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[发明专利]穿透硅通孔结构制作方法-CN201310169431.6有效
发明人：王坚;贾照伟;金一诺;王晖 -专利权人：盛美半导体设备(上海)有限公司
申请日： 2013-05-09 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种穿透硅通孔结构制作方法，包括如下步骤：提供一硅衬底，硅衬底具有正面和与正面相对的背面，硅衬底的正面形成有通孔，通孔向硅衬底的背面延伸，在通孔的内壁依次沉积介质层和阻挡层，然后向通孔内填充金属；对硅衬底的背面进行初步减薄；对硅衬底的背面进行湿法刻蚀，并在通孔底部处的介质层被暴露出来之前停止湿法刻蚀；对硅衬底的背面进行干法气相刻蚀，直至通孔底部处沉积的一部分的金属、阻挡层和介质层从硅衬底的背面凸起，其中通孔底部处的介质层被暴露出来；在硅衬底的背面除通孔底部外的部分沉积钝化层；去除通孔底部处的介质层；及采用干法气相刻蚀法去除通孔底部处的阻挡层，通孔底部处的金属从硅衬底的背面露出。本发明通过采用干法气相刻蚀减薄硅衬底的背面及去除通孔底部处的阻挡层，提高了穿透硅通孔结构制作良率。
穿透硅通孔结构制作方法

[发明专利]一种基于硅通孔技术的低通滤波器-CN201610533310.9有效
发明人：王凤娟;王刚;余宁梅 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2016-07-08 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明属于滤波器，具体涉及一种基于硅通孔技术的低通滤波器，包括螺旋电感单元、重新布线层和硅通孔组件，所述螺旋电感单元由螺旋电感一和螺旋电感二组成，所述重新布线层包括输入端、输出端、接地金属、互连层一和互连层二，所述硅通孔组件中包括五个结构相同的同轴型硅通孔，分别为硅通孔一、硅通孔二、硅通孔三、硅通孔四和硅通孔五，所述同轴型硅通孔由外向内依次包括第一介质层、外金属层、第二介质层和金属芯层；本发明采用同轴型硅通孔实现垂直的电容器
一种基于硅通孔技术滤波器

[实用新型]硅通孔检测电路和集成电路芯片-CN201821451279.5有效
发明人：林祐贤 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-09-05 - 公布日： 2019-04-19 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种硅通孔检测电路和集成电路芯片，涉及集成电路技术领域。该硅通孔检测电路包括第一硅通孔、第二硅通孔和鉴相器；第一硅通孔的第一端与预定信号输出端连接，第一硅通孔的第二端与第二硅通孔的第一端连接；第二硅通孔的第二端与鉴相器的第一输入端连接；鉴相器的第二输入端与预定信号输出端连接本公开可以检测出失效硅通孔，以便基于硅通孔冗余的方式屏蔽失效硅通孔，进而有助于集成电路芯片内各信号的有效传输。
硅通孔鉴相器集成电路芯片检测电路输出端连接预定信号第一端集成电路技术本实用新型输入端连接有效传输冗余输入端相位差屏蔽检测

[实用新型]一种硅通孔金属互联线电迁移测试结构-CN201120402902.X有效
发明人：刘胜;汪学方;吕植成;袁娇娇;宋斌;杨亮 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2011-10-21 - 公布日： 2012-06-13 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种硅通孔金属互联线的电迁移测试结构，包括硅片，硅片上分布有多个硅通孔单元，所述硅通孔单元包括三个硅通孔，第一、二、三硅通孔通过硅片反面金属层相连，第二硅通孔与后继相邻硅通孔单元的第一硅通孔通过硅片正面金属层相连，四探针的一个测头置于第三硅通孔正面端口处，另一测头置于硅片上与第一硅通孔通过正面金属层相连的位置处。本实用新型可在一个硅片上测试多种规格的硅通孔金属互联线的电迁移性能，并且在测试过程中可以将串联中的某些试样切除进行截面分析而不影响其他剩余试样的继续测试，具有测试成本低，操作便捷，测试效率高的特点。
一种硅通孔金属互联线电迁移测试结构

[实用新型]一种硅通孔的电迁移测试结构-CN201620067522.8有效
发明人：陈芳 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2016-01-22 - 公布日： 2016-07-06 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本实用新型提供一种硅通孔的电迁移测试结构，包括：通过第一底层金属连接的第一硅通孔及第二硅通孔，所述第一硅通孔及所述第二硅通孔的上端分别连接第一测试端及第二测试端，所述第一硅通孔、所述第二硅通孔及所述第一底层金属的周围设置一温度传感器，以对所述第一硅通孔、所述第二硅通孔及所述第一底层金属通电后的温度进行检测。本实用新型的硅通孔的电迁移测试结构在原有测试结构的基础上增加温度传感器，以此感知大电流产生的焦耳热，并据此调节电迁移测试的温度环境，进而避免焦耳热效应对测试结构的影响，提高硅通孔电迁移测试的准确性和半导体产品的良率
一种硅通孔迁移测试结构

