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[发明专利]一种钛合金激光选区熔化演变的数值模拟方法及装置-CN202310935320.5在审
发明人：董洁;王勇锦;王勇根;李宝霞;米刚;余杰;杨美娟 -专利权人：宝鸡拓普达钛业有限公司
申请日： 2023-07-27 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G16C60/00 文献下载
摘要：本发明涉及激光技术领域，揭露了一种钛合金激光选区熔化演变的数值模拟方法及装置，包括：获取熔化模具，其中熔化模的表面有3组平行的长凹槽，将钛合金粉末依次撒入至3组平行的长凹槽后，启动激光器以固定功率发射激光束，并依次照射3组长凹槽内的钛合金粉末，直至钛合金粉末融化后停止激光束的照射，并等待融化后的钛合金粉末凝固，得到3组凝固钛合金，依次测定每组凝固钛合金的表面热量，并根据表面热量构建每组凝固钛合金的热量分布函数，根据每组凝固钛合金的热量分布函数，计算3组凝固钛合金之间的热量差异值，根据热量差异值判断钛合金粉末的质量。本发明可以减少对经历过激光选区熔化的钛合金质量的判断误差。
一种钛合金激光选区熔化演变数值模拟方法装置

[发明专利]钛合金加工刀具的磨损模型构建方法及装置-CN202310935612.9在审
发明人：董洁;王勇锦;王勇根;李宝霞;米刚;余杰;杨美娟 -专利权人：宝鸡拓普达钛业有限公司
申请日： 2023-07-27 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G06F30/27 文献下载
摘要：本发明涉及人工智能技术，揭露了一种钛合金加工刀具的磨损模型构建方法，包括：获取钛合金加工刀具的历史数据，利用历史数据确定刀具的磨损类型，根据磨损类型和预设的磨损总值算法构建刀具的初始磨损模型，根据所述历史数据确定初始磨损模型的仿真参数；利用仿真参数和初始磨损模型生成刀具的仿真磨损值；根据磨损仿真值和历史数据中的历史磨损值对初始磨损模型进行误差分析，得到初始磨损模型的误差结果；利用误差结果对初始磨损模型进行超参数调整，得到钛合金加工刀具的磨损模型。本发明还提出一种钛合金加工刀具的磨损模型构建装置。本发明可以提高钛合金加工刀具的磨损模型构建的准确性。
钛合金加工刀具磨损模型构建方法装置

[发明专利]一种钛合金微坑形貌的数值模拟方法及装置-CN202310934456.4在审
发明人：董洁;王勇锦;王勇根;李宝霞;米刚;余杰;杨美娟 -专利权人：宝鸡拓普达钛业有限公司
申请日： 2023-07-27 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G16C60/00 文献下载
摘要：本发明涉及激光技术领域，揭露了一种基于激光烧灼的钛合金微坑形貌的数值模拟方法及装置，包括：接收钛合金微坑形貌的数值模拟指令，根据所述数值模拟指令选取用于模拟的多组钛合金，在每组钛合金的表面等距离选择出多组激光点，选择与每组钛合金对应的激光器，并设定激光器的输出波长、输出功率后启动激光器对准每组激光点垂直发出多次激光光束，得到多组微坑点，计算每个微坑点的激光能量，根据激光能量计算微坑点所在表面的热流分布函数，根据热流分布函数计算出热流差，根据热流差判断钛合金的合成质量，完成数值模拟指令的响应。本发明可以减少基于观测法测量钛合金微坑从而实现钛合金质量判断的误差。
一种钛合金形貌数值模拟方法装置

[发明专利]基于激光冲击强化的钛合金力学性能提升方法及装置-CN202310935094.0在审
发明人：董洁;王勇锦;王勇根;李宝霞;米刚;余杰;杨美娟 -专利权人：宝鸡拓普达钛业有限公司
申请日： 2023-07-27 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G16C60/00 文献下载
摘要：本发明涉及人工智能技术，揭露了一种基于激光冲击强化的钛合金力学性能提升方法，包括：生成钛合金的主题数据；根据主题数据的主题生成激光冲击强化钛合金的实验数据，根据实验数据生成所述激光冲击强化钛合金的力学参数和标准曲线，按照预设的区间阈值对所述标准曲线进行区域选取，得到所述标准曲线的区域曲线；利用预设的插值算法对所述区域曲线进行样本细化，得到所述区域曲线的细化变量；利用细化变量生成所述激光冲击强化钛合金的最佳性能提升参数。本发明还提出一种基于激光冲击强化的钛合金力学性能提升装置。本发明可以基于激光冲击强化提升钛合金的力学性能。
基于激光冲击强化钛合金力学性能提升方法装置

