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[实用新型]基于齿轮传动的推挽式全航速减摇鳍-CN202121447948.3有效
发明人：蒋衡捷;康义星;杨万富;杨春云 -专利权人：上海衡拓船舶设备有限公司
申请日： 2021-06-28 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： B63B39/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种基于齿轮传动的推挽式全航速减摇鳍，由大展弦比鳍、水下支撑段、鳍轴组、转鳍机构、扫略机构组成，所述大展弦比鳍通过鳍轴组中的鳍轴安装于水下支撑段安装空间内，所述鳍轴连接转鳍机构，在常规航速工况时，由转鳍机构驱动大展弦比鳍旋转，实现常规航速减摇；所述水下支撑段连接扫略机构，在零航速工况下，由扫略机构驱动大展弦比鳍扫略，实现零航速减摇。本实用新型的基于齿轮传动的推挽式全航速减摇鳍能够保持在原有常规航速减摇能力、功率、重量、占舱尺寸基本不变的前提下，提升零航速减摇能力40％以上，有助于实现新型全航速减摇鳍装置的性能。
基于齿轮传动推挽式全航速减摇鳍

[发明专利]鳍式晶体管及其制造方法-CN201911174067.6在审
发明人：郑智仁;翁文寅 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2019-11-26 - 公布日： 2020-02-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种鳍式晶体管，包括：鳍体，鳍体之间的浅沟槽中填充有场氧；鳍式晶体管的单元结构形成在鳍体顶部结构上，单元结构包括：栅极结构、源区和漏区；在栅极结构两侧的鳍体顶部结构中形成有凹槽并填充有嵌入式外延层，源区和漏区形成在对应的嵌入式外延层中；金属硅化物形成在嵌入式外延层的整个外侧表面上，以增加所述金属硅化物对应的所述源区或所述漏区的接触面积，源区和漏区表面的金属硅化物分别和顶部对应的接触孔相接触。本发明还公开了一种鳍式晶体管的制造方法。本发明能降低器件的源漏接触孔的接触电阻并从而提高器件的性能。
晶体管及其制造方法

[发明专利]一种鳍式场效应晶体管及其制备方法-CN201610663545.X有效
发明人：王桂磊;崔虎山;殷华湘;秦长亮;李俊峰;赵超 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2016-08-12 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本申请公开了一种鳍式场效应晶体管及其制备方法，利用所述鳍式场效应晶体管的制备方法制备FinFET器件时，通过先形成硅鳍部和隔离部，然后原位刻蚀硅鳍部，以为硅锗鳍和锗鳍的形成预留空间；最后通过外延生长依次形成硅锗鳍和锗鳍由于所述硅锗鳍在所述硅衬底与所述锗鳍之间，起到了应变缓冲层的作用，减少了锗与硅之间的晶格失配程度，从而为锗鳍的形成建立前提条件，避免直接将锗材料填入所述隔离部之间的小尺寸缝隙中而出现锗无法将缝隙填满而使得锗鳍存在形态缺陷
一种场效应晶体管及其制备方法

[实用新型]一种用于赛艇的可拆式鳍盒-CN201220708571.7有效
发明人：熊英;熊飞;刘志强;邓继鹏 -专利权人：杭州飞鹰船艇有限公司
申请日： 2012-12-19 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： B63H25/38 文献下载
摘要：本实用新型提供一种用于赛艇的可拆式鳍盒，它包括鳍，鳍盒设有和艇壳连接的安装条，安装条具有适合鳍插入的凹槽，鳍的上部前后两侧具有前后方向的前侧卡槽及后侧卡槽，凹槽内具有适合前侧卡槽的前横向销和适合后侧卡槽的后横向销，鳍盒设有定位螺丝，定位螺丝和安装条连接并卡住鳍的前部。本实用新型实现了鳍的可拆式安装，结构简单，连接牢固，且拆装操作非常方便。
一种用于赛艇可拆式鳍盒

[发明专利]通过有源区轮廓控制高度的半导体制造的方法-CN201610075752.3有效
发明人：赵益承;张哲诚;巫柏奇;李荣瑞 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-02-03 - 公布日： 2019-10-08 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：方法包括：在半导体衬底上形成沟槽，从而限定鳍式有源区；提取鳍式有源区的轮廓；根据鳍式有源区的轮廓确定蚀刻剂量；用介电材料填充在沟槽中；以及使用蚀刻剂量对介电材料实施蚀刻工艺，因此凹进介电材料并且限定鳍式有源区的鳍高度
通过有源轮廓控制高度半导体制造方法

