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[发明专利]穿硅通孔桥接互连件-CN200980124405.3有效
发明人：阿尔温德·钱德拉舍卡兰 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2009-06-24 - 公布日： 2011-05-25 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：所述桥接裸片包括穿硅通孔(TSV)以将所述桥接裸片上的导电互连线连接到所述第一裸片及所述第二裸片。可在所述桥接裸片上提供有源电路，而非互连线。
穿硅通孔桥接互连

[发明专利]穿硅通孔的铜金属填充-CN200880109795.2有效
发明人：托马斯·B·理查德森;张云;王晨;文森特·潘卡索;王材;林璇;理查德·赫特拜斯;约瑟夫·A·阿贝斯 -专利权人：恩索恩公司
申请日： 2008-08-04 - 公布日： 2010-10-06 - 主分类号： H01L21/44 文献下载
摘要：一种对半导体集成电路元件基材中的穿硅通孔进行金属填充的方法，该方法包括将所述半导体集成电路元件之基材浸渍于一种电解铜沉积组合物中，该组合物包含一种铜离子源，一种有机磺酸或无机酸，或者一种或多种选自于极化剂及
穿硅通孔金属填充

[发明专利]硅通孔光刻对准与配准-CN201180005787.5有效
发明人： R·T·赫林;P·J·林德格伦;E·J·斯普罗吉斯;A·K·斯塔珀 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2011-01-12 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种制造集成电路结构的方法，在衬底（100；图1）内形成第一开口，并且用保护衬里加衬所述第一开口（102）。该方法将材料沉积到所述第一开口中（104），并且在所述衬底之上形成保护材料。所述保护材料包括工艺控制标记，并包括位于所述第一开口之上并且与所述第一开口对准的第二开口（108）。所述方法通过所述保护材料内的所述第二开口，从所述第一开口去除所述材料（110）。所述工艺控制标记包括在所述保护材料内的凹陷，所述凹陷仅部分延伸通过所述保护材料，以便所述衬底在所述工艺控制标记之下的部分不受去除所述材料的工艺影响。
硅通孔光刻对准

[发明专利]一种晶圆硅通孔结构及其制备方法-CN201410232738.0有效
发明人：李宝霞 -专利权人：中国科学院微电子研究所;华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2014-05-29 - 公布日： 2014-11-12 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明属于微电子技术领域，公开了一种晶圆硅通孔结构，所述晶圆硅通孔结构包括：通孔、正面钝化层、通孔钝化层、背面钝化层以及通孔钝化层外围的空腔；所述通孔开设在所述晶圆的硅衬底上；所述通孔内侧壁上设置通孔钝化层；所述正面钝化层与所述背面钝化层设置在所述硅衬底正面和背面；所述正面钝化层以及所述背面钝化层分别与所述通孔钝化层衔接；所述硅衬底内，所述通孔钝化层外围设置空腔。本发明通过在晶圆硅衬底上的通孔外设置空腔，降低由于通孔金属与硅材料热膨胀系数差异大造成的热应力效应；同时大大削弱通孔周围的电场密度，从而降低通孔的高频损耗。
一种晶圆硅通孔结构及其制备方法

[发明专利]硅通孔种子层的制备方法及芯片的制备方法-CN202210522988.2在审
发明人：肖文贺;杨云春;陆原;李立伟 -专利权人：赛莱克斯微系统科技（北京）有限公司
申请日： 2022-05-13 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本申请公开一种硅通孔种子层的制备方法及芯片的制备方法，涉及芯片技术领域，能够提升种子层的薄膜在硅通孔侧壁上的覆盖率，进而提高后续的TSV填充的品质和效率。一种硅通孔种子层的制备方法，包括：在硅衬底上设置硅通孔；在所述硅衬底的表面以及所述硅通孔内设置种子层；其中，在所述硅衬底的表面以及所述硅通孔内设置种子层的过程中，调节承载所述硅衬底的基座的温度，以及调节所述硅衬底所在反应腔室的交流电场
硅通孔种子制备方法芯片

