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[发明专利]一种互联载板及封装结构-CN202111636382.3有效
发明人：薛海韵;刘丰满 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司;上海先方半导体有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：一种互联载板及封装结构，其中互联载板包括：光组件载板，所述光组件载板中具有若干个阵列排布的光通孔组，每个所述光通孔组包括若干个分立且贯穿所述光组件载板的光通孔；定位载板，所述定位载板中具有若干个贯穿所述定位载板的光纤组容置开口，所述定位载板与所述光组件载板的一侧表面贴合，所述光纤组容置开口和所述光通孔组一一对应连通；阵列光纤组件，所述阵列光纤组件包括若干个分立的光纤组，所述光纤组包括若干个分立的光纤，所述光纤组适于一一对应插入所述光纤组容置开口中，所述光纤适于与所述光通孔相对设置且一一对应。所述互联载板可实现一次对准实现超大容量光互连与简单快速光学耦合。
一种互联载板封装结构

[发明专利]一种高密度扇出型封装结构及其形成方法-CN202310704444.2在审
发明人：戴风伟 -专利权人： 上海先方半导体有限公司;华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2023-06-14 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L23/492 文献下载
摘要：本发明涉及一种高密度扇出型封装结构及其形成方法，高密度扇出型封装结构包括：互连结构；焊盘，其位于互连结构的第一面，并与互连结构电连接；桥接元件，其位于互连结构之间，其中桥接元件的正面具有第一凸点；第二介质层，其包覆焊盘和桥接元件，且焊盘的顶部和桥接元件的第一凸点露出第二介质层；第一凸块下金属，其布置在焊盘的顶部和桥接元件的第一凸点上；以及芯片，其倒装布置在第一凸块下金属上，以电连接焊盘和桥接元件。该结构中取消了铜柱，用焊盘替代，工艺更简单；将桥接元件埋入第二介质层中，无需额外塑封工艺塑封桥接元件，该结构的形成过程中仅需要一次塑封工艺，相比于两次塑封，降低了晶圆翘曲。
一种高密度扇出型封装结构及其形成方法

[发明专利]一种半导体封装结构及其制备方法-CN202310627503.0在审
发明人：何晨烨 -专利权人： 上海先方半导体有限公司;华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H03H9/10 文献下载
摘要：一种半导体封装结构及其制备方法，其中半导体封装结构包括：重布线结构，所述重布线结构包括布线层，自所述重布线结构的一侧表面延伸至部分厚度的重布线结构的空腔，所述空腔的底部暴露出部分布线层；倒装在所述重布线结构一侧的第一芯片，所述第一芯片的有源面一侧具有第一导电件，所述第一导电件位于所述空腔中且和所述空腔底部的布线层连接，所述第一芯片的有源面的边缘区域与所述空腔外周的重布线结构的表面贴合连接；塑封层，覆盖所述重布线结构的一侧且覆盖所述第一芯片，所述塑封层与所述第一芯片的有源面不接触。所述半导体封装结构可利用扇出工艺实现功能芯片与其他芯片的集成。
一种半导体封装结构及其制备方法

[发明专利]一种天线装置-CN202111363227.9有效
发明人：项昌华;殷开婷 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司;上海先方半导体有限公司
申请日： 2021-11-17 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01Q1/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种天线装置，包括：天线部件，所述天线部件包括：隔离层；天线层，其与所述隔离层通过压制的方法粘连，所述天线层包括：阵列天线，其包括发射端阵列天线和接收端阵列天线；天线发射装置，其位于所述发射端阵列天线的一端；天线发射终端，其位于所述发射端阵列天线的另一端；天线接收装置，其位于所述接收端阵列天线的一端；天线接收终端，其位于所述接收端阵列天线的另一端；抗氧化保护层，其覆盖在所述天线层的表面；粘胶层，其与抗氧化保护层粘连；以及增强层铝箔，其与粘胶层粘连。
一种天线装置

[发明专利]一种多层堆叠垂直互连结构及其形成方法-CN202310656875.6在审
发明人：张燚 -专利权人： 上海先方半导体有限公司;华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2023-06-05 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种多层堆叠垂直互连结构的形成方法，包括：在第一载片的第一面形成第一互连结构，其中第一互连结构具有第一孔；将具有第二互连结构的第二载片与第一载片键合，其中第二互连结构位于所述第二载片的第一面，并具有第二孔；将第二载片的第二面减薄；在第二载片的第二面形成第三互连结构，第三互连结构具有第三孔；将具有第四互连结构的第三载片与第二载片键合，减薄第三载片的第二面，并在第三载片的第二面形成第五互连结构，其中第四互连结构具有第四孔，第五互连结构具有第五孔；根据第五孔至第一孔刻蚀第三载片至第一载片形成第一通孔；以及在第一通孔的内壁沉积无机材料层，并在第一通孔内填充金属形成第一导电通孔。
一种多层堆叠垂直互连结构及其形成方法

