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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]电容器结构及包括其的半导体器件-CN201810908334.7有效
发明人：金宰佑;金喆基;金澈完;朴有庆;崔吉铉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-08-10 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本公开提供了一种电容器结构及包括其的半导体器件。该电容器结构包括：包括电极垫和地垫的衬底；在衬底上的多个电介质层，多个电介质层在衬底上处于不同的水平；在多个电介质层中的至少两个电介质层中的多个导电图案层，多个电介质层中的所述至少两个电介质层是第一电介质层；将多个导电图案层彼此连接的多个通路插塞；以及在多个电介质层中的至少一个第二电介质层中的至少一个接触层，至少一个第二电介质层不同于至少两个第一电介质层，并且所述至少一个接触层将多个导电图案层电连接到电极垫和地垫。
电容器结构包括半导体器件

[发明专利]通孔连接结构、具有该结构的半导体器件及其制造方法-CN201310042094.4有效
发明人：李镐珍;姜泌圭;李圭夏;朴炳律;郑显秀;崔吉铉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-02-01 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明提供了通孔连接结构、具有该结构的半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：下层；在所述下层的第一侧上的绝缘层；在所述绝缘层中的互连结构；在所述下层中的通孔结构。该通孔结构突出至所述绝缘层和所述互连结构内。
绝缘层半导体器件下层互连结构连接结构通孔结构通孔制造

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201310052685.X有效
发明人：李镐珍;李圭夏;崔吉铉;崔溶洵;姜泌圭;朴炳律;郑显秀 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-02-18 - 公布日： 2017-06-23 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种制造半导体装置的方法。在一个实施例中，所述方法包括在基层中形成导电孔结构。所述基层具有第一表面和第二表面，第二表面与第一表面相对。所述方法还包括去除所述基层的第二表面，以暴露导电孔结构，从而导电孔结构从第二表面突出；在第二表面上方形成第一下绝缘层，使得导电孔结构的端部表面保持为被第一下绝缘层暴露。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201410032503.7有效
发明人：李章熙;白宗玟;韩奎熙;崔吉铉;洪琮沅 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2014-01-23 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：衬底上的第一导电线；以及覆盖第一导电线的第一成型层。第一导电线在相邻的第一导电线之间具有第一间隙和第二间隙。第一成型层的底表面和第一导电线的位于第一成型层的底表面之下的侧壁共同定义第一间隙。第一成型层的顶表面和第一导电线的位于第一成型层的顶表面之上的侧壁共同定义第二间隙。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]具有通孔焊盘嵌件的硅通孔(TSV )半导体器件-CN201310175220.3在审
发明人：黄善宽;朴炳律;郑显秀;千镇豪;崔吉铉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-05-13 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括在衬底的表面上的绝缘层、垂直通过衬底和绝缘层且暴露于绝缘层上的通孔结构、以及在暴露的通孔结构的表面上的通孔焊盘。通孔焊盘包括通孔焊盘本体、在通孔焊盘本体下面且突出到绝缘层中并围绕通孔结构的通孔焊盘嵌件。通孔焊盘本体和通孔焊盘嵌件包括直接在绝缘层上的通孔焊盘阻挡层和在通孔焊盘阻挡层上的通孔焊盘金属层。
具有通孔焊盘嵌件硅通孔 tsv 半导体器件

[发明专利]栅结构及栅结构的形成方法-CN201310054345.0在审
发明人：车泰昊;郑圣熙;崔吉铉;金秉熙;朴嬉淑;白宗玟 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2009-04-23 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开一种栅结构及栅结构的形成方法。该栅结构包括在衬底上的绝缘层，在绝缘层上的第一导电层图案，在第一导电层图案上的金属欧姆层图案，在金属欧姆层图案上的防扩散层图案，在防扩散层图案上的非晶层图案，和在非晶层图案上的第二导电层图案。该栅结构可具有低的薄层电阻和期望的热稳定性。
结构形成方法

[发明专利]制造半导体装置的方法-CN201110402768.8有效
发明人：朴炳律;崔吉铉;方硕哲;文光辰;林东灿 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2011-12-02 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种制造半导体装置的方法。在制造半导体装置的方法中，准备具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的基底。在基底的将形成贯通电极的区域中形成牺牲层图案。牺牲层图案沿基底的厚度方向从基底的第一表面延伸。在基底的第一表面上形成上部布线层。上部布线层包括位于牺牲层图案上的布线。将基底的第二表面部分地去除以暴露牺牲层图案。从基底的第二表面去除牺牲层图案，以形成暴露布线的开口。在开口中形成要电连接到布线的贯通电极。
制造半导体装置方法