[发明专利]一种用于3D封装的散热互连形成方法-CN202111600066.0在审
发明人：徐成;孙鹏 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司;上海先方半导体有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于3D封装的散热互连形成方法，包括：提供第一有源硅晶圆，其具有正面和与正面相对的背面；在第一有源硅晶圆中形成具有第一孔径的第一硅通孔和具有第二孔径的第二硅通孔，其中第一孔径大于第二孔径；用金属填充第一硅通孔和第二硅通孔；在第一有源硅晶圆的正面形成第三介质层；形成电连接且热连接第一硅通孔和第二硅通孔的第一金属互连线；以及将第一有源硅晶圆和第二有源硅晶圆混合键合以形成第一键合对。
一种用于封装散热互连形成方法

[实用新型]硅通孔金属柱背面凸块结构-CN201420518588.5有效
发明人：丁万春 -专利权人：南通富士通微电子股份有限公司
申请日： 2014-09-10 - 公布日： 2015-03-18 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本实用新型提供一种硅通孔金属柱背面凸块结构，包括：硅基板、至少一个硅通孔金属柱和与所述硅通孔金属柱个数相同的金属凸块；所述硅通孔金属柱设置在所述硅基板中，并延伸出所述硅基板背面与所述硅基板背面相距第一预设距离；每个所述金属凸块对应的环包设置在延伸出所述硅基板背面的各所述硅通孔金属柱表面。该方案在硅通孔金属柱本体上，将伸出硅基板背面的部分外围形成可焊接用的金属凸块，这种结构在外界压力下凸块不易变形，产品性能稳定。
硅通孔金属背面结构

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN201310335580.5在审
发明人：李广宁;沈哲敏 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-08-02 - 公布日： 2015-02-11 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成硅通孔；在所述硅通孔中依次形成第一应力吸收层和铜导电层，其中，位于所述硅通孔底部的铜导电层的顶部低于所述硅通孔的顶部，以部分填充所述硅通孔；形成第二应力吸收层，覆盖所述铜导电层的同时完全填充所述硅通孔；执行化学机械研磨直至露出硅通孔的顶部。根据本发明，在硅通孔中形成上述双层应力吸收层，可以明显减小衬垫层、阻挡层和铜导电层之间界面处的内部应力，避免分层现象的出现。
一种半导体器件及其制造方法

[发明专利]基于硅通孔的MEMS传感器集成装置及其制造方法-CN202210474084.7在审
发明人：王琛;张思勉;武逸飞;邓晓楠;柯声贤 -专利权人：清华大学
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本公开涉及一种基于硅通孔的MEMS传感器集成装置及其制造方法。装置包括：垂直堆叠的多个传感器和传感器之间的互连层，各传感器包括传感器主体和承载传感器主体且设置有多个硅通孔的基体；传感器主体的测试电极位于基体的上方并连接到对应的各硅通孔、敏感材料层覆盖在测试电极上；各互连层的敏感层孔用于容纳下方传感器的敏感材料层；各互连层的多个线通孔中分别设置的互连线的两端分别连接到下方传感器的测试电极和上方传感器的硅通孔，各传感器中的各硅通孔分别属于不同的硅通孔组，各硅通孔组中的硅通孔通过互连线串联，至少一个硅通孔组中的各硅通孔的对称轴重合。
基于硅通孔 mems 传感器集成装置及其制造方法

[发明专利]硅通孔上方的后零通孔层禁入区域减少BEOL泵效应-CN201710755737.8有效
发明人：马克塔·G·法罗;J·M·萨夫兰 -专利权人：格芯(美国)集成电路科技有限公司
申请日： 2017-08-29 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：本发明涉及硅通孔上方的后零通孔层禁入区域减少BEOL泵效应，其提供一种IC结构及其相关方法。该IC结构包括：一半导体衬底以及设于该半导体衬底内的一硅通孔。一第一互连层包含设于该硅通孔上的多个V0通孔，其中该多个V0通孔横向设于该硅通孔的一上表面区域内。设于该第一互连层上方的至少一第二互连层包括多个横向位于该硅通孔上方的一禁入区域的外侧的多个通孔。该方法包括形成包含设于一硅通孔上的多个V0通孔的一第一互连层，该V0通孔横向设于该硅通孔的一上表面区域内，以及形成设于该第一互连层上方并包含横向位于该硅通孔上方的一禁入区域的外侧的多个通孔的至少一第二互连层
硅通孔上方后零通孔层禁入区域减少 beol 效应

