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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]具有硅通孔内连线的半导体封装及其封装方法-CN201310120322.5有效
发明人：杨明宗;洪建州;黄裕华;黄伟哲 -专利权人：联发科技股份有限公司
申请日： 2013-04-09 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：本发明提供一种具有硅通孔内连线的半导体封装及其封装方法。上述具有硅通孔内连线的半导体封装包括半导体基板；通孔，穿过上述半导体基板；硅通孔内连线，设置于上述通孔内；导电层，设置于衬垫于上述通孔的侧壁，且围绕上述硅通孔内连线。本发明所提供的具有硅通孔内连线的半导体封装及相关形成方法，能够将从半导体基板或硅通孔内连线耦合的噪音快速地传递至接地埠，从而减少噪音耦合效应。
具有硅通孔内连线半导体封装及其方法

[发明专利]多芯片封装、测试系统及其操作方法-CN201510329664.7在审
发明人：姜龙求;赵晧成 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2015-06-15 - 公布日： 2016-04-13 - 主分类号： G01R31/02 文献下载
摘要：一种多芯片封装包括：通过正常穿通硅通孔和修复穿通硅通孔相互耦合的多个半导体芯片；适用于检测正常穿通硅通孔和修复穿通硅通孔的连接状态的状态检测器件；以及适用于将正常穿通硅通孔的连接状态与修复穿通硅通孔的连接状态相比较
芯片封装测试系统及其操作方法

[实用新型]一种硅通孔的电迁移测试结构-CN201620066266.0有效
发明人：陈芳 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2016-01-22 - 公布日： 2016-08-31 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本实用新型提供一种硅通孔的电迁移测试结构，包括：通过底层金属连接的第一硅通孔及第二硅通孔，所述第一硅通孔及所述第二硅通孔的上端分别连接第一测试端及第二测试端，所述第一硅通孔及所述第二硅通孔通过所述底层金属与一温度传感器相连本实用新型的硅通孔的电迁移测试结构在原有测试结构的基础上增加温度传感器，以此感知大电流产生的焦耳热，并据此调节电迁移测试的温度环境，进而避免焦耳热效应对测试结构的影响，提高硅通孔电迁移测试的准确性和半导体产品的良率
一种硅通孔迁移测试结构

[发明专利]基于硅通孔技术的硅晶圆直接键合的微机械陀螺仪-CN201210094531.2有效
发明人：郭述文 -专利权人：苏州文智芯微系统技术有限公司
申请日： 2012-04-01 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： G01C19/56 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于硅通孔技术的硅晶圆直接键合的微机械陀螺仪，其包括硅-硅直接键合的三层硅晶圆层，依次为固定电极晶圆层、质量块晶圆层、封盖晶圆层；固定电极晶圆层为通孔硅晶圆层，其具有多个垂直于通孔硅晶圆层的通孔硅电极，相邻的通孔硅电极之间具有垂直于通孔硅晶圆层的通孔硅绝缘层；质量块晶圆层包括一对左右对称的扇形质量块，扇形质量块形成质量块电极，质量块晶圆层采用硅-硅直接键合方式通过单锚点对称悬挂于固定电极晶圆层的下方；质量块电极与通孔硅电极形成可变电容的两个极。本发明采用通孔硅作为可变电容传感器结构的电极材料并采用硅-硅直接键合方式，可将热应力降至最小，还提升了传感器的性能。
基于硅通孔技术硅晶圆直接微机陀螺仪

[发明专利]一种硅通孔刻蚀装置-CN201310751543.2在审
发明人：倪图强;李俊良 -专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2013-12-31 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种硅通孔刻蚀装置，包括：反应腔，基座，射频功率发生装置和反应气体供气系统；所述基座设置在反应腔内，反应气体供气系统供应刻蚀气体和沉积气体到反应腔内，射频功率发生装置施加射频功率到反应腔内；待处理基片设置在所述基座上
一种硅通孔刻蚀装置

[发明专利]一种硅通孔测试方法-CN201510054277.7在审
发明人：李志华;于中尧;周晓娟 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2015-02-02 - 公布日： 2015-04-29 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅通孔测试方法。硅通孔的直接电学测试需要对其顶部和底部同时加载测试连接，但主流的测试设备不支持对晶圆的正面和背面同时加载测试连接，因此导致硅通孔的测试过程工艺复杂、成本较高。本发明通过在完成硅通孔和微凸点制备的晶圆背面贴合一层导电膜，然后通过探针对上述晶圆正面露出的焊盘进行测试，包括通断测试、电阻测试等方式，实现对硅通孔的电学参数进行测试。具有操作简单、低成本的显著优势。
一种硅通孔测试方法

[发明专利]硅通孔晶圆平坦化方法-CN201610885056.9在审
发明人：陈蕊;王同庆;李昆;路新春 -专利权人：天津华海清科机电科技有限公司;清华大学
申请日： 2016-10-11 - 公布日： 2017-02-08 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅通孔晶圆平坦化方法，所述硅通孔晶圆平坦化方法包括如下步骤S1、以第一预设速率v1对晶圆进行化学机械抛光，并实时监控晶圆表面的铜膜厚度，且在铜膜厚度达到第一预设值TH1时停止；S2、以第二预设速率本发明的硅通孔晶圆平坦化方法，处理效率高，且平坦程度好。
硅通孔晶圆平坦方法