[发明专利]一种硅通孔互连的制作工艺、由此形成的硅通孔互连结构及其应用-CN201810261142.1有效
发明人：豆传国;杨恒;孙珂;戈肖鸿;吴燕红;李昕欣 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2018-03-27 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅通孔互连的制作工艺，包括以下步骤：S1，在硅圆片的盲孔中形成多晶硅填充结构，在多晶硅填充结构的第一表面形成阻挡层结构；S2，减薄该硅圆片，使得该盲孔形成为硅通孔结构；S3，在多晶硅填充结构的与第一表面相对的第二表面形成金属电极结构；S4，在金属电极结构上形成金凸点；S5，加热硅圆片，使得金与多晶硅填充结构在硅通孔结构中形成金硅合金结构。本发明还涉及一种由此形成的硅通孔互连结构。本发明又涉及一种硅通孔互连结构的应用。根据本发明的硅通孔互连的制作工艺、由此形成的硅通孔互连结构及其应用，结合了多晶硅TSV孔径小的优点，降低了硅通孔互连结构的寄生电阻。
一种硅通孔互连制作工艺由此形成结构及其应用

[发明专利]一种针对硅通孔漏电故障的绑定后硅通孔测试结构及方法-CN201910368166.1在审
发明人：俞洋;杨智明;徐康康;彭喜元 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2019-05-05 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： G01R31/02 文献下载
摘要：一种针对硅通孔漏电故障的绑定后硅通孔测试结构及方法，涉及集成电路测试领域。本发明是为了解决传统的硅通孔测试结构测量精度低、有误故障时测量误差小、且无法确定故障点的问题。本发明所述的一种针对硅通孔漏电故障的绑定后硅通孔测试结构，包括传统的基于环形振荡器的硅通孔测试电路和用于降低环形振荡器的频率的RC电路。本发明针对硅通孔的绑定后测试，所检测的故障为硅通孔的漏电故障。当硅通孔接入时，使测试结构输出信号的周期对硅通孔的漏电故障更加敏感，使测试成本降低，使诊断结果受测量误差影响更小，适用于检测微小的漏电面积。
硅通孔测试结构漏电故障绑定环形振荡器测量传统的集成电路测试测试成本测试电路输出信号误差影响诊断结果漏电故障点检测测试敏感

[发明专利]硅通孔结构及其形成方法-CN201610395605.4有效
发明人：冯凯;刘玮荪;许忠义;黄自强 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2016-06-06 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种硅通孔结构及其形成方法。其中，硅通孔结构的形成方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成通孔；在所述通孔中沉积掺杂的多晶硅锗。所述形成方法减小硅通孔结构应力，提高硅通孔结构形成方法的其它工艺的集成能力。
硅通孔结构及其形成方法

[发明专利]包括分布电流的硅通孔的半导体装置-CN201811580255.4在审
发明人：卢寿政;吴致成;孙教民;金勇基;文钟淏;禹昇汉;尹载允 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-12-24 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明提供了一种包括分布电流的硅通孔的半导体装置，所述半导体装置包括：第一半导体裸片至第M半导体裸片，堆叠在第一方向上。第一半导体裸片至第M半导体裸片中的每个半导体裸片包括：基底；第一硅通孔至第K硅通孔，在第一方向上穿过基底；以及第一电路，通过电连接到第一硅通孔的电源线接收电力。第N半导体裸片的第一硅通孔至第K硅通孔中的每个硅通孔电连接到第N+1半导体裸片的第一硅通孔至第K硅通孔中的在平面图中与其间隔开的硅通孔。
硅通孔半导体裸片半导体装置分布电流电连接基底电源线堆叠电路穿过

[发明专利]硅通孔封装结构的形成方法-CN201210299744.9有效
发明人：李凤莲;倪景华 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-08-21 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：种硅通孔封装结构的形成方法，包括：提供锗硅衬底，在所述锗硅衬底表面形成硅衬底；在所述硅衬底的第一表面上形成半导体器件，在所述硅衬底的第一表面和半导体器件表面形成层间介质层和位于层间介质层内的金属互连结构；形成贯穿所述硅衬底的硅通孔，所述硅通孔的顶部表面与金属互连结构电学连接；利用气体腐蚀工艺或湿法刻蚀工艺去除所述锗硅衬底，直到暴露出所述硅衬底的第二表面和所述硅通孔的底部表面。由于所述气体腐蚀工艺或湿法刻蚀工艺不会对硅衬底产生应力作用，因此所述硅衬底的厚度可以很薄，可以有效的降低硅通孔的形成深度，降低成本，避免刻蚀形成过深的通孔时对通孔侧壁的损伤，不会影响最终形成的硅通孔的电学性能
硅通孔封装结构形成方法

