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[实用新型]测试结构-CN201320878955.8有效
发明人：王喆 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2013-12-27 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种测试结构，包括多个环形多晶硅，形成于环形多晶硅环内的多个独立通孔连线和多个公用通孔连线，不同的独立通孔连线以及公用通孔连线均具有不同尺寸。测试结构中包括不同尺寸的独立通孔连线和公用通孔，由于独立通孔连线和公用通孔的尺寸均不相同，致使独立通孔连线和公用通孔到环形多晶硅的间距也不同，从而能够监测不同尺寸的独立通孔连线和公用通孔到环形多晶硅之间是否存在漏电现象
测试结构

[发明专利]一种基于同轴硅通孔阵列的三维电容器及其制作方法-CN201810437750.3有效
发明人：钱利波;何锡涛;励达;桑吉飞;叶益迭;夏桦康 -专利权人：宁波大学
申请日： 2018-05-09 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于同轴硅通孔阵列的三维电容器，包括片上冗余的多个同轴硅通孔，同轴硅通孔阵列由N×N个同轴硅通孔以方块阵列形式构成，每个同轴硅通孔包括自内而外依次同轴设置的硅芯、金属内芯、Al2O3介质层、金属外芯和二氧化硅绝缘层，每个同轴硅通孔以表面覆盖有金属内芯的硅芯作为内芯，相对于全金属填充的传统同轴硅通孔，该结构大幅减少了金属内芯的电镀时间，且其金属内芯和金属外芯采用一次电镀工艺形成，简化了整个同轴硅通孔的制备工艺流程，极大降低了整个同轴硅通孔的制备时间和成本，从而提高了三维电容器的制作效率，该三维电容器的电容密度高、电镀时间短、制作成本低
一种基于同轴硅通孔阵列三维电容器及其制作方法

[发明专利]一种硅通孔的结构及其制作方法-CN201410191475.3在审
发明人：郑超;陈政;王伟 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-05-07 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种硅通孔的结构及其制作方法，所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成有硅通孔凹槽，其中在所述硅通孔凹槽的底部中心区域形成有立柱；采用电化学镀的方式，在所述硅通孔凹槽中填充金属材料根据本发明的制作方法，可有效避免硅通孔内金属填充空穴的产生，进而提高了硅通孔互连的导电性能和其抗击穿能力，增强了其可靠性和稳定性。
一种硅通孔结构及其制作方法

[发明专利]一种硅通孔的测试结构-CN201310743147.5在审
发明人：包小燕;葛洪涛 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-12-27 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅通孔的测试结构，包括：半导体衬底；硅通孔，部分嵌于所述半导体衬底内；导电材料层，位于所述半导体衬底上方、所述硅通孔的外侧并与所述硅通孔相连接；其中，所述硅通孔以及所述导电材料层构成电容测试结构本发明提供了一种晶圆可接受测试（WAT）的测试结构，用硅通孔，硅通孔隔离层以及多晶硅来形成电容结构，通过测试该电容结构的电容值和电容的漏电，来（1）推算TSV隔离层的电性厚度，（2）测试TSV的漏电流大小
一种硅通孔测试结构

[发明专利]一种硅通孔互联结构和量子计算机-CN202211220570.2有效
发明人：请求不公布姓名 -专利权人：合肥本源量子计算科技有限责任公司
申请日： 2022-10-08 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L23/52 文献下载
摘要：本申请公开了一种硅通孔互联结构和量子计算机，属于量子芯片制造领域。硅通孔互联结构包括透明衬底、功能层以及硅通孔互连件。其中功能层和硅通孔互连件均附接到透明衬底。功能层结合到衬底的正面和/或背面，而互连件则通过衬底的在观察窗口区域的通孔配置。透明窗口和通孔之间具有一定的间隙，从而能够提供从表面由透明窗口区域观察通孔位于芯片的通孔内的结构，进而方便地通过考察对硅通孔互连件的质量进行评估。
一种硅通孔互联结量子计算机

