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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]封装结构及其形成方法-CN202310659565.X在审
  • 陈海杰;谢皆雷;吴靖宇 - 江阴长电先进封装有限公司
  • 2023-06-05 - 2023-08-15 - H01L23/538
  • 一种封装结构的形成方法包括：提供转接基板，包括第一导电衬垫，且第一导电衬垫暴露于转接基板的第一表面；提供器件基板，包括无源器件层及覆盖无源器件层的第一重布线层，无源器件层包括无源器件，第一重布线层包括第二导电衬垫，第二导电衬垫与无源器件电连接，且第二导电衬垫暴露于第一重布线层的第一表面；以转接基板的第一表面及第一重布线层的第一表面为键合面，采用混合键合工艺将转接基板与器件基板键合；自器件基板背离转接基板的表面去除部分器件基板，形成凹槽，凹槽暴露出转接基板或第一重布线层；在凹槽内形成硅桥，硅桥包括第三导电衬垫；在器件基板背离转接基板的一侧，贴装功能芯片，功能芯片与第三导电衬垫电连接。
  • 封装结构及其形成方法
  • [发明专利]封装结构及其形成方法-CN202310626087.2在审
  • 陈海杰;王长文;刘昊宇 - 江阴长电先进封装有限公司
  • 2023-05-30 - 2023-08-01 - H01L21/60
  • 一种封装结构的形成方法包括：提供转接板，转接板包括第一重布线层，第一重布线层包括第一组导电衬垫及第二组导电衬垫；提供器件基板，器件基板包括无源器件层及覆盖无源器件层的第二重布线层，无源器件层包括至少一无源器件，第二重布线层包括第三组导电衬垫及第四组导电衬垫，第三组导电衬垫的另一端与无源器件电连接；以第一重布线层的第一表面及第二重布线层的第一表面为键合面，采用混合键合工艺将转接板与器件基板键合；自器件基板背离转接板的表面去除部分无源器件层，以暴露出第四组导电衬垫；在器件基板背离转接板的表面设置至少一芯片，芯片与第四组导电衬垫电连接。该方法直接在转接板内部或者表层集成无源器件，提高了工艺兼容性。
  • 封装结构及其形成方法
  • [实用新型]晶圆预对位模组及晶圆测试装置-CN202320675580.9有效
  • 王益平;胡彬 - 江阴长电先进封装有限公司
  • 2023-03-30 - 2023-07-28 - G01R1/04
  • 本实用新型提供一种晶圆预对位模组及晶圆测试装置，晶圆预对位模组包括：底座，所述底座具有安装面；用以承载晶圆的卡盘，所述卡盘转动连接于所述底座，且所述卡盘位于所述安装面所在侧；预对位组件，所述预对位组件包括固定于所述安装面的支架、固定于所述支架远离所述安装面的一端的预对位传感器、设于所述支架远离所述安装面的一端与所述预对位传感器之间的增高垫片；其中，所述预对位传感器距所述安装面的距离大于所述卡盘距所述安装面的距离；使所述晶圆预对位模组具有测试大于1mm的较厚片的机台能力，成本较低，且增大了所述晶圆预对位模组的通用性。
  • 晶圆预对位模组测试装置
  • [发明专利]封装结构及形成方法-CN202310240586.8在审
  • 陈海杰;刘涛;王长文 - 江阴长电先进封装有限公司
  • 2023-03-13 - 2023-06-27 - H01L23/538
  • 本发明公开了封装结构及形成方法，其中，封装结构包括：再布线结构和芯片，再布线结构具有绝缘体和嵌设于绝缘体内的若干图案化金属层，至少一图案化金属层具有布线线路和形成电感线圈的电感线路；再布线结构还包括磁性薄膜层，在再布线结构厚度方向上，磁性薄膜层设置于电感线圈的至少一侧；芯片设置于再布线结构沿厚度方向的一侧并与布线线路电性连接。本发明的实施例将电感线圈与再布线工艺结合，使电感线圈封装在再布线结构的绝缘体内，从而实现了电感线圈与芯片封装结构的集成，通过磁性薄膜层的设置消除了电感线圈在集成设置后性能的减弱，提高了封装结构的集成度，减少了封装后封装结构的尺寸。
  • 封装结构形成方法
  • [发明专利]半导体封装方法、封装结构及半导体封装用支撑片-CN202211461686.5有效
  • 徐立;孙超;徐虹 - 江阴长电先进封装有限公司
  • 2022-11-17 - 2023-05-05 - H01L21/50
  • 本发明公开一种半导体封装方法、封装结构及半导体封装用支撑片，该方法包含提供临时承载板，该临时承载板上具有多个芯片，该临时承载板具有芯片布局区域及环绕该芯片布局区域的边缘区域，该多个芯片位于该芯片布局区域上；利用真空压膜工艺形成塑封层，该塑封层覆盖该芯片布局区域及该边缘区域；提供支撑片，该支撑片对应该临时承载板的该边缘区域设置有辅助件，将该支撑片与该临时承载板结合，该辅助件嵌入该塑封层中并环绕该芯片布局区域以辅助提升该塑封层于该边缘区域的厚度；移除该临时承载板。本发明可避免塑封料的脱落问题，降低了封装工艺作业困难，提高了生产良率。
