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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]鳍式场效应晶体管及其形成方法-CN201210276064.5有效
发明人：三重野文健 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-08-03 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种鳍式场效应晶体管及其形成方法，其中，鳍式场效应晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底；形成覆盖所述半导体衬底表面的外延层；形成位于所述外延层表面的硬掩膜层，所述硬掩膜层具有暴露出外延层的开口；沿所述开口干法刻蚀所述外延层，形成鳍部，所述鳍部的侧壁与半导体衬底表面的夹角大于等于80度，小于90度。本发明实施例形成的鳍式场效应晶体管的半导体衬底内没有晶格损伤，且形成工艺简单，形成的鳍式场效应晶体管的性能优越。
场效应晶体管及其形成方法

[发明专利]改善鳍式场效应管性能的方法-CN201610008945.7在审
发明人：李勇 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2016-01-07 - 公布日： 2017-07-14 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种改善鳍式场效应管性能的方法，包括提供衬底，所述衬底表面形成有分立的鳍部；在所述鳍部侧壁表面、或者在所述鳍部顶部表面和侧壁表面形成化学氧化层；在所述化学氧化层表面形成掺杂层，所述掺杂层内具有掺杂离子；对所述掺杂层进行退火处理，使所述掺杂离子扩散进入鳍部内，形成掺杂区。本发明在鳍部表面形成化学氧化层，从而防止鳍部与外界环境接触而形成自然氧化物，还防止鳍部与形成掺杂层过程中的氧相接触形成致密度高的自然氧化物，本发明中掺杂层与鳍部之间的扩散界面性能好，掺杂层内的掺杂离子经由化学氧化层易扩散至鳍部内，提高掺杂效率，从而改善形成的鳍式场效应管的性能。
改善场效应性能方法

[发明专利]一种带鼓包前缘的减摇鳍-CN202010201269.1在审
发明人：杨凌;钟兢军 -专利权人：上海海事大学
申请日： 2020-03-20 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： B63B39/06 文献下载
摘要：本发明公开一种带鼓包前缘的减摇鳍，涉及船用设备技术领域，主要结构减摇鳍本体，所述减摇鳍本体的前端设置有多个向前凸起的鼓包前缘。本发明中的带鼓包前缘的减摇鳍，整体结构简单，无论是制成收放式减摇鳍，还是非收放式减摇鳍，都能够实现在不增加控制和传动机构的前提下，改善流场结构，提升减摇鳍的水动力性能，改善船舶的稳定性；椭圆型前缘或曲率连续型前缘叶型可减少空泡侵蚀，有效延长减摇鳍使用寿命；向前凸起的前缘与减摇鳍本体椭圆形过渡结合，或向前凸起的前缘与减摇鳍本体曲率连续型过渡结合，能够降低前进时的减摇鳍阻力，从而降低油耗，提高经济效益。
一种鼓包前缘减摇鳍

[发明专利]鳍式场效应晶体管及其形成方法-CN201410076905.7有效
发明人：居建华;俞少峰 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-03-04 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种鳍式场效应晶体管及其形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括PMOS区域和NMOS区域；在PMOS区域上形成第一鳍部，在NMOS区域上形成第二鳍部；在半导体衬底表面形成低于第一鳍部和第二鳍部表面的隔离层；在第一鳍部表面形成功函数调整层；同时形成跨第一鳍部的第一栅极结构和横跨第二鳍部的第二栅极结构；在所述第一栅极结构两侧的第一鳍部内形成第一源漏极，在所述第二栅极结构两侧的第二鳍部内形成第二源漏极。上述方法可以降低形成鳍式场效应晶体管的栅极结构的工艺难度，减少工艺步骤。
场效应晶体管及其形成方法