[发明专利]鳍式场效应晶体管的制作方法-CN201210552994.9有效
发明人：邓浩 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-12-18 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种鳍式场效应晶体管的制作方法，该方法首先在衬底上形成硬掩模层图形，在硬掩模层图形的两侧形成第一侧墙；然后以第一侧墙及硬掩模层图形为掩模对暴露的部分衬底进行刻蚀以形成倒T型鳍下部，倒T型鳍下部与第一侧墙及硬掩模层图形形成堆叠结构；去除硬掩模层图形之后，在硬掩模层图形所在的位置形成开口；然后在开口内形成倒T型鳍上部，倒T型鳍下部与倒T型鳍上部构成倒T型鳍，倒T型鳍上部位于倒T型鳍下部的正中央位置，提高了鳍式场效应晶体管的性能。与现有鳍式场效应晶体管的制作方法相比，本发明所提供的方法更为简单、易实现。
场效应晶体管制作方法

[发明专利]鳍式场效应晶体管的制作方法-CN201210552970.3有效
发明人：邓浩 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-12-18 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种鳍式场效应晶体管的制作方法，该方法首先在绝缘体上硅衬底上形成硬掩模层图形，在硬掩模层图形的两侧形成侧墙；然后以侧墙及硬掩模层图形为掩模对顶层硅进行刻蚀以形成倒T型鳍的初始结构；去除硬掩模层图形两侧的侧墙之后，以硬掩模层图形为掩模对未被硬掩模层图形覆盖住的倒T型鳍的初始结构进行刻蚀，以形成倒T型鳍，倒T型鳍由倒T型鳍上部及倒T型鳍下部构成，倒T型鳍上部位于倒T型鳍下部的正中央位置，从而提高了鳍式场效应晶体管的性能与现有鳍式场效应晶体管的制作方法相比，本发明所提供的方法更为简单、易实现。
场效应晶体管制作方法

[发明专利]一种液冷式散热器、新型服务器散热系统及调控方法-CN202010725619.4有效
发明人：何业缘 -专利权人：苏州浪潮智能科技有限公司
申请日： 2020-07-24 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： G06F1/20 文献下载
摘要：本发明提供一种液冷式散热器、新型服务器散热系统及调控方法，所述液冷式散热器包括散热基座和设置在散热基座上的若干散热鳍片组；每个散热鳍片组包括中空管和两个散热鳍片，散热鳍片为中空结构，第一散热鳍片和第二散热鳍片远离散热基座的端通过中空管连接；第一散热鳍片、第二散热鳍片和中空管形成连通的腔体；若干散热鳍片组通过串联或并联或串并联组合的方式连通后两端分别连通到入水口和出水口；散热基座通过固定孔固定在产热元件上；液冷式散热器工作时，第一散热鳍片、第二散热鳍片和中空管形成连通的腔体内充满冷却液。
一种液冷式散热器新型服务器散热系统调控方法

[发明专利]鳍式场效应管的形成方法-CN201510894258.5在审
发明人：赵海 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2015-12-07 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种鳍式场效应管的形成方法，包括提供衬底，所述衬底表面形成有若干分立的鳍部，所述衬底表面还形成有覆盖鳍部部分侧壁表面的隔离层，且所述隔离层顶部低于鳍部顶部；对所述鳍部进行掺杂处理；在进行所述掺杂处理之后，采用气体团簇离子束工艺对所述鳍部顶部和侧壁进行修复性处理，在所述鳍部顶部表面和侧壁表面形成修复层；去除所述修复层；在去除所述修复层之后，形成横跨所述鳍部的栅极结构，所述栅极结构覆盖鳍部的部分顶部表面和侧壁表面本发明提高了形成的鳍式场效应管的电学性能。
场效应形成方法

[发明专利]鳍式场效应管及其形成方法-CN201210184979.3有效
发明人：禹国宾;洪中山 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-06-06 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种鳍式场效应管及其形成方法，其中，所述鳍式场效应管，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底表面的绝缘层；位于所述绝缘层表面的若干鳍部，所述鳍部包括：位于绝缘层表面且垂直于所述半导体衬底的两个分立平行的侧壁层、以及位于所述侧壁层顶部且由所述两个侧壁层支撑的顶部层；横跨所述鳍部的顶部层和侧壁层的栅极结构；位于所述栅极结构两侧的鳍部内的源/漏区。所述鳍式场效应管的漏电流减少，性能提高。
场效应及其形成方法

[发明专利]鳍式场效应晶体管及其形成方法-CN201510373975.3有效
发明人：赵猛 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2015-06-30 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种鳍式场效应晶体管及其形成方法，其中方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面形成牺牲层；在所述牺牲层内形成开口，所述开口暴露出部分半导体衬底表面，且所述开口的顶部宽度大于底部宽度；在所述开口内形成鳍部材料层，且所述鳍部材料层的顶部表面与牺牲层的顶部表面齐平；去除牺牲层；对鳍部材料层进行边角圆滑处理，形成鳍部。所述鳍式场效应晶体管的形成方法提高了鳍式场效应晶体管的性能。
场效应晶体管及其形成方法