[发明专利]具有埋置布线的基底结构及其制造方法-CN201110339985.7无效
发明人：裴大录;崔吉铉;朴炳律;姜泌圭 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2011-10-28 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： H01L23/482 文献下载
摘要：本发明提供了一种在具有相对低的电阻的埋置布线的同时可解决在制造工艺中产生的问题的基底结构、一种制造该基底结构的方法和一种半导体装置以及一种用于使用该基底结构制造该半导体装置的方法。所述基底结构可以包括：支撑基底；绝缘层，位于所述支撑基底上；线形导电层图案，设置在所述绝缘层中，并沿第一方向延伸；线形半导体图案，设置在所述绝缘层中且设置在所述导电层图案上，沿所述第一方向延伸并具有暴露到所述绝缘层外部的顶表面。
具有布线基底结构及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201110154632.X有效
发明人：文光辰;朴炳律;林东灿;郑德泳;崔吉铉;裵大录;姜泌圭 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2011-06-10 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括通路结构和导电结构。通路结构具有一表面，该表面具有平坦部分和突起部分。导电结构形成在通路结构的平坦部分的至少一部分上且不形成在通路结构的突起部分的至少一部分上。例如，导电结构仅形成在平坦部分上而不形成在突起部分的任何部分上，以形成导电结构与通路结构之间的高质量连接。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]集成电路器件、金属互连及其制造方法-CN201010136542.3有效
发明人：崔重先;崔吉铉;朴炳律;李钟鸣;朴津镐;郑暳炅 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2010-03-12 - 公布日： 2010-09-22 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明提供一种集成电路器件、金属互连及其制造方法。该金属互连包括：金属线，具有第一端和设置在第一端的相反侧的第二端；通孔，电连接到金属线；以及无活性段，从第一端延伸且包括空隙。减小拉应力以防止在通孔下方产生空隙。从而，基本防止了由于电致迁移引起的线损坏，由此改善了器件的电特性。
集成电路器件金属互连及其制造方法

[发明专利]栅结构及栅结构的形成方法-CN200910135403.6有效
发明人：车泰昊;郑圣熙;崔吉铉;金秉熙;朴嬉淑;白宗玟 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2009-04-23 - 公布日： 2009-10-28 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开一种栅结构及栅结构的形成方法。该栅结构包括在衬底上的绝缘层，在绝缘层上的第一导电层图案，在第一导电层图案上的金属欧姆层图案，在金属欧姆层图案上的防扩散层图案，在防扩散层图案上的非晶层图案，和在非晶层图案上的第二导电层图案。该栅结构可具有低的薄层电阻和期望的热稳定性。
结构形成方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200810176820.0有效
发明人：白宗玟;郑圣熙;崔吉铉;车泰昊;朴嬉淑;李柄学;朴在花 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2008-11-25 - 公布日： 2009-08-05 - 主分类号： H01L29/49 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制造方法，更特别地，提供一种具有低电阻W-Ni合金薄层的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括W-Ni合金薄层。该W-Ni合金薄层中Ni的重量在该W-Ni合金薄层的总重量的大约0.01至大约5.0wt％的范围。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]焊垫结构、包括该焊垫结构的半导体器件及其制造方法-CN200810191057.9无效
发明人：洪琮沅;崔吉铉;黄烘奎;李钟鸣;郭旻根;成金重 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2008-12-31 - 公布日： 2009-07-29 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明公开了一种焊垫结构、包括该焊垫结构的半导体器件及其制造方法。一种用于半导体器件的焊垫结构包括器件的接合区域中的第二上金属层和在第二上金属层之下的第一下金属层。下金属层形成为下金属层的金属不存在于接合区域。因此，如果在例如探测或者接合的工艺过程中在接合区域产生对结构的损坏，下金属层不会暴露到环境。暴露到环境引起的下金属层的金属的氧化被防止，从而提高了器件的可靠性。
结构包括半导体器件及其制造方法

[发明专利]包括扩散阻挡膜的半导体器件的形成方法-CN200810184264.1无效
发明人：崔庆寅;崔吉铉;李钟鸣;洪琮沅;李贤培 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2008-05-04 - 公布日： 2009-05-13 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了包括扩散阻挡膜的半导体器件的形成方法。该扩散阻挡膜包括金属氮化物，该金属氮化物利用金属有机化学气相沉积工艺形成并部分地通过等离子体处理来处理。从而，扩散阻挡膜的电阻率能够被减小，并且扩散阻挡膜可以具有突出的阻挡特性。
包括扩散阻挡半导体器件形成方法

[发明专利]半导体器件的薄膜的形成方法-CN200810171436.1无效
发明人：尹钟皓;崔吉铉;李钟鸣 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2008-06-23 - 公布日： 2009-02-18 - 主分类号： H01L21/288 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的薄膜的形成方法。该方法包括将液化的金属离子源吸收到衬底上的步骤；漂洗衬底以去除未被吸收到衬底上的任何液化的金属离子源的步骤；通过用液化的还原剂还原被吸收到衬底上的液化的金属离子源在衬底上沉积金属层的步骤；以及漂洗衬底以去除剩余的液化的还原剂和任何反应残留物的步骤。
半导体器件薄膜形成方法

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