[发明专利]用于机动车辆的折叠式顶篷-CN201310283597.0有效
发明人： M·弗勒施勒;T·克策克第兹基 -专利权人： F·波尔希名誉工学博士公司
申请日： 2013-07-03 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： B60J7/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种折叠式顶篷，包括具有多个鳍板的折叠顶篷布料，这些鳍板指向后盖，并且在该折叠式顶篷的一个关闭位置中这些鳍板被安排在该后盖上。折叠顶篷布料的这些鳍板分别被安排成借助在该折叠式顶篷骨架上的一个侧向安排的鳍板拉杆而可围绕一条旋转轴线枢转，并且该折叠顶篷布料通过在该后盖与鳍板拉杆之间的一个调整装置可从一个张紧位置运动到一个打开位置，
用于机动车辆折叠式顶篷

[发明专利]方位推进式船舶-CN201480064131.4有效
发明人：松本大辅;大和邦昭 -专利权人：三菱造船株式会社
申请日： 2014-12-24 - 公布日： 2018-08-21 - 主分类号： B63B1/32 文献下载
摘要：本发明提供一种方位推进式船舶，其具备方位推进器，该方位推进式船舶能够抑制燃耗的恶化并提高航向保持性能。方位推进式船舶具有：方位推进器，设置在船体的船尾侧；中心艉鳍，配置在船体的船底的宽度方向中心线上；以及航向保持性能改善装置，配置在中心艉鳍的侧面。航向保持性能改善装置具有：板部，与中心艉鳍以及船底隔开间隔配置，且在与中心线平行的方向上的长度比中心艉鳍短；以及连结部，在板部和中心艉鳍之间设置间隙而连结板部与中心艉鳍。
方位推进船舶

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN202010881891.1在审
发明人：曹敏;王培宇;杨世海;蔡庆威;程冠伦;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-08-28 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体装置的形成方法，此种半导体装置包括n型鳍式场效晶体管结构及p型鳍式场效晶体管结构，其中n型鳍式场效晶体管及p型鳍式场效晶体管结构的每一个皆包括半导体基板及栅极沟槽。所述方法包括：沉积界面层于每一个栅极沟槽中；沉积第一金属氧化物层于界面层上；从p型鳍式场效晶体管结构移除第一金属氧化物层；沉积铁电层于每一个栅极沟槽中；沉积第二金属氧化物层于铁电层上；从n型鳍式场效晶体管结构移除第二金属氧化物层
半导体装置形成方法

[发明专利]屏蔽栅场效应晶体管-CN202211689128.4有效
发明人：钱振华;康子楠;张艳旺;张子敏;吴飞;钟军满 -专利权人：无锡先瞳半导体科技有限公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，公开了一种屏蔽栅场效应晶体管，该屏蔽栅场效应晶体管包括：电极结构和交错鳍式屏蔽栅，各电极结构包括：栅极、氧化层、屏蔽栅；栅极设置于屏蔽栅的上方；栅极和屏蔽栅之间设有氧化层；交错鳍式屏蔽栅设置于相邻的电极结构之间，处于相邻两个电极结构之间的交错鳍式屏蔽栅之间存在预设距离。本发明将交错鳍式屏蔽栅设置于包括栅极、氧化层和屏蔽栅的相邻电极结构之间，处于相邻两个电极结构之间的交错鳍式屏蔽栅之间存在预设距离，从而通过增加交错鳍式屏蔽栅之间的预设距离可以解决现有技术中屏蔽栅场效应晶体管带来的更低电容的同时会伴随着较高的电压震荡的技术问题
屏蔽场效应晶体管

[发明专利]半导体结构及其掺杂方法、鳍式场效应管的形成方法-CN201210289269.7在审
发明人：三重野文健 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-08-14 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： H01L21/225 文献下载
摘要：一种半导体结构及其掺杂方法、鳍式场效应管的形成方法，其中半导体结构的掺杂方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有鳍部；在所述鳍部表面形成杂质层；在所述杂质层表面形成盖帽层，所述盖帽层包括非晶碳层；对已形成杂质层和盖帽层的鳍部进行退火，使所述杂质层扩散进入所述鳍部内；去除所述盖帽层。本发明的半导体结构及鳍式场效应管的掺杂均匀，工艺简单。
半导体结构及其掺杂方法场效应形成

