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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]N型鳍式场效应晶体管及其形成方法-CN201510005631.7有效
发明人：李勇;居建华;陈林林 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2015-01-06 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种N型鳍式场效应晶体管及其形成方法，其中，一种N型鳍式场效应晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有鳍部；形成横跨所述鳍部的栅极结构；在所述鳍部表面形成掺杂有源漏离子的第一半导体材料层采用本发明的方法形成的N型鳍式场效应晶体管降低了后续形成的N型鳍式场效应晶体管的源极和漏极上的寄生电阻，提高了后续形成的N型鳍式场效应晶体管的性能。
型鳍式场效应晶体管及其形成方法

[发明专利]集成电路结构-CN201010282270.8有效
发明人：叶致锴;张智胜;万幸仁 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-09-09 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种包括n型鳍式场效晶体管与p型鳍式场效晶体管的集成电路结构。n型鳍式场效晶体管包括：第一锗鳍(first germanium fin)位于一基板之上；一第一栅极介电层，位于第一锗鳍的顶表面与侧壁上；以及一第一栅极电极，位于第一栅极介电层之上。p型鳍式场效晶体管包括：一第二锗鳍，位于基板之上；一第二栅极介电层，位于第二锗鳍的顶表面与侧壁上；以及一第二栅极电极，位于第二栅极介电层之上。
集成电路结构

[发明专利]具铲削式鳍片结构的均温板及其制造方法-CN200810167437.9有效
发明人：刘睿凯;锺兆才 -专利权人：和硕联合科技股份有限公司
申请日： 2008-09-26 - 公布日： 2010-03-31 - 主分类号： F28D15/02 文献下载
摘要：一种具铲削式鳍片结构的均温板，包含：第一本体、第二本体、工作流体。第一本体设有第一毛细结构，并与第二本体结合而于第一本体与第二本体之间形成密闭空间。第二本体设有一体成型的板件与多个铲削式鳍片，多个铲削式鳍片经由铲削加工方式形成，使各铲削式鳍片与板件之间具有倾斜角，且多个铲削式鳍片连接于第一本体。工作流体位于密闭空间内，汽态的工作流体冷凝后由板件经铲削式鳍片回流至第一本体。一种具铲削式鳍片结构的均温板的制造方法也在此揭露。
具铲削式鳍片结构均温板及其制造方法

[发明专利]包含鳍式结构的半导体装置及其制造方法-CN201510852268.2有效
发明人：赵元舜;曹志彬;陈豪育 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-11-27 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明是关于包含鳍式结构的半导体装置及其制造方法。根据一实施例的用于制造半导体装置的方法包含在衬底上方形成鳍式结构。所述鳍式结构具有顶表面及侧表面，并且所述顶表面定位于从所述衬底测量的高度H0处。在所述鳍式结构及所述衬底上方形成绝缘层。在第一凹陷中，使所述绝缘层凹陷到从所述衬底起的高度T1，使得所述鳍式结构的上部部分从所述绝缘层暴露。在所述已暴露上部部分上方形成半导体层。在形成所述半导体层之后，在第二凹陷中，使所述绝缘层凹陷到从所述衬底起的高度T2，使得所述鳍式结构的中间部分从所述绝缘层暴露。在所述鳍式结构的具有所述半导体层的所述上部部分以及所述已暴露中间部分上方形成栅极结构。
包含结构半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体元件及其制造方法-CN201710680196.7有效
发明人：游佳达;王圣祯;杨正宇;李凱璿;杨世海;杨丰诚;陈燕铭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-08-10 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：提供一种鳍式场效晶体管元件，鳍式场效晶体管元件包含从介电隔离结构往外向上突出的多个鳍式结构与部分地环绕包覆鳍式结构的多个栅极结构。鳍式结构的每一者在第一方向上延伸，且栅极结构的每一者在不同于第一水平方向的第二水平方向上延伸。磊晶结构形成于鳍式结构的每一者的至少一侧表面上。磊晶结构包含第一磊晶层、第二磊晶层或第三磊晶层。形成于每一鳍式结构上的磊晶结构与其相邻的多个磊晶结构被间隙所隔开。硅化物层形成于磊晶结构的每一者上。硅化物层至少部分地填充于间隙中。导电接触形成于硅化物层上。
半导体元件及其制造方法