[发明专利]一种等离子体光谱识别方法、装置、电子设备及存储介质-CN202210286576.3在审
发明人：黄峰;史冠男;李宝霞;郭俊伟;唐小江 -专利权人：中国农业大学
申请日： 2022-03-22 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G06V10/764 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体光谱识别方法、装置、电子设备及存储介质，包括：将待识别等离子体光谱信息输入到训练好的LGBM光谱识别模型，得到所述待识别等离子体光谱信息对应的目标分类光谱参数，以根据所述目标分类光谱参数，对所述待识别等离子体光谱信息进行光谱波长特征分析；其中，所述训练好的LGBM光谱识别模型是根据携带有真实光谱参数标签的等离子体光谱信息样本进行训练得到的。本发明的方法，通过采用机器学习LGBM算法自动学习等离子体光谱波长特征之间隐含的物理信息，实现对等离子体光谱的精准识别与分类，操作方便，可以极大地降低等离子体光谱诊断的技术成本。
一种等离子体光谱识别方法装置电子设备存储介质

[发明专利]一种提高工程机械协同作业效率的方法和系统-CN202211488797.5有效
发明人：罗映;袁亮;徐楠;高文敬;于海亮;李宜;李宝霞;张学强;祝成东;王成涛;尹彬 -专利权人：山重建机有限公司
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G06Q10/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高工程机械协同作业效率的方法和系统，包括以下步骤，运输车辆进入停车场停车等待，并进行登记，运输车辆通过数据采集装置进行等待时间数据采集，运输车辆通过通讯模块与装载车辆建立连接，进行通信，等待结束后，运输车辆通过通讯模块将本次等待时间发送到装载车辆中，并进场装载，装载车辆根据接收到的车辆等待时间更新等待数据，并计算平均等待时，等待时间平均值判断当前车辆是否存在等待过长、超时现象，装载车辆将调整后的等待时间下发到各个运输车辆，本发明实现了协调各工程机械，使得协同作业效率更加均衡，保证各运输车辆的运输效率的功能。
一种提高工程机械协同作业效率方法系统

[发明专利]一种带弹性导电微凸点的互连基板和基于其的KGD插座-CN202011053228.9有效
发明人： 李宝霞 -专利权人：珠海天成先进半导体科技有限公司
申请日： 2020-09-29 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G01R1/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种带弹性导电微凸点的互连基板和基于其的KGD插座，属于先进电子封装技术领域。本发明通过在带弹性导电微凸点的互连基板中构建三维金属电互连的电通路结构、以及导电弹性微凸点和第一弹性微凸点之间的共面结构，实现了基于其的KGD插座中，能够配合采用芯片倒装技术实现被测芯片在KGD插座内的高精度定位放置，能够达到芯片凸点或芯片焊盘与带弹性微凸点的互连基板上的导电弹性微凸点实现高效且高密度的电互连作用；同时，避免了后续与芯片倒装的配合使用受力中在芯片凸点留下划痕，也避免了芯片的相对移动或脱落，解决了目前KGD插座在弹簧针阵列的密度、精度、共面性、数量上都不能满足超大规模集成电路裸芯片测试需求的技术难题。
一种弹性导电微凸点互连基于 kgd 插座

