晶体管制作方法

[发明专利]包括不对称硅化物结构的场效应晶体管及相关器件-CN201310445019.2在审
发明人：宋泰中;金奎泓;朴在浩;郑钟勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-09-26 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种鳍式场效应晶体管及其相关器件。该鳍式场效应晶体管可以包括鳍式场效应晶体管的源极区和漏极区。鳍式场效应晶体管的栅极可以横跨源极区与漏极区之间的鳍式场效应晶体管的鳍。第一硅化物层和第二硅化物层可以分别包括面对横跨鳍的栅极的第一表面和第二表面，其中，第一表面和第二表面的尺寸是不同的。
包括不对称硅化物结构场效应晶体管相关器件

[实用新型]散热鳍片、散热鳍片组及LED灯具-CN201420858174.7有效
发明人：秦龙;黄喜珑;秦霑齐 -专利权人：江苏大秦光电科技有限公司
申请日： 2014-12-30 - 公布日： 2015-07-29 - 主分类号： F21V29/74 文献下载
摘要：一种散热鳍片、散热鳍片组及LED灯具，其中散热鳍片包括散热鳍片本体，所述本体具有第一端和第二端，所述散热鳍片本体沿长度方向宽度不等，所述第一端呈三角形状，所述本体整体呈宝剑式。采用本实用新型的宝剑式散热鳍片，各散热鳍片之间的散热空间增加，LED所产生的热量能更快的被带走，相比于现有技术长方形状的散热鳍片，本实用新型散热鳍片散热效率提高10％以上。
散热鳍片组 led 灯具

[发明专利]P型鳍式场效应晶体管及其形成方法-CN201510006082.5有效
发明人：李勇;居建华;陈林林 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2015-01-06 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种P型鳍式场效应晶体管及其形成方法，其中，P型鳍式场效应晶体管的形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有鳍部；形成横跨所述鳍部的栅极结构；从鳍部顶部降低所述栅极结构两侧鳍部的高度；在剩余的所述鳍部表面形成掺杂有源漏离子的第一半导体材料层采用本发明的方法形成的P型鳍式场效应晶体管降低了后续形成的P型鳍式场效应晶体管的源极和漏极上的寄生电阻，提高了后续形成的P型鳍式场效应晶体管的性能。
型鳍式场效应晶体管及其形成方法

[发明专利]鳍式场效应晶体管及其形成方法-CN201310064769.5有效
发明人：殷华湘;三重野文健 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-02-28 - 公布日： 2014-09-03 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种鳍式场效应晶体管及其形成方法，其中所述鳍式场效应晶体管的形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有凸起的鳍部，所述鳍部之间具有隔离结构，所述隔离结构的顶表面低于所述鳍部的顶表面；在所述鳍部的侧壁周围形成掺杂侧墙，所述掺杂侧墙的高度小于所述鳍部的高度，所述掺杂侧墙的掺杂类型与所述鳍部的掺杂类型相同，且所述掺杂侧墙的掺杂浓度大于所述鳍部的掺杂浓度；对所述掺杂侧墙退火，使所述掺杂侧墙中的杂质扩散进入所述鳍部形成穿通阻挡层本发明的鳍式场效应晶体管可以减少器件操作过程中的穿通现象。
场效应晶体管及其形成方法

[发明专利]一种鳍式场效应晶体管的形成方法-CN201410233841.7有效
发明人：张海洋;郑喆 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2014-05-29 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种鳍式场效应晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，半导体衬底表面具有至少一个鳍部；在半导体衬底上形成栅极结构，栅极结构横跨至少一个鳍部，并覆盖鳍部的侧壁与顶部；在栅极结构两侧的鳍部内形成源区和漏区；在半导体衬底和栅极结构上形成填充层；在填充层内形成第一通孔，第一通孔的底部露出至少一个鳍部的源区或漏区；对第一通孔底部露出的鳍部上半部分进行处理，以使鳍部顶面为光滑规则弧面；对鳍部上半部分进行处理后，去除鳍部上半部分，鳍部下半部分的顶面为光滑规则弧面；在鳍部下半部分上形成半导体材料层。采用本发明中的鳍式场效应晶体管的形成方法能够提高鳍式场效应晶体管的性能。
鳍部鳍式场效应晶体管栅极结构衬底通孔半导体规则弧面填充层顶面漏区源区光滑半导体衬底表面半导体材料层侧壁去除横跨覆盖

