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[发明专利]一种电阻可调的互联硅通孔的制作方法-CN201810651525.X有效
发明人：屈怀泊;刘燕;谢强;孙金池 -专利权人：北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所
申请日： 2018-06-22 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：一种电阻可调的互联硅通孔的新型制作方法，涉及互联硅通孔的制作方法领域；包括如下步骤：步骤(一)、在高阻硅的上底面和下底面进行氧化；步骤(二)、在电隔离层上刻蚀硅通孔；步骤(三)、在高阻硅上表面电隔离层上表面淀积金属薄膜；步骤(四)、在金属薄膜种子层上表面铺好光刻胶；步骤(五)、制作互联硅通孔信号输入/输出端；步骤(六)、制作形成地层互联层；步骤(七)、对硅通孔的内壁进行电镀；步骤(八)、对高阻硅沿预先设定的划片道进行划片，分隔出互联硅通孔芯片；本发明工艺简单，能够满足惠斯通电桥桥臂电阻的补偿需求，降低了电阻匹配难度，实现了更好的工艺集成。
一种电阻可调互联硅通孔制作方法

[发明专利]一种背面硅通孔制作方法-CN201110180998.4有效
发明人：丁万春;刘国安 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-06-30 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种背面硅通孔制作方法，提供具有衬底和半导体器件层的晶片，所述半导体器件层位于所述衬底的晶片器件面上，所述半导体器件层中包括半导体器件，与半导体器件电接触的钨栓塞，及位于所述钨栓塞上方且与之相连的铝连线，该方法包括：从所述衬底的晶片背面依次刻蚀所述衬底和半导体器件层，以所述铝连线作为刻蚀停止层，形成与所述铝连线相通的硅通孔后，在硅通孔中填充金属形成导电通孔。本发明提出的背面硅通孔制作方法以半导体器件层中的铝连线作为硅通孔的刻蚀停止层和硅通孔中形成导电通孔的电连接点，避免了以金属互连层中的金属衬垫或者延伸金属衬垫作为导电通孔的电连接点时无法准确定位硅通孔位置以及刻蚀穿通问题
一种背面硅通孔制作方法

[发明专利]图像传感器的深沟槽和硅通孔的制程方法-CN201810144446.X有效
发明人：林宏 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2018-02-12 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种图像传感器的深沟槽和硅通孔的制程方法，深沟槽和硅通孔的制程方法包括：提供像元硅片；在像元硅片的第二侧进行硅衬底减薄处理；在像元硅片的第二侧形成深沟槽；于深沟槽内填充有机物；在像元硅片的第二侧上涂布光刻胶；根据硅通孔图案对像元硅片的第二侧进行刻蚀以形成硅通孔；于深沟槽和硅通孔表面沉积介质保护层；于深沟槽内填充有机物；在像元硅片的第二侧上涂布光刻胶；根据接触孔图案对像元硅片的第二侧进行刻蚀以形成接触孔；在深沟槽和硅通孔表面沉积阻挡层，并于深沟槽内填充第一金属，同时在硅通孔表面形成一层籽晶层；于硅通孔内填充第一金属。
图像传感器深沟硅通孔方法

[发明专利]一种硅通孔结构及其制作方法-CN202210903838.6在审
发明人：王伟 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2022-07-28 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅通孔结构，包括：位于衬底中的通孔；阻挡层，其布置在所述通孔的内壁；种子层，其覆盖所述阻挡层；绝缘层，其覆盖位于通孔侧壁的所述种子层；以及填充层，其填充所述通孔，并与所述种子层连接。本发明还涉及一种硅通孔结构的制作方法。该硅通孔的内部不含空洞，具有良好的稳定性和连通性，且该硅通孔有环状电容结构，拓展了其应用范围。
一种硅通孔结构及其制作方法

[发明专利]硅通孔背面露头的方法和装置-CN201380075888.9有效
发明人：王晖;陈福平;张晓燕 -专利权人：盛美半导体设备(上海)有限公司
申请日： 2013-04-22 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：提供一种硅通孔背面露头的方法和装置。该方法包括如下步骤：提供硅衬底(101)，硅衬底(101)内形成有若干硅通孔(102)；旋转硅衬底(101)并向硅衬底(101)的背面喷洒第一刻蚀剂以刻蚀硅衬底(101)的背面，在硅通孔(102)从硅衬底(101)的背面露出之前停止刻蚀；旋转硅衬底(101)并向硅衬底(101)的背面喷洒第二刻蚀剂以刻蚀硅衬底(101)的背面直到硅通孔(102)从硅衬底(101)的背面露出，其中在向硅衬底(101)的背面喷洒第二刻蚀剂期间，在设定的时间间隔内，使硅衬底(101)的旋转方向反向。
硅通孔背面露头方法装置