[发明专利]一种可编程硅通孔结构及其制备方法-CN201310275443.7有效
发明人：冯军宏;甘正浩 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-07-02 - 公布日： 2017-11-14 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种可编程硅通孔结构及其制备方法，所述可编程硅通孔结构，包括硅通孔；衬里层，位于所述硅通孔上方；控制晶体管，所述控制晶体管中至少包括栅极结构以及位于所述栅极结构两侧的源区和漏区，其中，所述源区与所述衬里层相连接；在所述栅极结构以及所述漏区上同时施加电压时，所述衬里层被击穿，对所述硅通孔结构进行编程。本发明中所述可编程硅通孔结构包括硅通孔以及控制MOS，所述控制MOS中栅极结构连接字线，所述漏区连接位线，当在所述字线和位线上施加电压后，产生电流，将所述衬里层击穿，实现硅通孔的编程，所述衬里层在编程前起到层间介质层的作用
一种可编程硅通孔结构及其制备方法

[发明专利]具有硅通孔内连线的半导体封装-CN201310120374.2有效
发明人：杨明宗;黄裕华;黄伟哲 -专利权人：联发科技股份有限公司
申请日： 2013-04-09 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明提供一种具有硅通孔内连线的半导体封装。上述具有硅通孔内连线的半导体封装包括半导体基板，其具有前侧和后侧；接触孔插塞阵列，设置于半导体基板的前侧；隔绝结构，设置于半导体基板中，且位于接触孔插塞阵列下方；以及硅通孔内连线，穿过半导体基板，且与接触孔插塞阵列和隔绝结构重叠本发明所提供的具有硅通孔内连线的半导体封装，能得到具有平滑底部的硅通孔开口，因而可以避免产生现有硅通孔内连线的铜扩散问题。
具有硅通孔内连线半导体封装

[发明专利]重新布线图形的形成方法-CN201210353208.2在审
发明人：胡红梅 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2012-09-20 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：该方法包括：向半导体基片的硅通孔中填充可显影填充材料，可显影填充材料的填充深度小于硅通孔的深度；在硅通孔内的可显影填充材料之上涂布光刻胶材料，光刻胶材料与所述可显影填充材料相兼容；以及去除光刻胶，以形成重新布线图形，以及去除硅通孔内的可显影填充材料。本发明中，利用可显影填充材料填充硅通孔，在填充材料之上再涂布光刻胶进行重新布线层曝光，最后显影去除曝光后的光刻胶和硅通孔内的可显影填充材料，从而避免了通常重新布线光刻工艺中利用光刻胶填充硅通孔时产生的通孔内光刻胶残留，最终提高了硅通孔的电学性能。
重新布线图形形成方法

[发明专利]用于TSV刻蚀中改善硅通孔侧壁粗糙度的方法-CN201210470510.6有效
发明人：王兆祥;严利均;黄智林;邱达燕 -专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2012-11-20 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于TSV刻蚀中改善硅通孔侧壁粗糙度的方法，包含如下步骤：步骤1：在TSV刻蚀完成后，在反应腔中，对硅通孔的侧壁进行氧化；步骤2：在反应腔中，对经氧化后的硅通孔的侧壁进行刻蚀，去除硅通孔的侧壁经氧化所形成的氧化层本发明能够大大减低硅通孔侧壁的粗糙度。
用于 tsv 刻蚀改善硅通孔侧壁粗糙方法

[发明专利]一种导电聚合物凝胶填充硅通孔的方法-CN201110359862.X有效
发明人：周军 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-11-15 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种导电聚合物凝胶填充硅通孔的方法。本发明一种导电聚合物凝胶填充硅通孔的方法，通过利用导电凝胶聚合之前为溶液，对硅通孔能实现良好填充的特性，在制备的绝缘阻挡层上形成充满硅通孔的导电聚合物凝胶，并利用导电凝胶的高导电性和稳定性，于硅通孔上表面及其底部形成上、下部金属突起，以实现导电互连，从而解决了因为硅通孔的高深宽比，采用铜互连工艺所要求的阻挡层和种子层的台阶覆盖性差，而导致硅通孔失效的问题。
一种导电聚合物凝胶填充硅通孔方法

[发明专利]铜填充硅通孔的制作方法-CN201110379852.2有效
发明人：周军 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-11-24 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及一种铜填充硅通孔的制作方法，包括以下步骤：在硅晶片表面形成硅通孔；在上述结构表面沉积绝缘层；接着在上述结构表面沉积一层或多层阻挡层，同时采用穿通刻蚀工艺，去除硅通孔底部的阻挡层和绝缘层；将硅晶片浸入含铜离子的稀释氢氟酸溶液中5-600秒，在硅通孔的底部形成铜种子层；采用化学镀铜工艺，在铜种子层上填充铜；去除晶片上表面的铜、阻挡层和绝缘层；研磨晶片的下表面减薄至硅通孔的底部并去除铜的种子层。本发明采用硅通孔底部的种子层，通过化学镀铜完成铜的填充，消除了硅通孔中的孔隙，提高可靠性，同时节约成本。
填充硅通孔制作方法