  • 半导体封装方法结构支撑
  • [发明专利]芯片封装结构及其封装方法-CN202110983730.8在审
  • 徐虹;陈栋;徐霞;金豆;陈锦辉 - 江阴长电先进封装有限公司
  • 2021-08-25 - 2023-04-04 - H01L23/31
  • 本发明提供一种芯片封装结构及其封装方法，芯片封装结构包括硅基板、位于所述硅基板的正面的钝化层、位于所述钝化层的正面的介电层、至少包覆所述硅基板的侧壁的塑封层，所述硅基板的正面嵌设有芯片电极，所述钝化层以及所述介电层上设有供所述芯片电极向外暴露的导通孔，所述芯片电极的正面连接有金属凸块；所述塑封层靠近所述硅基板的正面的一端与所述钝化层相接合；相较于现有的所述塑封层与所述介电层相接合，增加了所述塑封层与芯片之间的结合力，所述塑封层不易因受力而脱落，同时，在封装过程中，所述钝化层使芯片之间相互固定在一起，能够防止塑封过程中芯片移位，提升了最终产品的可靠性，改善了最终产品的良率。
  • 芯片封装结构及其方法
  • [发明专利]半导体封装的对位方法及半导体封装结构-CN202211382296.9有效
  • 徐霞;徐虹;高强;李开开 - 江阴长电先进封装有限公司
  • 2022-11-07 - 2023-03-21 - H01L21/68
  • 本发明提供一种半导体封装的对位方法及半导体封装结构，所述对位方法包括提供具有多个第一封装区域以及贴装于所述多个第一封装区域内的若干第一芯片的承载基板，各第一芯片上具有第一标记，所述多个第一封装区域包含第一数量个对位封装区域，每一对位封装区域贴装有多个所述第一芯片以及至少一第二芯片，所述第二芯片上具有第二标记，所述第一标记与所述第二标记不同；根据各对位封装区域内的各第二芯片上的所述第二标记进行第一次对位，以确认所述承载基板上所述若干第一芯片的整体布局；依次根据各第一封装区域中的各第一芯片上的所述第一标记进行第二次对位，以确认每一第一封装区域的位置。本发明操作方便，且提升了对位精度。
  • 半导体封装对位方法结构
  • [发明专利]芯片封装结构及其制作方法-CN202110844374.1在审
  • 陈栋;徐虹;徐霞;金豆;陈锦辉 - 江阴长电先进封装有限公司
  • 2021-07-26 - 2023-02-03 - H01L23/31
  • 本发明提供一种芯片封装结构及其制作方法，所述封装结构包括芯片和包覆芯片的塑封层，芯片包括设置于其功能面侧的钝化层以及分布于钝化层内的焊盘，在制作过程中，通过去除切割道上方的切割道顶层金属，在切割后使钝化层侧部形成有至少一个凹陷部，塑封层包覆凹陷部。通过去除切割道顶层金属，可以减少在切割晶圆时出现的金属层卷丝、芯片正面崩缺等问题，并且，由于塑封层填充于凹陷部内，塑封层与芯片之间形成互相嵌套的结构，增加了塑封层和芯片之间的结合力，降低了钝化层内部开裂的风险。
  • 芯片封装结构及其制作方法
  • [发明专利]滤波器封装结构及制备方法-CN202210784613.3在审
  • 胡震;刘昊宇;陈海杰 - 江阴长电先进封装有限公司
  • 2022-06-29 - 2022-11-04 - H03H9/10
  • 本发明提供一种滤波器封装结构及制备方法，滤波器封装结构包括：滤波器芯片，所述滤波器芯片具有谐振区、位于所述谐振区以外的非谐振区，形成所述滤波器芯片的器件晶圆为减薄后的器件晶圆；盖帽层，位于所述滤波器芯片的正面；第一键合层，所述第一键合层连接于所述滤波器芯片与所述盖帽层之间，且所述第一键合层在所述非谐振区形成闭合环形，所述第一键合层与所述盖帽层围设形成位于所述谐振区的第一空腔；支撑晶圆，支承于所述滤波器芯片的背面；能够有效改善超薄的所述滤波器芯片的稳定性，从而，可以将所述滤波器芯片的厚度减薄至性能最好的尺寸厚度，提高所述滤波器封装结构的性能。
  • 滤波器封装结构制备方法
  • [发明专利]晶圆级封装方法及晶圆级封装结构-CN202210762392.X在审
  • 陈海杰;胡震;刘昊宇 - 江阴长电先进封装有限公司
  • 2022-06-29 - 2022-09-30 - H01L21/56
  • 本发明提供一种晶圆级封装方法及晶圆级封装结构，晶圆级封装方法包括如下步骤：在器件晶圆的键合面或者保护层的键合面上与器件晶圆边缘的无效区相对应的区域成型至少一圈封边层；在器件晶圆的键合面或者保护层的键合面上与器件晶圆中包围芯片功能区的外围区相对应的区域成型支撑层；利用支撑层以及封边层将所述器件晶圆与所述保护层相键合，所述支撑层与所述保护层形成收容器件的空腔；达到防渗漏的作用，可以保护器件晶圆中的器件区的正面不受污染，提高良率。
  • 晶圆级封装方法结构
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