[实用新型]晶圆及半导体器件-CN201920997500.5有效
发明人：吴秉桓 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本公开是关于一种晶圆及半导体器件，所述晶圆包括晶圆本体和切割硅通孔，所述晶圆本体上设置有用于切割的切割道；切割硅通孔设于所述切割道中，所述切割硅通孔内填充有保护材料。通过在切割道设置填充有保护材料的切割硅通孔，在进行晶圆切割时，对切割硅通孔进行切割，防止切割应力对晶粒区造成破坏，通过切割硅通孔能够有效地减小切割道的宽度，有利于切割道的微缩，提高晶圆的有效利用率。
半导体器件

[发明专利]一种半导体器件的制备方法及半导体器件-CN202210617822.9在审
发明人：李立伟;杨云春;陆原;郭伟龙;肖文贺;谷佩霞;陈学志;李佩笑 -专利权人：赛莱克斯微系统科技（北京）有限公司
申请日： 2022-06-01 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制备方法及半导体器件，包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上刻蚀硅通孔；将硅衬底至于承载片上，在硅通孔侧壁上形成扩散阻挡层以及铜种子层；分离硅衬底及承载片，将硅衬底翻转后置于承载片上，利用磁控溅射工艺在硅通孔侧壁上形成扩散阻挡层以及铜种子层；如此，再次利用磁控溅射工艺在硅通孔侧壁上形成扩散阻挡层以及铜种子层，这样可以对单次磁控溅射在波纹衔接处形成的薄膜进行修补和加厚，提高薄膜在硅通孔侧壁的覆盖能力，进而提高扩散阻挡层的厚度和均匀性以及提高导体铜种子层薄弱处的厚度和整体的厚度均匀性，减少后续硅通孔中的铜导体的扩散，确保硅通孔工艺实现的可靠性，提高半导体器件的整体性能。
一种半导体器件制备方法

[发明专利]用于控制半导体裸片翘曲的设备和方法-CN201080063996.0无效
发明人：白雪;乌尔米·雷 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2010-12-17 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：一种半导体裸片具有经布置以减少翘曲的穿硅通孔。所述穿硅通孔调整所述半导体裸片的热膨胀系数、准许衬底变形，且还消除残余应力。所述穿硅通孔可位于所述半导体裸片的边缘和/或隅角中。所述穿硅通孔为可用圆角通孔进行补充以减少所述半导体裸片的翘曲的应力消除通孔。
用于控制半导体裸片翘曲设备方法

[发明专利]一种新型的芯片背面硅通孔结构的成形方法-CN201210385959.2无效
发明人：陈栋;张黎;胡正勋;陈锦辉;赖志明 -专利权人：江阴长电先进封装有限公司
申请日： 2012-10-12 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及芯片背面硅通孔结构的成形方法，属于半导体芯片封装技术领域。本发明一种新型的芯片背面硅通孔结构，它包括芯片本体（1）和设置在芯片本体（1）正面的芯片电极（2），所述芯片本体（1）的背面设置二次干法刻蚀形成的硅通孔（101），所述硅通孔（101）为外大内小的喇叭形，硅通孔（101）的底部直达芯片电极（2）下表面。本发明的工艺方法形成的喇叭形的硅通孔（101），孔壁光滑度好，消除了孔壁波纹和侧向内凹缺陷；工艺兼容性好，有利于后续覆盖完整的绝缘层和孔内金属填充。
一种新型芯片背面硅通孔结构成形方法

[发明专利]基于硅基板通孔技术倒装芯片的发光二极管及其制造工艺-CN201210234808.7有效
发明人：殷录桥;付美娟;张建华;翁菲 -专利权人：上海大学
申请日： 2012-07-09 - 公布日： 2012-11-07 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本发明涉及了一种基于硅基板通孔技术倒装芯片的发光二极管及其制造工艺。本发光二极管包括：荧光层、n型电流扩展层、发光层、p型电流扩展层、金属反光层、p型电极焊盘、金属通孔、绝缘层、n型电极焊盘、硅基板线路层、硅基板绝缘层、硅基板、硅基板负电极、硅基板负电极金属通孔、硅基板正电极金属通孔、硅基板正电极焊盘、硅基板通孔绝缘层、芯片蓝宝石衬底。针对当前大功率LED存在的结构缺陷，提供一种基于硅基板通孔技术倒装芯片的发光二极管及其制造工艺，通过刻蚀技术或者激光技术分别在倒装LED芯片及硅基板上制作出通孔电极、并进行共晶焊接完成封装。本发光二极管器件无需金丝键合，此技术有利于在大规模晶片级封装的开展，而且此技术不仅通过通孔提高了散热性能，而且提高了LED芯片封装的可靠性。
基于硅基板通孔技术倒装芯片发光二极管及其制造工艺