[发明专利]一种晶圆级键合工艺监控结构、方法及制备方法-CN202110222528.3有效
发明人：霍瑞霞;吴道伟;刘万胜;李宝霞 -专利权人：珠海天成先进半导体科技有限公司
申请日： 2021-02-26 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆级键合工艺监控结构、方法及制备方法，将上下键合面设计为带有串联电路，其中上键合面同时带有可供电流导通的电极Pad，形成了可供测试键合后是否形成完好键合界面的导通路线，且这种设计分布于整张晶圆的每颗晶粒Die，通过光刻的方式实现图形的转移，使用万用表等量测设备测试串联凸点两端电阻，通过电流电阻计算公式，计算得接触电阻，通过监控接触电阻，来有效及时的监控键合工艺，确保了键合效果的及时反馈，降低因键合不良而未及时识别造成人、机、料、法等各方面的损失。
一种晶圆级键合工艺监控结构方法制备

[发明专利]一种具有锥端部的纤维布带的缠绕芯棒-CN202310463857.6在审
发明人： 李宝霞;董洁;王勇锦;余洁;米刚 -专利权人：宝鸡拓普达钛业有限公司
申请日： 2023-04-26 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： B65H75/22 文献下载
摘要：本申请公开了一种具有锥端部的纤维布带的缠绕芯棒，其沿周向分割为多个分体结构，并与驱动轴连接后成型整体结构。缠绕芯棒具体分割为两端的锥体部和中间的直体部，锥体部和直体部均沿周向间距分割为多个单体，驱动轴与每个单体均为螺纹配合结构。本申请公开的缠绕布袋的结构，通过定型环和驱动轴定型成规则的缠绕芯棒，在该定型状态下可进行纤维布带的缠绕操作，当纤维布带胶干后，拆卸驱动及拉动驱动环，即可逐次将缠绕芯棒的多个单体从缠绕布袋中顺利取出，解决目前对该结构的纤维布带缠绕所采用的木质芯棒或薄筒芯棒难于顺利从纤维布带中取出，以及极易造成纤维布带裂缝或破裂的问题，实现该结构纤维布带的顺利成型。
一种具有锥端部纤维布带缠绕

[发明专利]一种双面基板的电通断测试方法-CN202011376754.9有效
发明人： 李宝霞 -专利权人：珠海天成先进半导体科技有限公司
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种双面基板的电通断测试方法，包括步骤1，在双面基板制备过程中，正面电镀种子层不进行刻蚀，保留正面电镀种子层；步骤2，在保留正面电镀种子层的双面基板上完成双面基板的背面工艺过程，对背面电镀种子层进行刻蚀，然后对双面基板的背面凸点进行第一次单面探针测试，测量两两背面凸点间电通断连接关系；步骤3：刻蚀正面凸点以外区域的正面电镀种子层，对双面基板的正面凸点进行第二次单面探针测试，测量两两正面凸点间电通断连接关系；步骤4：结合步骤2第一次单面探针测试结果和步骤3第二次单面探针测试结果，得到双面基板的正反表面凸点间电连接测试结果。解决硅转接基板晶圆的电通断测试问题，适于自动化量产测试。
一种双面电通断测试方法

[发明专利]一种带TSV通孔的芯片结构和制备方法-CN202011380947.1有效
发明人： 李宝霞;刘建军;赵鸿 -专利权人：珠海天成先进半导体科技有限公司
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种带TSV通孔的芯片结构和制备方法，结构包括密闭环、芯片内部电路、缓冲区和TSV通孔；芯片内部电路设置在芯片表面上，密闭环环绕芯片内部电路设置在芯片表面上，缓冲区设置在密闭环和芯片内部电路之间；TSV通孔设置在缓冲区上。方法包括以下过程，在芯片上表面沉积SiO2层；在密闭环和芯片内部电路之间的缓冲区上进行TSV导电盲孔的嵌入；在芯片上制备正面金属布线层；在正面金属布线层上制备正面微凸点；将芯片正面与载片临时键合在一起；将芯片背面硅衬底进行减薄，露出TSV盲孔，对TSV盲孔底部进行包裹；抛光露出TSV导电盲孔形成TSV孔；进行解键合去除载片，切割划片形成带TSV通孔的芯片，在芯片上实现垂直TSV导电通道。
一种 tsv 芯片结构制备方法