[发明专利]包括硅通孔的半导体装置-CN202211238710.9在审
发明人：李全一;李钟旼;崔智旻;李瑌真 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-10-11 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：提供了包括硅通孔的半导体装置。所述半导体装置包括具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的基底。设置有延伸穿过基底过孔绝缘层。设置有延伸穿过过孔绝缘层的硅通孔。硅通孔的中心从过孔绝缘层的中心偏离。设置有延伸穿过第一绝缘层和阻挡层并接触硅通孔的接触插塞。
包括硅通孔半导体装置

[发明专利]一种硅通孔刻蚀方法-CN201310753493.1有效
发明人：罗伟义;刘身健;刘晓波;黄智林;倪图强 -专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2013-12-31 - 公布日： 2018-08-07 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种硅通孔刻蚀方法以减小硅通孔侧壁的凹口，包括：放置待处理基片到反应腔内的基座上，所述待处理基片上包括绝缘材料层和位于绝缘材料层上方的硅材料层，硅材料层上方还包括图形化的掩膜层开口；通入反应气体到所述反应腔，施加源射频功率到所述反应腔内，形成等离子体，从图形化掩膜层开口向下刻蚀形成硅通孔；通过一个偏置射频电源输出偏置射频功率到所述基座；其特征在于，包括至少一个阶段中偏置射频功率呈脉冲型，其输出功率在高功率输出步骤和低功率输出步骤之间切换
一种硅通孔刻蚀方法

[发明专利]硅通孔金属柱背面互联方法-CN201410459812.2有效
发明人：丁万春 -专利权人：南通富士通微电子股份有限公司
申请日： 2014-09-10 - 公布日： 2015-02-11 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种硅通孔金属柱背面互联方法，包括：以延伸至硅基板背面的硅通孔金属柱作为凸点，在凸点表面形成凸点下金属层，该硅基板上包括至少一个硅通孔金属柱；在相邻的固定数目的凸点对应的凸点下金属层上形成锡球，该锡球环包所述固定数目的凸点下金属层，以实现对应的硅通孔金属柱背面互联。
硅通孔金属背面方法

[发明专利]硅通孔结构及其形成方法-CN201410683126.3有效
发明人：王之奇;喻琼;杨莹;王蔚 -专利权人：苏州晶方半导体科技股份有限公司
申请日： 2014-11-24 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：一种硅通孔结构及其形成方法，硅通孔结构包括：衬底；位于所述衬底内的通孔；位于所述衬底内的缓冲开口，所述缓冲开口位于所述通孔顶部，所述缓冲开口的侧壁相对于衬底表面倾斜，且所述缓冲开口的顶部尺寸大于底部尺寸；位于所述缓冲开口侧壁表面、以及所述通孔的侧壁和底部表面的第一绝缘层；位于所述第一绝缘层表面的导电层。所述硅通孔结构的性能改善、可靠性增强。
硅通孔结构及其形成方法

[发明专利]具有气隙的穿透硅通孔-CN200910143528.3有效
发明人：陈明发 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2009-05-31 - 公布日： 2010-07-07 - 主分类号： H01L23/52 文献下载
摘要：提供一种具有穿透硅通孔的半导体衬底，其中气隙介于穿透硅通孔和半导体衬底之间。形成开口，其部分地穿过该半导体衬底。该开口首先用衬垫衬里，然后用导电材料填充该开口。减薄半导体衬底的背面以暴露该衬垫，该衬垫随后被移除以形成围绕穿透硅通孔的导电材料的气隙。在半导体衬底的背面形成电介质层，以密封该气隙。
有气穿透硅通孔

[发明专利]具有硅通孔电极的微电池-CN201780030218.3有效
发明人： B·韦伯;P·安德瑞 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2017-05-23 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： H01M4/76 文献下载
摘要：阳极基板和阴极基板中的至少一个被通孔穿透，所述通孔与相应的阳极导电衬里或阴极导电衬里接触。
具有硅通孔电极电池

[发明专利]硅通孔绝缘层制备方法-CN201410192894.9有效
发明人：雷通;桑宁波 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-05-08 - 公布日： 2017-01-18 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅通孔绝缘层制备方法，包括第一步骤，用于利用先形成器件然后形成通孔的硅通孔工艺在半导体衬底中形成半导体器件和硅通孔；第二步骤，用于利用亚常压化学气相沉积工艺在形成有半导体器件和硅通孔的半导体衬底上沉积第一厚度的第一绝缘层
硅通孔绝缘制备方法

[发明专利]穿硅通孔及其制作方法-CN201210323190.1有效
发明人：黄琦雯;苏国辉 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2012-09-04 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种穿硅通孔结构，包含有一半导体基材；一第一金属层间介电层，设于该半导体基材上；一上盖层，覆盖该第一金属层间介电层；一导电层，贯穿该上盖层及该第一金属层间介电层，延伸至该半导体基材内；一钨金属膜
穿硅通孔及其制作方法

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