[发明专利]硅通孔金属柱背面凸块制造方法-CN201410459765.1有效
发明人：丁万春 -专利权人：南通富士通微电子股份有限公司
申请日： 2014-09-10 - 公布日： 2015-01-07 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供一种硅通孔金属柱背面凸块制造方法，包括：对设置有至少一个硅通孔金属柱的硅基板背面进行薄化处理，以使硅通孔金属柱从硅基板背面露出，并与硅基板背面相距第一预设距离；在露出硅通孔金属柱的硅基板背面形成隔离层，该隔离层的厚度小于第一预设距离；在露出于隔离层表面的硅通孔金属柱上形成金属凸块，该金属凸块环包硅通孔金属柱表面。该方案在硅通孔金属柱本体上，将伸出硅基板背面的部分进行表面处理，形成可焊接用的金属凸块。简化了工艺，降低了生产和工艺风险。
硅通孔金属背面制造方法

[发明专利]硅通孔检测结构及检测方法-CN201110456998.2有效
发明人：冯军宏;甘正浩 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-12-30 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：一种硅通孔检测结构及检测方法，所述硅通孔检测结构包括：半导体基底，位于所述半导体基底内的硅通孔；位于所述半导体基底和硅通孔表面的层间介质层；位于所述层间介质层表面的检测金属层，所述检测金属层位于所述硅通孔的正上方利用所述检测电压检测所述硅通孔和检测金属层之间的击穿电压，所述检测金属层的电阻值，从而判断所述硅通孔表面是否存在铜突起，检测敏感、方便。
硅通孔检测结构方法

[发明专利]一种晶圆结构的制造方法-CN201910537572.6有效
发明人：胡杏;曾甜;占迪;刘天建;胡胜 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2019-06-20 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请提供一种晶圆结构的制造方法，在第一晶圆和第二晶圆键合后，可以从第一晶圆的第一衬底进行刻蚀以形成硅通孔，然后进行绝缘层的沉积，使硅通孔的开口拐角处的绝缘层厚度大于硅通孔侧壁及底面上绝缘层的厚度，再进行绝缘层的各向异性刻蚀，直至去除硅通孔底面上的绝缘层，然后进行硅通孔的填充。硅通孔中的绝缘层对器件起到隔离和保护的作用，而硅通孔的开口拐角处的绝缘层厚度大于硅通孔的侧壁及底面上的绝缘层的厚度，在后续去除硅通孔底面上的绝缘层的过程中，即使对硅通孔的开口拐角处的绝缘层有所损耗，其厚度也不会偏薄，从而提高了硅通孔中绝缘层的可靠性，减少硅通孔的形成工艺对器件良率及性能的影响。
一种结构制造方法

[发明专利]一种直孔硅通孔的介质层填充方法-CN202210464883.6在审
发明人：陈立军;戴风伟;孙鹏;曹立强 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及一种直孔硅通孔的介质层填充方法，包括：将晶圆的背面减薄，并制作硅通孔；在晶圆的背面以及硅通孔内形成绝缘层，并去除位于硅通孔的底部的绝缘层；在硅通孔内和绝缘层上形成金属布线；以及通过真空压膜或真空涂胶工艺在硅通孔内和晶圆上形成介质层通过该方法，可以有效保护直孔硅通孔内壁的金属层，增强芯片的可靠性，同时由于硅通孔内有介质层填充，晶圆表面相对平整，容易实现多层再布线结构，而不会出现线路不连续的问题。
一种直孔硅通孔介质填充方法

[实用新型]封装结构-CN202320849828.9有效
发明人：陈彦亨;林正忠 -专利权人：盛合晶微半导体（江阴）有限公司
申请日： 2023-04-17 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：该封装结构包括：基底；电性布置在基底的正面上的多个硅通孔中介层；电性布置硅通孔中介层上的芯片，其中每个芯片均完全处在单个硅通孔中介层上，而且硅通孔中介层与芯片电连接；以及电性布置在任意相邻的至少两个硅通孔中介层上的桥接芯片，其中桥接芯片与至少两个硅通孔中介层电连接。在本实用新型中，实现了采用数个小面积的硅通孔中介层以及桥接芯片来拼成大尺寸的硅通孔中介层。
封装结构

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