[发明专利]一种具有高续流能力的鳍式氮化镓器件-CN202210712859.X在审
发明人：李胜;李明飞;马岩锋;张弛;刘斯扬;孙伟锋;时龙兴 -专利权人：东南大学;东南大学—无锡集成电路技术研究所
申请日： 2022-06-22 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有高续流能力的鳍式氮化镓器件，包括：金属漏电极，第一高掺杂层，具有鳍式结构的缓冲层，具有第一鳍柱、第二鳍柱、第三鳍柱、第四鳍柱的元胞区和具有第五鳍柱、第六鳍柱的终端区；第一、第四、第五鳍柱的顶表面叠设第二高掺杂层、金属源电极，并通过其外侧的金属栅电极实现器件的正向工作状态，第二、第六鳍柱通过顶表面及外侧的第二金属源电极实现器件的反向工作状态，第三鳍柱的顶表面及外侧设有第三介质层，用于隔离第二鳍柱与第四鳍柱；本发明器件具有高续流能力
一种具有高续流能力氮化器件

[实用新型]具有多丛集式鳍片的散热器-CN201020185245.3无效
发明人：谢承翰 -专利权人：利民科技开发有限公司
申请日： 2010-04-16 - 公布日： 2011-01-05 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：本实用新型提供一种具有多丛集式鳍片的散热器，其包括复数鳍片组以及复数热管，其中各鳍片组包括复数间隔层迭的鳍片，各鳍片组的鳍片分别贯穿成型有一相对应设置的组装孔；而各热管穿设于一对应的鳍片组的鳍片的相对应的组装孔中，借以透过热管将一热源的热量传导至鳍片组与环境进行热交换，而达到散热的目的。各鳍片组供一热管进行热交换，且各热管与鳍片组所形成的丛集之间形成有空间，各热管无须与其他热管共用同一鳍片组，因此相对而言各热管具有提升的热传导效率，而使得本实用新型的具有多丛集式鳍片的散热器可达到良好的散热效果
具有丛集式鳍片散热器

[发明专利]鳍式场效应晶体管及其形成方法-CN201210406252.5有效
发明人：冯军宏;徐依协;甘正浩 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-10-22 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种鳍式场效应晶体管及其形成方法，所述形成方法包括：形成鳍部结构后，在所述鳍部结构顶部表面形成第一凹槽，所述第一凹槽侧壁的鳍部结构形成第一鳍部；在所述第一凹槽底部表面形成第二凹槽，所述第二凹槽侧壁的鳍部结构形成第二鳍部；将所述第一鳍部、第二鳍部的顶角变成圆弧形。由于所述鳍部结构的顶部表面被刻蚀形成若干个第一鳍部和第二鳍部，使得最终形成的鳍部结构的表面积远远大于现有的剖面形状为矩形的鳍部的表面积，有利于提高鳍式场效应晶体管的沟道区面积，从而有利于提高驱动电流。且所述第一鳍部、第二鳍部的顶角变成圆弧形，能有效地避免部分沟道区的电流过大导致器件过热。
场效应晶体管及其形成方法

[发明专利]用改进的垂直鳍片几何形状制作垂直场效应晶体管器件-CN201880013170.X有效
发明人： B·A·安德森;E·诺瓦克 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2018-02-06 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种垂直传输鳍式场效应晶体管(VTFET)，其在鳍片的顶部具有比在所述鳍片的基部处更小的横截面积，所述垂直传输鳍式场效应晶体管包括：基板(110)；在所述基板(110)上的垂直鳍片(111)，其中所述垂直鳍片(111)在所述垂直鳍片(111)的基部(112)具有横截面积，所述横截面积大于所述垂直鳍片(111)的顶部(113)的横截面积，其中所述垂直鳍片(111)的顶部(113)的横截面积在所述垂直鳍片(111)的基部(112)的横截面积的约10％至约75％的范围内；以及在所述垂直鳍片(111)的所述基部(112)和所述顶部(113)之间的中央栅控区。
改进垂直几何形状制作场效应晶体管器件

[发明专利]鳍式场效晶体管装置结构-CN201810575190.8在审
发明人：蔡俊雄;沙哈吉·B·摩尔;彭成毅;林佑明;游国丰;方子韦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-06-05 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种鳍式场效晶体管装置结构及其形成方法被提供。此鳍式场效晶体管装置结构包括延伸于基板之上的鳍片结构，以及形成于此鳍片结构的中间部分之上的栅极结构。此鳍片结构的中间部分被上述栅极结构所包覆。此鳍式场效晶体管装置结构包括相邻于上述栅极结构的源极/漏极结构，且此源极/漏极结构包括位于源极/漏极结构的外部分的掺杂区域，且此掺杂区域包括镓。此鳍式场效晶体管装置结构包括形成于上述源极/漏极结构的掺杂区域上的金属硅化物层，且此金属硅化物层直接接触上述源极/漏极结构的掺杂区域。
鳍式场效晶体管源极/漏极装置结构掺杂区域栅极结构鳍片结构金属硅化物层包覆基板延伸