[实用新型]一种新型的芯片背面硅通孔结构-CN201220521673.8有效
发明人：陈栋;张黎;胡正勋;陈锦辉;赖志明 -专利权人：江阴长电先进封装有限公司
申请日： 2012-10-12 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本实用新型涉及芯片背面硅通孔的结构，属于半导体芯片封装技术领域。本实用新型一种新型的芯片背面硅通孔结构，它包括芯片本体（1）和设置在芯片本体（1）正面的芯片电极（2），所述芯片本体（1）的背面设置硅通孔（101），所述硅通孔（101）为外大内小的喇叭形，硅通孔（101本实用新型提供了具有喇叭形硅通孔的新型的芯片背面硅通孔结构，该结构的孔壁光滑度好和工艺兼容性好。
一种新型芯片背面硅通孔结构

[实用新型]具有硅通孔结构的半导体器件-CN201220604325.7有效
发明人：孙蓉;张国平;赵松方 -专利权人：中国科学院深圳先进技术研究院
申请日： 2012-11-15 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种具有硅通孔结构的半导体器件，包括：硅衬底，开设有自硅衬底上表面穿入内部的硅通孔；绝缘层，覆盖于所述硅衬底上表面、硅通孔的侧壁及硅通孔的底面；所述硅通孔的顶端与硅衬底上表面交界的拐角处覆盖的绝缘层厚度，大于所述拐角旁的硅衬底上表面覆盖的绝缘层及硅通孔的侧壁覆盖的绝缘层厚度。本实用新型在硅通孔的顶端与硅衬底上表面交界的拐角处覆盖的绝缘层较厚，保证了此处绝缘层的保型覆盖性，且因为厚度足够，不会因器件使用中的热应力导致绝缘层开裂，因此增强了器件的可靠性，提高了产品的良率。
具有硅通孔结构半导体器件

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN201310335582.4在审
发明人：李广宁;沈哲敏 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-08-02 - 公布日： 2015-02-11 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成硅通孔；在所述硅通孔的侧壁和底部形成铜导电层，以部分填充所述硅通孔；在所述硅通孔中形成应力吸收层，所述应力吸收层嵌入所述铜导电层中且顶部平整并低于所述硅通孔的顶部；在所述应力吸收层的顶部形成铜帽层，以完全填充所述硅通孔；执行化学机械研磨直至露出硅通孔的顶部。根据本发明，在硅通孔中填充应力吸收层，可以明显减小衬垫层、阻挡层、铜种子层和铜导电层之间界面处的内部应力，避免分层现象的出现。
一种半导体器件及其制造方法

[发明专利]硅转接板结构及其圆片级制作方法-CN201310492853.7有效
发明人：叶交托;陈骁;朱春生;徐高卫;罗乐 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2013-10-18 - 公布日： 2014-01-08 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种硅转接板结构及其圆片级制作方法，该方法至少包括以下步骤：S1：提供一硅圆片，采用湿法腐蚀在所述硅圆片正面及背面形成上下分布的至少一对凹槽；一对凹槽共用凹槽底部；S2：采用湿法腐蚀在所述凹槽底部中形成至少一个硅通孔；所述硅通孔由上下对称的上通孔及下通孔连接而成；所述上通孔及下通孔具有倾斜侧壁；S3：在所述硅通孔的侧壁表面形成通孔介质层；S4：在所述通孔介质层表面形成通孔金属层；S5：最后划片形成独立的硅转接板。本发明的硅转接板中，硅通孔具有倾斜侧壁，可以形成一孔多线结构，提高互连线密度；凹槽结构有利于实现更高密度的系统集成；本发明的制作方法还具有工艺难度低、适合于工业化生产的优点。
转接板结及其圆片级制作方法

[发明专利]具有通孔焊盘嵌件的硅通孔(TSV )半导体器件-CN201310175220.3在审
发明人：黄善宽;朴炳律;郑显秀;千镇豪;崔吉铉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-05-13 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括在衬底的表面上的绝缘层、垂直通过衬底和绝缘层且暴露于绝缘层上的通孔结构、以及在暴露的通孔结构的表面上的通孔焊盘。通孔焊盘包括通孔焊盘本体、在通孔焊盘本体下面且突出到绝缘层中并围绕通孔结构的通孔焊盘嵌件。通孔焊盘本体和通孔焊盘嵌件包括直接在绝缘层上的通孔焊盘阻挡层和在通孔焊盘阻挡层上的通孔焊盘金属层。
具有通孔焊盘嵌件硅通孔 tsv 半导体器件