[发明专利]集成微流道的三维封装结构及封装方法-CN202011491883.2有效
发明人：徐成;曹立强;孙鹏 -专利权人： 上海先方半导体有限公司;华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2020-12-17 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明提供了一种集成微流道的三维封装结构及封装方法，在芯片上形成多个第一导电体和多个第二导电体；在第一基板上形成多个与第一导电体对应的空腔，以及与多个与第二导电体对应的第三导电体；将芯片布置于第一基板上，以使第一导电体容置于空腔内，且第二导电体与第三导电体电连接；在第一基板上形成第一微流道结构，第一微流道结构被配置为第一导电体散热；在第二基板上形成与第一微流道结构相对应的第二微流道结构、以及多个与第一导电体一一对应的第四导电体；将第二基板布置于第一基板上，以使第一微流道结构与第二微流道结构相通，形成三维垂直结构微流道系统，且第一导电体与第四导电体电连接，使冷却液在三维垂直结构微流道系统中流动。
集成微流道三维封装结构方法

[发明专利]一种实现芯片间直接互连的封装基板结构及其制作方法-CN202310240744.X在审
发明人：郑毛荣;丁才华 -专利权人： 上海先方半导体有限公司;华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2023-03-14 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L23/492 文献下载
摘要：本发明涉及一种实现芯片间直接互连的封装基板结构，包括：基板；第一介质层；第一芯片，芯片的正面朝上埋入设置在第一介质层中，第一芯片具有第一焊盘和尺寸大于第一焊盘的第二焊盘；第二介质层；第一金属通孔，其贯穿第二介质层，并与第二焊盘电连接；第二金属通孔，其贯穿第二介质层和第一介质层，并与基板焊盘电连接；第三介质层；第三金属通孔，其贯穿第三介质层和第二介质层，并与第一焊盘电连接；第四金属通孔，其贯穿第三介质层，并与第二金属通孔电连接；其中第三金属通孔和第四金属通孔的顶面以及第三介质层的上表面均设置有焊盘；以及第二芯片，其通过凸点倒装焊接在第三金属通孔顶面的焊盘和第三介质层上表面的焊盘上。
一种实现芯片直接互连封装板结及其制作方法

[发明专利]一种电镀方法和电镀装置-CN202310189086.6在审
发明人：胡超 -专利权人： 上海先方半导体有限公司;华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C25D5/20 文献下载
摘要：本发明提供一种电镀方法和电镀装置。电镀方法包括：提供主电镀槽，所述主电镀槽内具有电镀液；将晶圆放置所述电镀液中，所述晶圆中具有开槽；在所述开槽中电镀形成填充层的过程中，在所述电镀液中施加兆声波。本发明提供的电镀方法可以提高在开槽中电镀形成填充层的可靠性。
一种电镀方法装置

[发明专利]一种三维光波导调制结构及其制备方法-CN202111443769.7有效
发明人：郑奇;刘丰满;孙思维;阳鹏 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司;上海先方半导体有限公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本发明提供一种三维光波导调制结构及其制备方法，其中，三维光波导调制结构包括：衬底；位于所述衬底中的光波导，所述光波导包括主传输光波导、过渡光波导和边缘光波导，所述过渡光波导连接所述主传输光波导和所述边缘光波导，所述主传输光波导和所述边缘光波导在所述衬底中的深度不同；位于所述衬底一侧表面的耦合波导，所述耦合波导与所述主传输光波导相对设置，所述耦合波导至所述主传输光波导的距离小于所述耦合波导至所述边缘光波导的距离；位于所述耦合波导背向所述衬底一侧的铌酸锂膜。所述三维光波导调制结构使光在光波导传输过程中损耗率降低。
一种三维波导调制结构及其制备方法

[发明专利]一种连接结构及其制备方法-CN202310087623.6在审
发明人：王华;徐成 -专利权人： 上海先方半导体有限公司;华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2023-01-30 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本发明提供一种连接结构及其制备方法，包括：提供基板层，所述基板层具有相对设置的第一面和第二面；自所述第一面在部分厚度的所述基板层中形成导电件；自所述第二面在部分厚度的所述基板层中形成重布线层，所述重布线层与所述导电件电连接。本发明提供的连接结构的制备方法能够减小连接结构的整体尺寸。
一种连接结构及其制备方法