[发明专利]用于封装后硅通孔叠层芯片的测试结构-CN202110288798.4在审
发明人：单光宝;饶子为;李国良;郑彦文;黄浩铭;杨银堂 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-03-18 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本申请涉及用于封装后硅通孔叠层芯片的测试结构，具体而言，涉及封装芯片测试领域。本申请提供的用于封装后硅通孔叠层芯片的测试结构，测试结构包括：封装芯片、再分布层和开关阵列；封装芯片上设置有多个垂直于封装芯片表面的硅通孔，硅通孔电连接封装芯片的两个表面，封装芯片的一个表面设置有再分布层和开关阵列，开关阵列包括多个开关电路，每个开关电路通过再分布层均与两个的硅通孔电连接，每个硅通孔延伸至封装芯片的另一侧，且硅通孔远离再分布层的一侧设置焊盘，焊盘用于测试电信号；当需要对测试结构进行检测的时候，只需要控制开关阵列的闭合与断开，通过该硅通孔另一侧设置的焊盘检测电压或者电流，就可以的到该硅通孔的状态。
用于封装后硅通孔叠层芯片测试结构

[发明专利]半导体检测结构及检测方法-CN201110406774.0有效
发明人：甘正浩 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-12-08 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：一种半导体检测结构及对应的检测方法，所述半导体检测结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；所述半导体衬底内至少形成三个贯穿其厚度的硅通孔；位于所述半导体衬底第一表面的分立的金属互连层，所述金属互连层具有加载节点和测试节点，各金属互连层与相应的硅通孔相连接；位于所述半导体衬底第二表面的再分配层，所述再分配层依次与每个硅通孔的底部电学连接。将偏置电流施加在待检测硅通孔和位于其一侧的第一测试硅通孔对应的加载节点间，通过在待检测硅通孔和位于其另一侧的第二测试硅通孔之间相应的测试节点测量对应的电压，就能获得待检测硅通孔的电阻，从而判断所述待检测硅通孔内是否有缺陷
半导体检测结构方法

[发明专利]硅通孔测试结构及对应的测试方法-CN201110383474.5有效
发明人：甘正浩;三重野文健;冯军宏 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-11-25 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种硅通孔测试结构，包括：半导体衬底，位于半导体衬底内的硅通孔，位于所述硅通孔侧壁和底部表面的绝缘层，位于所述绝缘层表面的填充满硅通孔的导电材料；位于所述半导体衬底内且围绕所述硅通孔设置的重掺杂区；位于所述半导体衬底表面的介质层，位于所述介质层表面的金属互连层，所述硅通孔中的导电材料与第一金属互连层电学连接，所述重掺杂区与第二金属互连层电学连接，且所述硅通孔中的导电材料与重掺杂区电学隔离。当偏置电压施加在硅通孔的导电材料和重掺杂区两端，既可以通过测量两者之间是否有漏电流来判断绝缘层是否完整，又可以通过测量两者之间的电容值来判断硅通孔的深度是否达到标准值，一举两得，且测试过程简单方便。
硅通孔测试结构对应方法

[其他]管芯到管芯键合系统-CN200990100236.5有效
发明人： S·S·肖汉 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2009-05-12 - 公布日： 2012-06-13 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：一种管芯到管芯键合系统，包括具有正面(208)、背面(210)和完全填充的穿透硅通孔(250)的上管芯(202)，所述完全填充的穿透硅通孔的一部分(252)从所述上管芯的背面突出。下管芯(204)包括正面、背面和部分填充的穿透硅通孔(260)，所述部分填充的穿透硅通孔被形成以限定暴露于该管芯的正面的通孔开口(264)，所述部分填充的穿透硅通孔的一部分(262)从所述下管芯的背面突出互连(206)将所述上管芯穿透硅通孔的突出部分的外表面与所述下管芯中的通孔开口的内表面(264a)键合。
管芯系统