[发明专利]鳍式场效应晶体管及其形成方法-CN201210348131.X有效
发明人：三重野文健 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-09-18 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种鳍式场效应晶体管及其形成方法，其中所述鳍式场效应晶体管包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底表面的鳍部；位于所述鳍部两侧的第一介质层，所述第一介质层的表面低于所述鳍部的顶部；位于所述鳍部上的栅极结构，所述栅极结构覆盖部分所述鳍部的顶部和侧壁；位于所述栅极结构两侧的鳍部内的源区和漏区；位于所述源区和漏区表面的接触金属层，所述接触金属层具有拉伸应力。本发明的鳍式场效应晶体管的载流子迁移率高。
场效应晶体管及其形成方法

[发明专利]半导体鳍式元件的接触窗及其制造方法-CN200410007241.5有效
发明人：杨育佳;杨富量;胡正明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2004-02-27 - 公布日： 2004-09-01 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种半导体鳍式元件的接触窗(Fin DeviceContact)及其制造方法，此半导体鳍式元件的接触窗位于半导体鳍的上表面、两侧壁表面及/或至少一端表面上，而与半导体鳍式元件的源极/漏极之间具有相当大的接触面积
半导体元件接触及其制造方法

[发明专利]与鳍式场效应晶体管技术兼容的器件结构-CN201310142925.5有效
发明人： R·J·小戈捷;J·B·约翰逊;李军俊 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2013-04-23 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及与鳍式场效应晶体管技术兼容的器件结构。提供了用于鳍式场效应晶体管集成电路技术的器件结构、设计结构和制造方法。构成器件结构的电极的第一鳍和第二鳍中的每一者由第一半导体材料构成。第二鳍被形成为邻近第一鳍，以限定使第一鳍和第二鳍分隔的间隙。由第二半导体材料构成的层位于该间隙中。
场效应晶体管技术兼容器件结构

[发明专利]P型鳍式场效应晶体管及其形成方法-CN201310157812.2有效
发明人：三重野文健 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-04-28 - 公布日： 2017-12-29 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种P型鳍式场效应晶体管及其形成方法，所述P型鳍式场效应晶体管，包括半导体衬底，所述半导体衬底上具有凸起的鳍部，鳍部侧壁和顶部表面具有栅极结构，所述栅极结构的侧壁具有侧墙；在栅极结构两侧的鳍部内具有凹槽；所述凹槽的侧壁和底部表面具有硅锗层；所述硅锗层表面具有阻挡层；所述阻挡层上具有金属层，所述金属层填充满凹槽，金属层、阻挡层和硅锗层构成P型鳍式场效应晶体管的源/漏区。相邻鳍式场效应晶体管的鳍部上的硅锗层不会发生桥接现象。
型鳍式场效应晶体管及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201610474846.8有效
发明人：金成玟;姜智秀;柳炳赞;朴宰贤;李宥利;车东镐 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-06-24 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：所述半导体器件包括第一鳍式图案和第二鳍式图案，它们从场绝缘膜的上表面向上突出，并且在第一方向上延伸。栅极结构与第一鳍式图案和第二鳍式图案交叉。第一外延层在栅极结构的至少一侧上位于第一鳍式图案上，并且第二外延层在栅极结构的至少一侧上位于第二鳍式图案上。金属接触部分覆盖第一外延层的外周围表面和第二外延层的外周围表面。第一外延层接触第二外延层。
半导体器件及其制造方法