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[发明专利]MEMS器件-CN202310391403.2在审
发明人： H-J·蒂姆;S·巴曾;M·富尔德纳;S·盖勒;M·F·赫曼;M·基里亚克;A·C·奥纳兰;K·特卡丘克;A·沃瑟 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2023-04-13 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及MEMS器件。MEMS器件包括以竖直间隔配置的第一可偏转膜结构、刚性电极结构和第二可偏转膜结构，其中刚性电极结构被布置在第一和第二可偏转膜结构之间，并且其中第一和第二可偏转膜结构各自包括可偏转部分，并且其中第一和第二可偏转膜结构的可偏转部分借助机械连接元件彼此机械耦合，并且与刚性电极结构机械解耦；以及其中机械连接元件的至少一个子集是细长机械连接元件，其中细长机械连接元件具有横向截面区域，横向截面区域沿着如下方向具有横向伸长尺寸：该方向与第一和第二可偏转膜结构在相应细长机械连接元件的横向位置处的局部膜偏转梯度在+/‑20°公差范围内垂直。
mems 器件

[发明专利]一种MEMS器件及其加工方法-CN202010368582.4有效
发明人：邹波;陈义洋 -专利权人：深迪半导体（绍兴）有限公司
申请日： 2020-05-01 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种MEMS器件及其加工方法，包括可动组件，所述可动组件的表面依次设置有电介质层和疏水层。所述MEMS器件的加工方法，包括：形成可动结构层，所述可动结构层包括可动组件；沉积电介质层；沉积疏水层。
一种 mems 器件及其加工方法

[发明专利]具有电磁屏蔽功能的MEMS装置及其制作方法-CN202310873477.X在审
发明人：雷永庆;谢国伟 -专利权人：麦斯塔微电子（深圳）有限公司
申请日： 2023-07-17 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本发明提供一种具有电磁屏蔽功能的MEMS装置及其制作方法，通过于器件层设置可动柔性部件，使所述支撑衬底通过所述可动柔性部件面外耦接盖板晶圆以对支撑衬底的浮空电位进行释放，抑制衬底电位浮动对器件层工作的电磁干扰，提升了微机电系统在复杂电磁环境中稳定运行的能力。本发明的制作方法包括，将盖板晶圆带有图形化金属层的一面与器件层进行对准键合以于所述盖板晶圆与所述MEMS器件之间界定出气密性腔体，同时使支撑衬底通过所述可动柔性部件面外耦接所述盖板晶圆以对衬底的浮空电位进行释放，易于工艺实现。
具有电磁屏蔽功能 mems 装置及其制作方法

[发明专利]一种芯片模组、流量传感器封装结构及其制备方法-CN202210365106.6在审
发明人：李景明;马硕 -专利权人：苏州原位芯片科技有限责任公司
申请日： 2022-04-07 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本发明提供一种芯片模组，其特征在于，包括：基板；凹槽，所述凹槽位于所述基板的上表面；芯片，所述芯片设置于所述凹槽内，且与所述凹槽通过第一胶体粘接；其中，所述第一胶体包括生物相容性材料。本发明通过采用具有生物相容性的第一胶体将芯片与凹槽底部实现粘结，具有生物相容性的第一胶体能够与生物或医疗液体试剂相容，减少不必要的生物或化学反应，从而能够保证流量传感器的测量准确度和稳定性。
一种芯片模组流量传感器封装结构及其制备方法

[发明专利]一种传感器封装结构及其形成方法-CN202210365162.X在审
发明人：李景明;马硕 -专利权人：苏州原位芯片科技有限责任公司
申请日： 2022-04-07 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种传感器封装结构，包括：传感器组件，所述传感器组件包括基板、位于所述基板上的凹槽以及设置于所述凹槽内的芯片，所述芯片与所述基板通过键合件电连接；位于所述基板设有芯片一侧上方的流道外壳；所述流道外壳包括主流道外壳和位于所述主流道外壳两侧的第一流道外壳及第二流道外壳，所述主流道外壳与所述基板形成密闭空腔作为主流道，所述第一流道外壳内部形成有第一流道，所述第一流道用于将待测液体导入所述主流道，所述第二流道外壳内部形成有第二流道，所述第二流道用于将待测液体导出所述主流道；其中，所述主流道外壳上形成有窗口，所述窗口用于在将所述主流道外壳固定至所述基板形成密闭空腔时露出所述键合件。
一种传感器封装结构及其形成方法