[实用新型]一种硅锭传送设备-CN201720538295.7有效
发明人：陈辉;缪庆光;周冰 -专利权人：北京京运通科技股份有限公司
申请日： 2017-05-12 - 公布日： 2017-12-19 - 主分类号： B65G15/58 文献下载
摘要：本实用新型涉及物料传送领域，公开了一种硅锭传送设备，该硅锭传送设备包括运输装置以及设置在运输装置上的硅锭定位装置，硅锭定位装置包括层叠设置且固定连接两个板层，其中，所述硅锭定位装置中远离所述运输装置的板层为第一板层，第一板层上设有呈矩阵排列的多个第一通孔，且相邻的两个第一通孔之间具有设定的间隔；所述硅锭定位装置中靠近所述运输装置的板层为第二板层，对于每个第一通孔，第二板层上设有与该第一通孔连通的第二通孔，且每个第一通孔的面积大于与该第一通孔连通的第二通孔的面积，每个第一通孔和与该第一通孔连通的第二通孔之间形成用于支撑硅锭的台阶面。
一种传送设备

[发明专利]一种运用硅通孔结构的新型切皮雪夫滤波器-CN201710941180.7在审
发明人：赵文生;傅楷;黄裕磊;徐魁文;王高峰 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2017-10-11 - 公布日： 2018-01-19 - 主分类号： H01P1/20 文献下载
摘要：本发明公开一种运用硅通孔结构的新型切皮雪夫滤波器。本发明为运用多导体硅通孔构造的一种片上螺线管式电感元件，使用同轴硅通孔做电容器来设计低通滤波器结构。本发明的优点是运用同轴多导体硅通孔构造电容器，减小元件物理尺寸，同轴多导体硅通孔的金属内芯可以同时实现螺旋电感和端口的垂直互连，减少了硅通孔的使用数目，从而进一步减小占用面积；通过本发明所提出的低通滤波器结构，可改变同轴硅通孔中绝缘层的使用材料增大电容值，可以通过垂直互连技术减小互连线的尺寸，从而提高滤波器的整体性能。
一种运用硅通孔结构新型切皮雪夫滤波器

[发明专利]一种硅通孔互连结构的制备方法-CN201910933910.8在审
发明人：曹立强;刘道祥;孙鹏 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2019-09-29 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明属于器件制备技术领域，具体涉及一种硅通孔互连结构的制备方法。该方法包括键合若干器件，形成一堆叠件，并在所述堆叠件的底部键合承载片；刻蚀所述堆叠件形成若干硅孔，并对所述硅孔的侧壁进行绝缘处理；填充所述硅孔，并烧结填充物形成致密材料；依次进行平坦化、布线植球，最后解键合去除所述承载片，形成硅通孔互联结构。该方法通过键合先将各个器件堆叠成型，然后形成硅孔，经填充即可实现硅孔互联结构的导通，且不会出现链接偏移、断路的现象，使硅通孔互联结构具有较好的可靠性。该方法可以减少制备步骤，缩短制备时间和成本。本发明制备得到的硅通孔互联结构不存在通孔互联时的偏移以及连接产生接触阻抗偏大的现象。
互联结构硅通孔键合制备偏移承载片堆叠件填充填充物互连结构接触阻抗绝缘处理器件制备致密材料烧结断路平坦化布线侧壁导通叠件堆叠刻蚀链接通孔植球去除成型互联

[发明专利]一种半导体器件的制备方法-CN201310743212.4在审
发明人：戚德奎;李新 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-12-27 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件的制备方法，包括提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成有硅通孔凹槽；选用牺牲材料层填充所述硅通孔凹槽；在所述半导体衬底以及所述牺牲材料层上沉积层间金属介电层；图案化所述层间金属介电层，以形成第一开口，露出所述牺牲材料层；去除所述牺牲材料层，以露出所述硅通孔凹槽；在所述硅通孔凹槽以及第一开口中填充导电材料，以同时形成硅通孔结构以及位于硅通孔结构上方的第一金属层。在本发明中通过对工艺过程的改进，从而可以通过一次填充以及平坦化步骤同时形成所述硅通孔结构以及位于所述硅通孔结构上方的第一金属层，通过减少TSV和后端制程（BEOL metal）互连过程中电镀和化学机械研磨的次数来降低生产制造成本
一种半导体器件制备方法

[发明专利]异质集成芯片的系统级封装结构-CN201911188487.X在审
发明人：朱文辉;史益典;刘振;石磊 -专利权人：中南大学;长沙安牧泉智能科技有限公司
申请日： 2019-11-28 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种异质集成芯片的系统级封装结构，包括：封装基板；硅通孔转接板，所述硅通孔转接板上开设有多个硅通孔，所述硅通孔转接板的底部设置有与多个凸点，所述硅通孔转接板通过所述凸点固定安装在所述封装基板上，所述硅通孔转接板通过所述凸点与所述封装基板电连接；凸点芯片，所述凸点芯片的底部设置有多个小微凸点，所述凸点芯片通过所述小微凸点固定安装在所述硅通孔转接板上，所述凸点芯片通过所述小微凸点与所述硅通孔转接板电连接
硅通孔转接板凸点芯片封装基板微凸点电连接系统级封装结构封装结构封装效率集成芯片加工工序占用空间集成度减小异质封装统一