[发明专利]鳍式场效应晶体管及其形成方法-CN201410505454.4有效
发明人：张海洋;洪中山 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2014-09-26 - 公布日： 2018-09-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种鳍式场效应晶体管及其形成方法，所述鳍式场效应晶体管的形成方法包括：提供衬底，所述衬底表面具有鳍部；在所述衬底表面和鳍部的侧壁和顶部表面形成沟道层，所述沟道层的材料为拓扑绝缘材料；在所述沟道层表面形成栅介质层；在所述衬底上的栅介质层表面形成隔离层，所述隔离层覆盖部分位于鳍部侧壁表面的栅介质层，且所述隔离层的表面低于所述鳍部的顶部表面；在部分所述隔离层和栅介质层表面形成横跨所述鳍部的栅极层。所形成的鳍式场效应晶体管的性能改善。
场效应晶体管及其形成方法

[发明专利]鳍式场效应晶体管的形成方法-CN201210514550.6有效
发明人：三重野文健 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-12-04 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种鳍式场效应晶体管的形成方法，包括提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面形成鳍部，所述鳍部包括位于鳍部的两端的源漏区域和源漏区域之间的沟道区域；刻蚀所述鳍部的源漏区域，使所述源漏区域的高度下降；在所述被刻蚀过的源漏区域表面形成非晶硅层；对所述非晶硅层进行退火，形成多晶硅层，所述多晶硅层对鳍部的沟道区域产生拉应力。所述方法，能够提高鳍式场效应晶体管的沟道内电子的迁移率，提高N型鳍式场效应晶体管的性能。
场效应晶体管形成方法

[发明专利]鳍式晶体管及其制造方法-CN201810207702.5在审
发明人：许佑铨 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2018-03-14 - 公布日： 2018-08-31 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种鳍式晶体管，包括：具有初始的第一宽度法人条状结构的鳍体，鳍体的底部通过第一绝缘层隔离；源区和漏区形成于鳍体中且源区和漏区的形成区域通过覆盖在具有第一宽度的鳍体的顶部表面和侧面的伪栅自对准定义；伪栅去除之后以及在金属栅极结构形成之前，鳍体被各向同性刻蚀的减薄形成第二宽度，金属栅极结构覆盖在具有第二宽度的鳍体的顶部表面和侧面。本发明还公开了一种鳍式晶体管的制造方法。本发明能保证在降低沟道的宽度实现等比例缩小的条件下减少工艺过程中的鳍体的深宽比从而降低工艺难度，能防止鳍体的弯曲和倒塌，能增加嵌入式结构的面积并减少嵌入式结构的晶格缺陷，还能增加源漏区的接触孔的接触面积并降低接触电阻
鳍体鳍式晶体管金属栅极结构嵌入式结构顶部表面漏区伪栅源区各向同性刻蚀降低接触电阻等比例缩小绝缘层隔离工艺过程工艺难度晶格缺陷条状结构侧面接触孔深宽比源漏区自对准覆盖沟道减薄去除制造倒塌保证

[发明专利]一种圆柱包方柱的装配式鳍形预焊结构及其安装方法-CN202310439501.9在审
发明人：丁泽成;王文广;周东珊;李鹏程;钟亮;林萍;龚威 -专利权人：浙江亚厦装饰股份有限公司
申请日： 2023-04-23 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： E04F13/073 文献下载
摘要：本发明公开一种圆柱包方柱的装配式鳍形预焊结构及其安装方法，所述结构包括圆钢柱、设置在圆钢柱外侧的数个鳍形预焊组件以及设置在鳍形预焊组件外侧的基板，数个鳍形预焊组件之间等间距设置在圆钢柱外侧，鳍形预焊组件包括八个依次设置在圆钢柱外侧的鳍形预焊件，鳍形预焊组件外侧围成方形结构，用于安装外侧基板。鳍形预焊件为由外支撑板、第一连接板、弧形板以及第二连接板依次连接构成的中空腔体结构。本发明通过装配式鳍形预焊结构实现圆柱包方柱的转变，为实际施工中圆柱变方柱提供可行的参考工艺，通过组合构建装配，干法施工，完成装配式圆柱包方柱的鳍形预焊结构；区别传统施工工艺，整体结构简单，安装便捷，满足装配式快装快拆特点
一种圆柱包方柱装配式鳍形预焊结构及其安装方法

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