[发明专利]MEMS三轴AMR磁力传感器及其制造方法-CN202110191336.0有效
发明人：王俊杰 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2021-02-20 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种MEMS三轴AMR磁力传感器，Z轴AMR磁力传感器形成在沟槽的侧面上，Z轴AMR磁力传感器的第一侧长度边缘位于沟槽的顶部并延伸到沟槽外的第一介质层的表面，Z轴AMR磁力传感器的第二侧长度边缘位于沟槽的底部表面上；Z轴电极的第一侧宽度边缘位于沟槽的顶部并延伸到Z轴AMR磁力传感器的第一侧长度边缘外的第一介质层的表面，Z轴电极的第二侧宽度边缘位于沟槽的底部的Z轴AMR磁力传感器上且位于Z轴AMR磁力传感器的第二侧长度边缘的内侧。本发明还公开了一种MEMS三轴AMR磁力传感器的制造方法。本发明能防止Z轴电极的刻蚀工艺在沟槽的底部形成微沟槽并同时能提高工艺窗口，能防止形成弱点区域并防止由于弱点区域而使器件失效，能提高产品良率。
mems amr 磁力传感器及其制造方法

[实用新型]MEMS封装结构-CN202320866924.4有效
发明人：邓登峰;汪建平;胡铁刚 -专利权人：杭州士兰微电子股份有限公司
申请日： 2023-04-14 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种MEMS封装结构，包括：MEMS传感器单元，MEMS传感器单元具有质量块检测电极、正电容检测电极和负电容检测电极；ASIC单元，ASIC单元具有质量块检测电极、正电容检测电极和负电容检测电极，ASIC单元的各电极与MEMS传感器单元的各电极相对应；第一键合线，用于连接MEMS传感器单元的质量块检测电极和ASIC单元的质量块检测电极；第二键合线，用于连接MEMS传感器单元的正电容检测电极和ASIC单元的正电容检测电极；第三键合线，用于连接MEMS传感器单元的负电容检测电极和ASIC单元的负电容检测电极；其中，第二键合线和第三键合线关于第一键合线轴对称。该MEMS封装结构通过采用对称设计的键合线，可以有效减小内部的寄生电容差异，增强了MEMS封装结构的稳定性和可靠性。
mems 封装结构

[实用新型]一种防水气压传感器及阵列封装结构-CN202321332538.3有效
发明人：唐行明;叶兰兰 -专利权人：苏州敏芯微电子技术股份有限公司
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本申请提供了一种防水气压传感器及阵列封装结构，防水气压传感器包括：基板，其设有静电泄放部；围坝，设于基板上；围坝和基板之间设有容置空间；基板包括面向容置空间的内壁；IC芯片，设于基板的内壁上；MEMS传感芯片，设于IC芯片的远离基板的一侧；其中，围坝贯穿设有围坝导电层，静电泄放部和围坝导电层电连接。本申请防水气压传感器的抗ESD干扰效果好，整体工作性能稳定。
一种防水气压传感器阵列封装结构

[发明专利]一种MEMS器件、MEMS器件的制备方法和电子装置-CN202310871345.3在审
发明人：徐达武 -专利权人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
申请日： 2023-07-14 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：一种MEMS器件、MEMS器件的制备方法和电子装置，器件包括：第一衬底，所述第一衬底的表面设置有沟槽和填充所述沟槽并覆盖所述第一衬底的介电层，所述介电层上设置有第一极板层，所述第一极板层上设置有功能层，部分所述功能层悬置于所述第一极板层上方；第二衬底，在所述第二衬底内形成有凹槽，所述第一衬底形成有所述功能层的一侧与所述第二衬底形成有所述凹槽的一侧相结合。本申请的MEMS器件通过在第一衬底内形成沟槽，增加第一极板增加第一极板和第一衬底之间的距离，从而有效降低了对地电容，提升了MEMS器件的分辨率且结构简单制造成本较低。
一种 mems 器件制备方法电子装置

[发明专利]一种红外探测器芯片晶圆及红外探测器、制备方法-CN202311043081.9在审
发明人：刘继伟;李松华;刘向宏;胡汉林;王兴祥 -专利权人：烟台睿创微纳技术股份有限公司
申请日： 2023-08-18 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种红外探测器芯片晶圆及红外探测器其封装结构、制备方法，红外探测器芯片晶圆包括衬底晶圆、外延层、层间介质、集成电路、与集成电路相连的微测辐射热计；集成电路处设有贯穿层间介质、外延层及衬底晶圆的通孔，通孔的侧壁设有绝缘层，通孔内填充有导电材料，以使集成电路与导电材料相连；衬底晶圆下表面设有与导电材料相连的导电结构，以使集成电路通过导电结构与外部电路相连。本申请公开的技术方案，在集成电路处设置通孔，在通孔内填充导电材料，以使集成电路通过导电材料及导电结构与外部电路相连，而不再需要通过从集成电路引出互连线来与外部电路相连，从而缩短电互联长度，提高互连可靠性，降低信号传输延迟和封装体积。
一种红外探测器芯片制备方法