[发明专利]半导体结构的制作方法-CN201510916709.0有效
发明人：韩秋华;潘亚武;吴端毅 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2015-12-10 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种半导体结构的制作方法，包括：提供绝缘体上硅衬底，所述绝缘体上硅衬底包括PMOS区域和NMOS区域；在所述PMOS区域上形成第一鳍部，所述第一鳍部顶部被第一硬掩膜块覆盖，侧面暴露；在所述NMOS区域上形成第二鳍部，所述第二鳍部顶部和侧面都暴露；采用退火工艺对所述第一鳍部和所述第二鳍部进行退火处理。所述半导体结构的制作方法提高PMOS鳍式场效应管和NMOS鳍式场效应管的电流匹配性能。
半导体结构制作方法

[发明专利]与电阻式存储器结构组合的垂直传输鳍式场效应晶体管-CN202080007813.7在审
发明人：李忠贤;安藤崇志;A·雷茨尼采克;张婧芸;P·哈什米 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2020-01-28 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：提供了一种电阻式存储器结构。该电阻式存储器结构包括衬底上的垂直鳍部，其中，垂直鳍部的侧壁各自具有{100}晶面。该电阻式存储器结构还包括垂直鳍部上的鳍部模板、以及垂直鳍部上的栅极结构。该电阻式存储器结构还包括在垂直鳍部的相对侧壁上的顶部源极/漏极，以及在顶部源极/漏极上的底部电极层，其中，底部电极层在鳍部模板的相对侧上。该电阻式存储器结构还包括在底部电极层的一部分上的第一中间电阻层、在第一中间电阻层上的顶部电极层及在底部电极层的一部分上的第一电触点。
电阻存储器结构组合垂直传输场效应晶体管

[发明专利]鳍式场效应晶体管及其形成方法-CN201410077191.1有效
发明人：肖德元 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-03-04 - 公布日： 2018-08-10 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种鳍式场效应晶体管及其形成方法，所述鳍式场效应晶体管的形成方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底内形成若干凹槽；在所述半导体衬底表面形成缓冲层，所述缓冲层填充满凹槽并覆盖半导体衬底表面；刻蚀部分厚度的缓冲层，形成鳍部；在鳍部周围的缓冲层上形成绝缘层，所述绝缘层的表面低于鳍部的顶部表面；在鳍部表面形成沟道层；在部分绝缘层表面和部分沟道层表面形成横跨鳍部的栅极结构；在栅极结构两侧的沟道层内形成源漏区。上述方法可以提高形成的鳍式场效应晶体管的性能。
场效应晶体管及其形成方法

[发明专利]鳍式场效应晶体管及其形成方法-CN201410554566.9有效
发明人：张海洋 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2014-10-17 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种鳍式场效应晶体管及其形成方法，所述鳍式场效应晶体管的形成方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成鳍部；在所述鳍部和半导体衬底表面形成含碳半导体层；在所述含碳半导体层表面形成石墨烯层；对所述石墨烯层进行表面修复处理，消除所述石墨烯层的缺陷；在部分所述石墨烯层上形成隔离层，所述隔离层表面低于鳍部的顶部表面；在所述石墨烯层表面形成横跨所述鳍部的栅极结构，所述栅极结构覆盖位于鳍部顶部及侧壁上的部分石墨烯层。所述方法可以提高鳍式场效应晶体管的性能。
场效应晶体管及其形成方法

[实用新型]外挂式可拆卸船用升降鳍板装置-CN201420747777.X有效
发明人：朱洪波;周宏斌 -专利权人：上海富勋实业有限公司
申请日： 2014-12-03 - 公布日： 2015-07-15 - 主分类号： B63B39/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种外挂式可拆卸船用升降鳍板装置，包括鳍板，其特征在于所述鳍板内侧设置有鳍板导轨，船体上放置有移动式底座，所述移动式底座上设置有鳍板架，所述鳍板架上设置有与鳍板相配合的上部导轨，船体舷侧设置有与鳍板相配合的下部导轨
外挂式可拆卸升降装置

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