[发明专利]一种降低塑封晶圆翘曲的封装结构及其制造方法-CN202110063190.1有效
发明人：徐成;曹立强;孙鹏;耿菲 -专利权人： 上海先方半导体有限公司;华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2021-01-18 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明公开一种降低塑封晶圆翘曲的封装结构，包括转接板，贴装于转接板上的芯片，以及包覆芯片的第一塑封层，转接板上设置有硅通孔，其第一表面及第二表面分别设置有与硅通孔电连接的外接焊球和/或外接焊盘。该封装结构的制作过程包括：在转接板第一表面工艺完成后，在其第一表面键合第一载片，然后切割所述第一载片，露出贴片区域，然后进行贴片等后续工艺，最后将第一载片切割去除，完成封装。
一种降低塑封晶圆翘曲封装结构及其制造方法

[发明专利]一种晶上系统封装结构-CN202310068281.3在审
发明人：张宏伟 -专利权人： 上海先方半导体有限公司;华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2023-02-06 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶上系统封装结构，包括：晶上系统，其包括光电共封芯片和计算芯片，其中光电共封芯片位于计算芯片的外侧，多个光电共封芯片包围多个计算芯片，且光电共封芯片与外界相连。在晶上系统最外层设置光电共封芯片，光电共封芯片包括共封光芯片和电交换芯片，通过光芯片与外界进行高速数据传输，并通过电交换芯片，为晶上系统内部集成的计算芯片提供高速数据交换通道，提高了晶上系统与外界的数据传输效率，满足晶上系统的超高数据吞吐量需求，同时降低超算整体功耗。
一种系统封装结构

[发明专利]一种堆栈式封装结构及其形成方法-CN202310089871.4在审
发明人：冒一卉;于婷;周澄 -专利权人： 上海先方半导体有限公司;华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2023-02-09 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明涉及一种堆栈式封装结构，包括：基板，其右侧部分具有基板开窗；第一芯片，其贴装在基板的左侧部分，其中第一芯片背面的右侧具有背面金属；第一塑封层；第一塑封胶通孔，其与基板开窗及第二芯片的背面金属电连接；第二芯片，其错位贴装在第一芯片上，其中第二芯片背面的右侧具有背面金属；第二塑封层；第二塑封胶通孔，其与基板开窗及第三芯片的背面金属电连接；第三芯片，其错位贴装在第二芯片上，其中第三芯片背面的右侧具有背面金属；金属柱，其布置在第三芯片正面的右侧管脚上；第三塑封层；第三塑封胶通孔；电路，其电连接金属柱与第三塑封胶通孔；导电引线，其电互连基板、第一芯片、第二芯片和第三芯片。
一种堆栈封装结构及其形成方法

[发明专利]一种转接板结构及其形成方法-CN202310083152.1在审
发明人：殷翔 -专利权人： 上海先方半导体有限公司;华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2023-02-08 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明涉及一种转接板结构，包括两个键合的第一转接板，其中第一转接板包括：衬底；多个互连的沟槽电容结构，其位于衬底的正面，其中沟槽电容结构包括：位于衬底的正面的多个沟槽；电容下电极，其覆盖沟槽的内壁；电容介质，其位于电容下电极背离沟槽内壁的一侧表面；电容上电极，其位于电容介质背离电容下电极的一侧表面；电感，其位于衬底的背面，并与沟槽电容结构电连接。将电容集成在转接板的内部，将电感集成在转接板的表面，大大减小了两种器件所占空间，且电感和沟槽电容结构之间距离较远，隔离度高，降低了二者之间的干扰，降低了介质损耗，提升了电感Q值；且使用沟槽电容结构，提高了电容密度，可以有效提升电容值。
一种转接板结及其形成方法

[发明专利]一种带锁胶槽的基板-CN202310068653.2在审
发明人：徐义刚 -专利权人： 上海先方半导体有限公司;华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2023-02-06 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01L23/13 文献下载
摘要：本发明涉及一种带锁胶槽的基板，包括：基板主体，其具有顶面以及与顶面相对的底面；焊盘开窗，其位于基板主体的顶面或者顶面和底面；锁胶槽，其位于所述焊盘开窗的周围。当焊盘开窗处的焊锡膏受到高温影响呈液态流动时，流淌出焊盘开窗区域的焊锡膏将会进入到锁胶槽内，避免与相邻焊盘开窗处的焊锡膏桥接，有效的阻止了连锡现象的发生。
一种带锁胶槽

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