[发明专利]一种像元结构及红外探测器-CN202310828279.1有效
发明人：刘羲;刘小柔;刘建华;丁金玲 -专利权人：杭州海康微影传感科技有限公司
申请日： 2023-07-06 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本申请涉及一种像元结构及红外探测器。所述像元结构包括基底及转化元件。转化元件用于将光信号转化为电信号，转化元件包括转化主体，设于基底之上并能够支撑转化主体的转化支撑结构，以及连接于转化支撑结构和转化主体的连接结构，沿像元结构的厚度方向，转化主体与基底间隔设置；连接结构包括沿第一方向延伸的多条间隔并首尾依序连接的连接臂，相邻两个连接臂平滑过渡连接，和/或连接结构与转化主体之间平滑过渡连接。上述结构，在不增加器件封装体积及不引入额外部件的前提下，能够有效降低因静电作用集中于像元结构的敏感结构上的应力，从而提高连接结构及整个器件的结构强度以及器件的抗静电能力。
一种结构红外探测器

[发明专利]图像传感器及成像方法-CN201880068674.1有效
发明人：王星泽;赖嘉炜;舒远 -专利权人：合刃科技（深圳）有限公司
申请日： 2018-10-27 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种图像传感器，包括：像素点传感器阵列、位于像素点传感器阵列前端的F‑P腔反射型滤光结构；其中，所述F‑P腔反射型滤光结构包括底层反射镜、F‑P腔体、顶层反射镜；所述图像传感器的结构从下至上依次为像素点传感器阵列、底层反射镜、F‑P腔体、顶层反射镜；其中，F‑P腔反射型滤光结构的结构属性及参数可以调节。此外，本发明实施例还公开了一种高动态范围图像成像方法。采用本发明中的图像传感器及成像方法，解决了在成像过程中各个波段欠曝或过曝的问题，提高了像素利用率和拍摄图像的动态范围。
图像传感器成像方法

[实用新型]一种防止金属淀积短路的MEMS工艺结构-CN202321246086.7有效
发明人：周浩楠;李宋;张亚婷 -专利权人：北京智芯传感科技有限公司
申请日： 2023-05-22 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种防止金属淀积短路的MEMS工艺结构，所述结构包括顶层结构、键合锚点、阻挡半墙和衬底；所述顶层结构在衬底上方，通过键合锚点键合加工，所述衬底上包含键合锚点和阻挡半墙，所述衬底、键合锚点和阻挡半墙为同一块材料刻蚀形成，所述顶层结构与衬底在电学上结构上不导通。阻挡半墙的存在可防止金属淀积过程中，金属粒子反弹粘附于顶层结构和键合锚点的结合处，造成顶层结构与衬底间的短路，极大提升产品良率。
一种防止金属短路 mems 工艺结构

[发明专利]压电型微机电致动器装置和集成微机电致动器装置的设备-CN202311029811.X在审
发明人： D·朱斯蒂;C·L·佩瑞里尼 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2018-11-27 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本公开涉及压电型微机电致动器装置和集成微机电致动器装置的设备。微机电致动器装置包括固定结构和移动结构。移动结构包括第一可变形带、第二可变形带和第三可变形带，均在第一可变形带的相对侧上延伸，每个带均承载压电致动器。在第二和第三压电体被偏置的工作状态下，第二和第三可变形带经历负弯曲，而第一可变形带经历正弯曲。因此产生的两个加在一起的平移引起第一可变形带的位移大于可由相等基面的单个膜获得的位移。
压电微机电致动器装置集成设备

[发明专利]一种微纳尺度机械互锁结构及制备方法-CN202310575260.0在审
发明人：余林蔚;张颖;刘宗光;王军转 -专利权人：南京大学
申请日： 2023-05-22 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种微纳尺度机械互锁结构，包括至少一根设置于衬底上的具有预设深度的微纳米立柱，及至少带有一个钩状结构的微纳米硅线，所述微纳米硅线的钩状结构与微纳米立柱的形状、数量匹配，且与所述微纳米立柱嵌套互锁。本发明的互锁微纳米线结构由传统硅材料制成，制备过程简单且可与成熟的硅工艺兼容，且获得的互锁结构使得微纳米线结构可承受大的外力而不发生脱落。
一种尺度机械互锁结构制备方法

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