[发明专利]一种微模组封装引出结构及制备方法-CN202310342926.8在审
发明人： 李宝霞;陈新鹏;南旭惊;张雨婷;葛一铭;刘鹏飞;朱凯 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明涉及电子封装技术领域，尤其涉及一种微模组封装引出结构及制备方法，引出结构包括凸点下金属触垫、柔性焊柱和凸点焊球，凸点下金属触垫与微模组的金属再布线层连接；柔性焊柱包括金属细柱簇和金属焊盘，凸点焊球焊接在金属焊盘上；金属细柱簇包括若干金属细柱，金属细柱的一端与金属焊盘连接，另一端与凸点下金属触垫连接；相邻金属细柱的间隙内填充有细柱保护层。本发明能有效缓解微模组和电路板直接装焊结构的热应力失配，使得微模组可以直接安装焊接在电路板上，不再需要通过塑封基板或陶封基板来做中间的电转接和应力缓冲，从而降低微模组器件的体积、重量和成本，更好的满足电子系统小型化需求。
一种模组封装引出结构制备方法

[发明专利]硅转接板的互连测试夹具及互连测试方法-CN202011187409.0有效
发明人：潘鹏辉;吴道伟;李宝霞;刘建军 -专利权人：珠海天成先进半导体科技有限公司
申请日： 2020-10-29 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G01R1/04 文献下载
摘要：本发明属于先进电子封装技术领域，公开了一种硅转接板的互连测试夹具及互连测试方法，测试夹具包括夹具本体和若干硅胶垫，夹具本体上开设通孔及真空接头，通孔内壁上设置晶圆放置环，晶圆放置环上设置若干腔体，腔体上开设真空吸附沟槽和若干安装孔；硅胶垫上设置若干真空孔和若干凸起，若干凸起分别与若干安装孔连接，若干真空孔均与真空吸附沟槽连通。测试方法包括获取待测硅转接板上的测试资料；根据待测硅转接板上的测试资料，设定硅转接板摆放位置并将待测硅转接板装载在互连测试夹具上；生成各测点网络的开路测试方案及短路测试方案进行测试。有效规避裂片风险，采用直接测试，保证了轻、可靠接触，不会造成产品损伤又不影响后工艺加工。
转接互连测试夹具方法

[发明专利]一种TSV导电通孔结构制备方法-CN202110662046.X有效
发明人： 李宝霞;刘建军;赵鸿 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2021-06-15 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种TSV导电通孔结构制备方法，通过在TSV孔制备晶圆上设置比目标TSV直径大的TSV孔作为套刻标记，利用Bosch工艺过程中对大孔径TSV孔具有更高的刻蚀速度和更深刻蚀效果的特性，保证在完成晶圆上目标TSV孔单面刻蚀目标深度的同时，套刻TSV孔的刻蚀深度不小于晶圆上目标TSV正反面刻蚀目标深度，从而能够在完成晶圆背面减薄后露出套刻TSV孔，在背面以露出的套刻TSV孔作为光刻对版标记，保证晶圆正反面目标TSV孔的套刻精度，能够实现更高深宽比的TSV导电通孔的制备。通过在TSV孔制备晶圆上，设计更大尺寸的TSV孔，作为目标TSV孔的套刻图形，不受限于基板材料与TSV孔尺寸的限制，能够实现不同孔径、高深宽比TSV孔的制备。
一种 tsv 导电结构制备方法

[发明专利]一种地质勘查取样用破碎锤-CN202111321008.4有效
发明人：刘文心;冯园园;江睿;王铮;郑德超;宋波;张力;李宝霞;于嘉宾 -专利权人：刘文心
申请日： 2021-11-09 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： G01N1/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种地质勘查取样用破碎锤，属于地质勘查技术领域，本发明可以通过对钎杆进行实时的偏移检测，一旦出现钎杆偏移一定距离后，便会与预设的触发球进行接触，由于钎杆的震动工作特性，与触发球之间形成反复的高速摩擦，从而生成大量的热量，在传递至中空预警球后，促使中热胀膜受热膨胀，然后推动预警柱穿过遮挡束的阻挡与内预警半球相接触，技术人员可以通过外透明环及时观察到标记情况，从而发现钎杆的偏移情况，同时对偏移方位具有一定的定位作用，可以及时采取维修措施来保护取样工作以及破碎锤本身，提高破碎锤的使用安全性以及其使用寿命。
一种地质勘查取样破碎

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