[发明专利]半导体结构-CN201710202281.2有效
发明人：李承翰;马志宇;张世杰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-03-30 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：第一鳍状物包含具有第一晶格常数的结晶结构。第一鳍状物形成于较低阶状物上。第二鳍状物包含具有第二晶格常数的结晶结构，且第二晶格常数不同于第一晶格常数。第二鳍状物可形成于较高阶状物上，并与第一鳍状物分隔。第二结晶结构可形成于结晶结构上，且鳍状物的顶部对齐。第一鳍状物与第二鳍状物之组成可为相同材料(具有不同高度及不同通道应力值)。第一鳍状物可作为互补式金氧半鳍状场效晶体管的n型金氧半鳍状物，而第二鳍状物可作为互补式金氧半鳍状场效晶体管的p型金氧半鳍状物。
半导体结构

[发明专利]鳍式场效应晶体管及其形成方法-CN201711114668.9在审
发明人：贺鑫 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司
申请日： 2017-11-13 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种鳍式场效应晶体管及其形成方法，所述方法包括以下步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底的表面形成有凸出的鳍部；形成横跨所述鳍部的栅极，其中，覆盖在所述鳍部的顶部的栅极的宽度大于延伸至所述鳍部以外的栅极的宽度；形成与所述栅极平行的金属线，所述金属线与所述鳍部的至少一部分电接触。本发明方案可以降低栅极与金属线之间的寄生电容，有助于提高鳍式场效应晶体管的AC性能。
鳍部鳍式场效应晶体管金属线衬底半导体表面形成寄生电容电接触凸出的横跨平行延伸覆盖

[发明专利]鳍式场效应管的形成方法-CN201210101577.2有效
发明人：三重野文健 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-03-31 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种鳍式场效应管的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有隔离层；形成贯穿所述隔离层、且一端位于半导体衬底内的鳍部，所述鳍部表面高于隔离层表面；形成位于所述隔离层表面、且横跨所述鳍部的顶部和侧壁的栅极结构；形成位于所述栅极结构侧壁和鳍部侧壁的伪侧墙；形成位于所述伪侧墙表面、且包裹所述鳍部的外延层；在形成所述外延层后去除所述伪侧墙。本发明实施例形成的鳍式场效应管的性能好。
场效应形成方法

[发明专利]鳍式场效应晶体管结构及其制造方法-CN201610680892.3有效
发明人：张哲诚;林志翰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-08-17 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：描述了一种鳍式场效应晶体管，包括衬底、多个绝缘物、至少一个栅极堆叠件和应变材料部分。衬底具有位于衬底上的多个鳍以及鳍包括嵌入在鳍中的停止层。多个绝缘物设置在衬底上和多个鳍之间。至少一个栅极堆叠件设置在多个鳍上方和设置在多个绝缘物上。应变材料部分设置在至少一个栅极堆叠件的相对两侧上。本发明实施例涉及鳍式场效应晶体管结构及其制造方法。
场效应晶体管结构及其制造方法

[发明专利]一种鳍式场效应晶体管及其制造方法-CN202010478559.0在审
发明人：涂火金;刘厥扬;胡展源 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2020-05-29 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明提供了一种鳍式场效应晶体管制造方法。所述鳍式场效应晶体管制造方法包括：在衬底上形成鳍结构以及横跨所述鳍结构的栅结构；以及在所述鳍结构上形成源漏区，所述形成源漏区包括：形成外延层；以及在所述外延层的表面形成一层牺牲层以防止所述外延层在后续的去除步骤中被损耗
一种场效应晶体管及其制造方法

[发明专利]散热模块-CN201210274533.X无效
发明人：陈孟平;何清 -专利权人：华硕电脑股份有限公司
申请日： 2012-08-03 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：一种散热模块包括一底座、至少一传热件、至少一流体管以及一散热鳍片组。传热件设置在底座。流体管邻设在传热件。流体管设置在底座。散热鳍片组包覆传热件及流体管。散热鳍片组至少部分连接底座。散热鳍片组具有多个散热鳍片。本案的散热模块，可结合气冷式及水冷式的散热方式，增加热传导效能。
散热模块

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